技术总结
本发明提供了一种半导体器件结构。半导体器件结构包括衬底和位于衬底上方的第一介电层。半导体器件结构包括位于第一介电层上方的第二介电层。第一介电层和第二介电层由不同的材料制成。半导体器件结构包括穿过第一介电层并且穿入第二介电层内的导电通孔结构。导电通孔结构具有第一部分和第二部分，第一部分和第二部分分别位于第一介电层和第二介电层中。第一部分具有面向衬底的第一端部，并且第一端部的第一宽度大于第二部分的第二宽度。
技术研发人员：陈威廷;张哲诚;吕祯祥;刘又诚;
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司;
文档号码：201510783049
技术研发日：2015.11.16
技术公布日：2016.10.05