电介质材料以及包括电介质材料的电容器的制作方法

本发明涉及电介质材料、包括电介质材料的电容器以及制造电介质材料和电容器的方法。
背景技术：
：在某些应用中，尤其在汽车、航空航天以及石油和天然气行业内使用的电容器可能常规地暴露于高达200℃的温度。常规电容器的电容随着温度显著地变化，使得它们不适合在高温环境中使用。因此，提供具有提高的高温性能的电容器是合乎需要的。电容还可以随所施加的电压而变化。例如，当施加电压时，具有100nF标称电容的常规电容器实际上可能在仅20nF下工作。提供对所施加的电压的影响具有降低的灵敏度的电容器是合乎需要的。低耗散因数(或者损耗)是电容器的有用特性(尤其在用于AC应用时)。然而，该性质通常被局限于低电容C0G型电容器并且在较高电容X7R或者X8R范围中不可用。已经为提供在高温下具有提高的性能的电容器进行了各种尝试。国际专利申请公开号WO2013/144637提供了包括由高能量密度电介质材料形成的间隔元件的高容量电容器。电介质材料包括掺杂的铁酸铋。掺杂剂包括锶和钛。掺杂剂具有增大铁酸铋的饱和极化与剩余极化之间的差以及减少电荷泄漏的作用，使得铁酸铋成为用于高能量密度电容器的合适材料。掺杂的铁酸铋呈现良好的温度稳定性。为了提高常规电容器的可靠性也进行了各种尝试。国际专利申请公开号WO2013/186172提供包括第一和第二部件的电容结构，至少一个部件包括多个电容性电介质层，每个层布置在不同极性的电极之间，其中第一和第二部件布置在由应力减小层分隔的叠层中，该应力减小层具有带开放网孔的支撑结构，在该开放网孔中，空气作用以减小裂纹穿过应力减小层的传递性。本发明旨在提供具有提高的效率、较低损耗和对温度以及所施加的电压灵敏度较小的电容器。技术实现要素：在一个方面中，本发明提供了根据权利要求1所述的电介质材料。电介质材料适合于在电子部件中使用。电介质材料包括铁酸铋、钛酸锶和添加剂。添加剂包括钛酸钡。在另一个方面中，本发明提供根据权利要求18所述的电容器。电容器包括第一电极、第二电极以及设置在第一电极与第二电极之间的电容性层。电容性层包括本发明的电介质材料。在另一个方面中，本发明提供了根据权利要求36所述的制造电介质材料的方法。方法包括提供粉末(powder)组成物和烧结粉末组成物以形成电介质材料。粉末组成物包括铁酸铋、钛酸锶和添加剂。至少一个添加剂包括钛酸钡。在另一个方面中，本发明提供了根据权利要求57所述的制造电容器的方法。方法包括提供第一电极、沉积包括粉末组成物的浆料(slurry)以用于形成电容性层、沉积第二电极以及烧结所产生的结构以形成电容器。粉末组成物包括铁酸铋、钛酸锶和添加剂。添加剂包括钛酸钡。在另一个方面中，本发明提供根据权利要求85所述的用途。本发明提供了添加剂的用途，用以提高电容器的寿命和/或减小电容器的耗散因数。添加剂是电容器的电容性层中设置的电介质材料的组分。电容性层包括钛酸锶和铁酸铋。添加剂包括钛酸钡。从下文提供的描述中，本发明另外的可应用区域将变得显而易见。应当理解，具体示例的详细描述尽管指示本发明的优选实施例，但是旨在仅用于例示目的以及不旨在限制本发明的范围。本发明的范围由所附权利要求限定。附图说明下面参照附图对本发明的实施例进行描述，在附图中：图1是电容器的示意图；图2是多层电容器的示意图；图3是具有应力减小层的多层电容器的示意图；图4是残余K相对于对使用一系列电介质材料构建的电容器施加的电压的曲线图；图5是电容变化相对于包括各种电介质材料的一系列电容器的温度的曲线图；图6是电容变化相对于在25℃下对使用各种电介质材料构建的一系列电容器施加的电压的曲线图；图7是随着在125℃下对使用一系列电介质材料构建的电容器施加的电压的电容变化的曲线图；以及图8示出了作为温度的函数的一系列电容器的耗散因数。具体实施方式除非另有指定，此处以及本说明书中其它地方表达的所有百分比和数量应当理解为指代重量百分比。应当理解，此处表达的数字值的测量受实验不确定性影响。数字值可以被测量到在±10％内，以及优选地在±1％内。在一个方面中，本发明提供适合于在电子部件中使用的电介质材料。本发明的电介质材料尤其非常适合于在电容器的电容性层中使用。提供具有高能量密度的电容器是合乎需要的。