技术总结
本发明的实施例提供一种半导体器件，包括衬底、器件层、抗反射涂层、反射结构、复合栅格结构、钝化层和滤光镜。器件层设置在衬底上，其中沟槽形成在器件层和衬底中。抗反射涂层共形地覆盖器件层、衬底和沟槽。反射结构分别设置在沟槽中的抗反射涂层上。复合栅格结构位于在抗反射涂层和反射结构上方。复合栅格结构包括穿过复合栅格结构的空腔，并且复合栅格结构包括顺序堆叠在反射结构上的金属栅格层和介电栅格层。钝化层共形地覆盖复合栅格结构。滤光镜分别填充空腔。本发明提供了一种具有串扰改善的CMOS图像传感器结构。
技术研发人员：郑允玮;周俊豪;蔡宗翰;李国政;许永隆
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
文档号码：201510979967
技术研发日：2015.12.23
技术公布日：2017.03.22