1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：
在半导体衬底之上形成绝缘膜；
在所述绝缘膜上形成导电膜；
在所述导电膜上形成介电膜，所述介电膜包括铁电体；
在所述介电膜上以一定间隔形成多个上电极；
通过溅射法在所述上电极和所述介电膜上形成第一保护性绝缘膜；
通过原子层沉积法在所述第一保护性绝缘膜上形成第二保护性绝缘膜，从而用所述第二保护性绝缘膜填充沿着所述介电膜的晶界产生的间隙；以及
在所述第二保护性绝缘膜形成后，使所述导电膜形成图案以提供下电极，从而形成包括所述上电极、所述介电膜和所述下电极的铁电电容器。
2.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，所述方法还包括：
在所述第二保护性绝缘膜上以及在所述介电膜的侧表面上形成第三保护性绝缘膜。
3.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，所述方法还包括：
在形成所述铁电电容器以后加热所述半导体衬底。
4.根据权利要求3所述的制造半导体器件的方法，其中，加热所述半导体衬底在含氧环境中进行。
5.根据权利要求4所述的制造半导体器件的方法，所述方法还包括：
在所述铁电电容器上形成层间绝缘膜，其中
加热所述半导体衬底在形成所述层间绝缘膜之后进行。
6.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中
使所述导电膜形成图案包括：
在所述第二保护性绝缘膜上形成抗蚀膜；以及
在所述抗蚀膜的侧表面缩减的蚀刻条件下，蚀刻所述导电膜、所述第一保护性绝缘膜和所述第二保护性绝缘膜的一部分，所述部分未覆盖有所述抗蚀膜，从而使所述导电膜留下而没有被蚀刻以作为所述下电极，以及
所述第一保护性绝缘膜和所述第二保护性绝缘膜的总体膜厚度被设定为一厚度，当所述蚀刻完成时，该厚度允许所述第一保护性绝缘膜和所述第二保护性绝缘膜中的至少一者保留在位于所述多个上电极之间的空间中的所述介电膜上。
7.一种半导体器件，包括：
绝缘膜，形成在半导体衬底之上；
下电极，形成在所述绝缘膜上；
介电膜，形成在所述下电极上，所述介电膜包括铁电体并具有沿所述介电膜的晶界形成的间隙；
多个上电极，以一定间隔形成在所述介电膜上，从而与所述下电极和所述介电膜一起形成铁电电容器；
第一保护性绝缘膜，形成在所述介电膜的除了所述间隙之外的部分上和所述上电极上；以及
第二保护性绝缘膜，形成在所述第一保护性绝缘膜上和位于所述间隙中的所述介电膜上，使得所述间隙被所述第二保护性绝缘膜填充。
8.根据权利要求7所述的半导体器件，还包括：
第三保护性绝缘膜，形成在所述第二保护性绝缘膜上和所述介电膜的侧表面上。
9.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述第一保护性绝缘膜没有形成在所述间隙的下部处。
10.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述第一保护性绝缘膜形成为突出所述间隙的上部处的开口端。