电容器存储电荷的能力主要受电容器中存在的电介质材料的性质主导。当材料暴露于电场时，它被极化。期望电介质材料是可高度极化的。相对介电常数K(即，材料相对于真空介电常数的介电常数)是提供材料被极化的能力的量度的无量纲参数。如此处使用的，术语“相对介电常数”和“介电常数”可互换。电介质材料理想地具有高K。材料在静电场(即，暴露于DC电流)中的相对介电常数被称为静态相对介电常数。材料在AC电场中的相对介电常数是电场的频率的函数。本文报告的K值是使用在1kHz的交流电场频率和1V的均方根电压下工作的电容计测量的。对电容器施加的电压是0V。K值可以随温度变化。除非另有指定，在本发明的上下文中，K值是在室温(大约20至25℃)下测量的。电容器存储电荷的能力根据所施加的电压而变化。在本发明的上下文中，电容器对所施加电压的响应由其残余K进行量化。通过将给定电压下的电容变化乘以0伏特下测量的K以获得残余K。残余K可以被计算如下：残余其中Cv是在每微米V伏特的施加电压下测量的电容器的电容，以及C0是在0伏特下测量的电容器的电容。例如，在V的施加电压下损耗其电容的50％的具有3000的K的电容器将具有1500的残余K。本发明的电介质材料包括铁酸铋、钛酸锶和添加剂。添加剂包括钛酸钡。在没有添加剂或者掺杂剂的情况下，铁酸铋(BiFeO3)具有高剩余极化。在电介质材料中包括钛酸锶(SrTiO3)掺杂剂降低剩余极化，以及由此提高材料的能量存储能力。令人惊讶地，已经发现，包括钛酸钡(BaTiO3)还增强电介质材料的性质。特别地，钛酸钡降低材料的温度电容变化以及允许增大工作电压。包括钛酸钡可以使得材料与X7R或者X8R规范的要求一致。如此处使用的，如由EIA定义术语X7R和X8R。X7R电容器将其电容维持在其室温值的15％内直到125℃。X8R电容器在150℃下将其电容维持在其室温值的15％内。本发明的电介质材料可以是陶瓷材料。可以根据材料的期望使用选择材料中存在的铁酸铋、钛酸锶和添加剂的量。应当相信，改变添加剂的相对量将影响电介质材料对温度变化的响应。可以通过构建包括电介质材料的电容器以及根据温度测量电容器的电容以研究温度响应。钛酸锶按重量可以存在于材料中的量的范围为45％至75％以及优选地为55％至65％。铁酸铋按组成物的重量可以存在于材料中的量为至少5％，按重量可以存在于材料中的量的范围优选地为10％至50％以及最优选地为20％至30％。钛酸钡按重量可以存在于材料中的量上至50％。优选地，钛酸钡按重量存在于材料中的量的范围为5％至25％以及更优选地为18％至22％。本发明的电介质材料可选地包括一个或者多个另外的添加剂。锰是特别优选的另外的添加剂。已经发现锰进一步地增强电介质材料的性质。锰按重量可以存在于材料中的量为至少0.1％，以及按重量可以存在于材料中的量的范围优选地为0.25％至0.75％、更优选地为0.4％至0.6％。最优选地，锰按重量存在的量为大约0.5％。锰的形式可选地为碳酸锰、氧化锰等等。一个或者多个另外的添加剂可选地包括从X7R或者X8R电容器的电容性层中使用的添加剂中选择的一种或者多种添加剂。本领域技术人员将熟悉X7R和X8R材料的配制。下面提供了X7R和X8R材料中使用的添加剂的非限制性示例。应当理解，可以使用其它X7R或者X8R添加剂。X7R和X8R材料可以包括稀土金属。术语“稀土金属”指的是从钪、钇、镧、铈、镨、钕、钷、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱和镥中选择的金属。稀土金属优选地为钕。当前在X7R或者X8R材料中使用的其它组分包括钴、镁、锌、硼、钙和铌。另外的添加剂作为氧化物、碳酸盐等等供应。可以调节另外的添加剂的量以适应电介质材料的性质。例如，稀土金属按组成物的重量可以存在于电介质材料中的量小于5％。优选地，稀土金属按重量存在的量为0.2至1.5％。优选地，本发明的电介质材料不包括铅。在本发明的电介质材料中可以存在另外的添加剂的不同组合。可以选择另外的添加剂以调节电介质材料的性质。在一个实施例中，另外的添加剂包括钕和镁。优选地，钕按重量存在于电介质材料中的量的范围为0.2至1.5％。