1.一种制造半导体器件的方法，包括：
形成延伸穿过衬底上方的多个层的开口；
在所述开口的表面上形成阻挡层；
在所述开口中的阻挡层上方形成衬垫层，其中，所述阻挡层和所述衬垫层具有不同的材料组分；以及
利用非铜金属材料填充所述开口，其中，所述非铜金属材料形成在所述衬垫层上方。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，作为用于5nm技术节点或更小的技术节点的制造工艺的一部分，执行所述开口的形成、所述阻挡层的形成、所述衬垫层的形成和所述开口的填充中的至少一个。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，填充所述开口的非铜金属材料包含一个或多个空隙，并且其中，所述方法还包括：通过对所述非铜金属材料执行退火工艺来去除所述一个或多个空隙。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述填充包括在所述开口中沉积作为所述非铜金属材料的钴。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述衬垫层包括配置所述衬垫层的材料组分，从而使得：在所述开口的填充期间，当所述非铜金属材料与所述衬垫层物理接触时，去除来自所述非铜金属材料的杂质。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述杂质包括配体，并且其中，所述衬垫层用作所述配体的催化剂。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述衬垫层的形成包括形成铑衬垫层。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述衬垫层的形成包括形成钴衬垫层。
9.一种制造半导体器件的方法，包括：
形成延伸穿过衬底上方的多个层的沟槽，其中，所述沟槽包括第一节段和形成在所述第一节段上方的第二节段，并且其中，所述第二节段比所 述第一节段宽；
在所述沟槽的表面上形成阻挡层；
在所述沟槽中的阻挡层上方形成衬垫层，其中，所述阻挡层和所述衬垫层具有不同的材料组分；以及
利用钴材料填充所述沟槽，其中，在所述衬垫层上形成所述钴材料，并且其中，所述钴材料包含一个或多个气隙；
对所述钴材料进行退火，从而去除所述钴材料中的一个或多个气隙；以及
在所述退火之后，对所述钴材料执行抛光工艺，从而形成互连结构的通孔和金属线，其中，由填充所述沟槽的第一节段的所述钴材料的第一部分形成所述通孔，并且其中，由填充所述沟槽的第二节段的所述钴材料的第二部分形成所述金属线。
10.一种半导体器件，包括：
衬底；
多个层，设置在所述衬底上方；
开口，设置在所述多个层中；
阻挡层，设置在所述开口的表面上；
衬垫层，设置在所述阻挡层上，其中，所述阻挡层和所述衬垫具有不同的材料组分；以及
非铜金属材料，设置在所述阻挡层上并且填充所述开口，其中，所述非铜金属材料基本不含杂质和气隙。