技术总结
一种半导体器件的形成方法，包括：提供衬底、位于衬底表面的栅极膜以及位于栅极膜表面的初始掩膜层；在初始掩膜层表面形成图形化的光刻胶层；以图形化的光刻胶层为掩膜，刻蚀初始掩膜层形成若干分立的硬掩膜层，且硬掩膜层上以及栅极膜表面形成有聚合物杂质；采用灰化工艺去除图形化的光刻胶层，灰化工艺包括依次进行的第一灰化工艺和第二灰化工艺，第一灰化工艺还适于去除聚合物杂质中的硅离子，第二灰化工艺还适于去除聚合物杂质中的碳离子；在进行灰化工艺之后，对硬掩膜层以及栅极膜进行湿法清洗处理；以硬掩膜层为掩膜刻蚀所述栅极膜，在衬底上形成若干分立的栅极；在栅极两侧的衬底内形成源区和漏区。本发明提高了形成的栅极的质量。
技术研发人员：张海洋;孟晓莹;韩秋华
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
文档号码：201510531698
技术研发日：2015.08.26
技术公布日：2017.03.08