1.一种场效应管的制造方法，其特征在于，包括：
在生长有栅氧化层的外延基片表面形成第一多晶硅区，所述第一多晶硅区包括间隔设置的第一多晶硅段和第二多晶硅段，第一多晶硅段与栅极区对应设置，第二多晶硅段与源极区对应设置；
在形成有所述第一多晶硅区的外延基片上形成阱区；
在所述第一多晶硅区的表面淀积二氧化硅；
在所述二氧化硅表面形成第二多晶硅区，所述第二多晶硅区与二极管区对应设置；
对所述外延基片进行高温驱入；
在所述第一多晶硅区表面进行光刻和源区离子注入；
在所述第二多晶硅区表面进行光刻和离子注入，形成场效应管的齐纳二极管；
在所述第一多晶硅区表面和所述第二多晶硅区表面淀积介质层，并进行回流；
在所述介质层表面进行接触孔光刻、刻蚀、金属淀积、金属反刻形成所述场效应管的源极和删极。
2.根据权利要求1所述的场效应管的制造方法，其特征在于，在生长有栅氧化层的外延基片表面形成第一多晶硅区，包括：
在所述栅氧化层的表面形成第一多晶硅层；
对所述第一多晶硅层进行掺杂、光刻和刻蚀，形成第一多晶硅区。
3.根据权利要求1所述的场效应管的制造方法，其特征在于，所述在所述二氧化硅表面形成第二多晶硅区，包括：
在所述二氧化硅表面形成第二多晶硅层；
对所述第二多晶硅层和所述二氧化硅进行光刻和刻蚀，形成第二多晶硅区。
4.根据权利要求1所述的场效应管的制造方法，其特征在于，所述在所述第二多晶硅区表面进行光刻和离子注入，形成场效应管的齐纳二极管，包括：
在所述第二多晶硅区表面进行P区光刻和离子注入，形成齐纳二极管的 P极；
在所述第二多晶硅区表面进行N区光刻和离子注入，形成齐纳二极管的N极。
5.根据权利要求1-4任一所述的场效应管的制造方法，其特征在于，所述场效应管为N型场效应管，所述在形成有所述第一多晶硅区的外延基片上形成阱区，包括：
在形成有所述第一多晶硅区的外延基片上注入P型离子；
对所述第一多晶硅区进行光刻和P+离子注入，形成阱区。
6.根据权利要求5所述的场效应管的制造方法，其特征在于，所述源区离子为N型离子，所述源区离子注入能量为80千电子伏特～120千电子伏特。
7.根据权利要求5所述的场效应管的制造方法，其特征在于，所述在所述第二多晶硅区表面进行P区光刻和离子注入，包括：
在所述第二多晶硅区表面进行P区光刻，注入浓度在1E13个/平方厘米至1E14个/平方厘米之间的P型离子。
8.根据权利要求7所述的场效应管的制造方法，其特征在于，所述在所述第二多晶硅区表面进行N区光刻和离子注入，包括：
在所述第二多晶硅区表面进行N区光刻，注入浓度在1E14个/平方厘米至1E15个/平方厘米之间的N型离子。
9.根据权利要求7或8所述的场效应管的制造方法，其特征在于，所述P型离子注入能量为80千电子伏特～120千电子伏特。