1.一种硅基异质结电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供N型硅片；
在N型硅片的一面上沉积本征非晶硅膜层和N型非晶硅层，另一面上沉积本征非晶硅膜层和P型非晶硅层；
分别在P型非晶硅层和N型非晶硅层上沉积透明导电膜层；
分别在P型非晶硅层和N型非晶硅层的透明导电膜层上沉积阻挡层和种子铜层；
分别在两面的种子铜层上铺设感光干膜，通过曝光和显影在种子铜层上形成栅线图案；
通过含氧等离子体与种子铜层表面的碳残留物反应后生成二氧化碳以去除种子铜层上的碳残留物；
在种子铜层的栅线图案上电镀铜，形成铜栅线电极。
2.根据权利要求1所述的硅基异质结电池的制备方法，其特征在于：所述分别在N型硅片的一面上沉积本征非晶硅膜层和N型非晶硅层，另一面上沉积本征非晶硅膜层和P型非晶硅层，具体为先沉积两面的本征非晶硅膜层，再沉积N型非晶硅层、P型非晶硅层。
3.根据权利要求1所述的硅基异质结电池的制备方法，其特征在于：所述分别在N型硅片的一面上沉积本征非晶硅膜层和N型非晶硅层，另一面上沉积本征非晶硅膜层和P型非晶硅层，具体为先沉积两面的本征非晶硅膜层，再沉积P型非晶硅层、N型非晶硅层。
4.根据权利要求1所述的硅基异质结电池的制备方法，其特征在于：所述分别在N型硅片的一面上沉积本征非晶硅膜层和N型非晶硅层，另一面上沉积本征非晶硅膜层和P型非晶硅层，具体为先沉积其中一面的本征非晶硅膜层、P型非晶硅层，再沉积另一面的本征非晶硅膜层、N型非晶硅层。
5.根据权利要求1所述的硅基异质结电池的制备方法，其特征在于：所述 分别在N型硅片的一面上沉积本征非晶硅膜层和N型非晶硅层，另一面上沉积本征非晶硅膜层和P型非晶硅层，具体为先沉积其中一面的本征非晶硅膜层、N型非晶硅层，再沉积另一面的本征非晶硅膜层、P型非晶硅层。
6.根据权利要求1所述的硅基异质结电池的制备方法，其特征在于：所述通过含氧等离子体与种子铜层表面的碳残留物反应后生产二氧化碳以去除碳残留物为通入10-1000sccm的氧气，在10-1000Pa气压，功率密度0.05-0.5W/cm2下产生含氧等离子体，电离的含氧等离子体轰击种子铜层表面，轰击时间为1-60S，与种子铜层表面的碳残留物反应生成二氧化碳。
7.根据权利要求1所述的硅基异质结电池的制备方法，其特征在于：所述通过含氧等离子体与种子铜层表面的碳残留物反应后生产二氧化碳以去除碳残留物为通入10-1000sccm的氧气，在标准大气气压下，功率密度0.05-0.5W/cm2下产生含氧等离子体，电离的含氧等离子体轰击种子铜层表面，轰击时间为1-60S，与种子铜层表面的碳残留物反应生成二氧化碳。
8.根据权利要求6或7所述的硅基异质结电池的制备方法，其特征在于：所述产生电离为通过直流电源或射频源。
9.根据权利要求1所述的硅基异质结电池的制备方法，其特征在于：所述本征非晶硅膜层的厚度为1-10nm，所述P型非晶硅层和N型非晶硅层的厚度分别为5-10nm，所述透明导电膜的厚度为25-110nm。
10.根据权利要求1所述的硅基异质结电池的制备方法，其特征在于：所述透明导电膜层通过PVD溅射沉积。