技术总结
本发明公开了一种硅基异质结电池的制备方法，其包括：提供N型硅片；在N型硅片的一面上沉积本征非晶硅膜层和N型非晶硅层，另一面上沉积本征非晶硅膜层和P型非晶硅层；分别在P型非晶硅层和N型非晶硅层上沉积透明导电膜层；分别在P型非晶硅层和N型非晶硅层的透明导电膜层上沉积阻挡层和种子铜层；分别在两面的种子铜层上铺设感光干膜，通过曝光和显影在种子铜层上形成栅线图案；通过含氧等离子体与种子铜层表面的碳残留物反应后生成二氧化碳以去除种子铜层上的碳残留物；在种子铜层的栅线图案上电镀铜，形成铜栅线电极。本发明去除了种子铜层上的残留物，提高了太阳能器件可靠性和性能。
技术研发人员：杨与胜;王树林
受保护的技术使用者：钧石(中国)能源有限公司
文档号码：201510559256
技术研发日：2015.09.06
技术公布日：2017.03.15