技术总结
本发明涉及一种多频脉冲等离子体处理装置，包含：反应腔室；其内顶部设有喷淋头，该喷淋头处设有第一电极；其内底部设有承载基片的基座；该基座处设有施加了第一射频功率电源和第二射频功率电源的第二电极，在基座和喷淋头之间形成主等离子体；移动环，沿反应腔室的侧壁内侧设置；内部垂直设有施加了采用连续射频功率的第三射频功率电源的第三电极，在反应腔室的边缘区域形成边缘等离子体。本发明还涉及多频脉冲等离子体处理装置的处理方法及清洗方法。本发明在位于反应腔室边缘区域处形成边缘等离子体，为同步开关脉冲放电提供稳定的电荷，防止基片上方的主等离子体熄灭；并且能更有效的清洗到反应腔室内的各个部件，提高腔体稳定性。
技术研发人员：梁洁;叶如彬;杜冰洁
受保护的技术使用者：中微半导体设备（上海）有限公司
文档号码：201510699803
技术研发日：2015.10.26
技术公布日：2017.05.03