优选地，镁按重量存在于电介质材料中的量的范围为0.2至1.5％。在另一个实施例中，另外的添加剂包括钕、铌、锌和硅。在另一个实施例中，另外的添加剂包括铌、铋、钙和硅。优选地，本发明的电介质材料是杂化(hybrid)材料。通过制备至少两个电介质材料的粉末、使粉末混合以及烧结所产生的混合物以制备杂化材料。第一电介质材料可以包括铁酸铋和钛酸锶。第二电介质材料可以是X7R材料或者X8R材料。在本发明的实践中有用的X7R或者X8R材料包括钛酸钡。在优选实施例中，烧结步骤作为方法的一部分实施以用于制造包括本发明的电介质材料的电容器，使得原位形成电介质材料。在该实施例中，烧结步骤还可以用于形式电容器的电极。可选地，使粉末与载体混合，以允许粉末通过例如丝网印刷(screenprinting)进行沉积。本领域技术人员将熟悉用于丝网印刷工艺的合适载体。在一个实施例中，电介质材料包括大约67％的钛酸锶、大约22.5％的铁酸铋、大约10％的钛酸钡和大约0.5％的锰。在另一个实施例中，电介质材料包括大约67％的钛酸锶、大约22.5％的铁酸铋、0.5％的锰和大约10％的X7R组成物。X7R组成物可以包括94％的钛酸钡、2％的氧化铌、1.5％的氧化铋、1％的碳酸钙、1％的碳酸锰和0.5％的氧化硅。可替代地，X7R组成物可以包括大约94％的钛酸钡、大约2.5％的氧化钕、大约1.5％的氧化锌、大约1％的氧化铌和大约1％的氧化硅。优选地，该实施例的电介质材料是杂化电介质材料。在另一个实施例中，电介质材料包括大约63％的钛酸锶、大约26.6％的铁酸铋、大约0.4％的锰和大约10％的X7R组成物。X7R组成物可以包括94％的钛酸钡、大约2％的氧化铌、大约1.5％的氧化铋、大约1％的碳酸钙、大约1％的碳酸锰和大约0.5％的氧化硅。可替代地，X7R组成物可以包括大约94％的钛酸钡、大约2.5％的氧化钕、大约1.5％的氧化锌、大约1％的氧化铌和大约1％的氧化硅。优选地，该实施例的电介质材料是杂化电介质材料。在另一个的实施例中，电介质材料包括大约56％的钛酸锶、大约23.6％的铁酸铋、大约0.4％的锰和大约20％的X7R组成物。X7R组成物可以包括94％的钛酸钡、大约2％的氧化铌、大约1.5％的氧化铋、大约1％的碳酸钙、大约1％的碳酸锰和大约0.5％的氧化硅。可替代地，X7R组成物可以包括大约94％的钛酸钡、大约2.5％的氧化钕、大约1.5％的氧化锌、大约1％的氧化铌和大约1％的氧化硅。优选地，该实施例的电介质材料是杂化电介质材料。在另一个实施例中，电介质材料包括大约65.6％的钛酸锶、大约24％的铁酸铋、大约0.4％的锰和大约10％的X7R组成物。X7R组成物可以包括94％的钛酸钡、大约2％的氧化铌、大约1.5％的氧化铋、大约1％的碳酸钙、大约1％的碳酸锰和大约0.5％的氧化硅。可替代地，X7R组成物可以包括大约94％的钛酸钡、大约2.5％的氧化钕、大约1.5％的氧化锌、大约1％的氧化铌和大约1％的氧化硅。优选地，该实施例的电介质材料是杂化电介质材料。本发明提供了制造电介质材料的方法。方法包括制备粉末混合物和烧结混合物以形成电介质材料的步骤。粉末混合物包括钛酸锶、铁酸铋和至少一个添加剂。至少一个添加剂包括钛酸钡。优选地，在制造电容器期间原位形成电介质材料。烧结包括将微粒材料加热至低于材料熔点的温度，从而通过原子扩散使颗粒熔融。烧结技术是本领域中已知的。在本发明的方法中，优选地在950至1150℃的范围中的温度下执行烧结。粉末的颗粒大小可以是与烧结工艺相容的任何颗粒大小。如此处使用的，术语“颗粒大小”指的是如由激光衍射光谱法测量的平均颗粒直径。典型地，颗粒大小将在10nm至5μm的范围中，以及优选地为200nm至2μm。粉末混合物可以包括钛酸锶的粉末、铁酸铋的粉末和至少一个添加剂的粉末。可替代地，粉末混合物可以包括电介质材料(包括钛酸锶和铁酸铋)的粉末和至少一个添加剂的粉末。钛酸钡、钛酸锶和铁酸铋的量可以变化。钛酸钡典型地按重量存在于粉末组成物中的量上至50％、优选地为5％至25％以及最优选地为18％至22％。钛酸锶典型地按重量存在于粉末组成物中的量的范围为45％至75％以及优选地为55％至65％。粉末组成物优选地包括锰。可以以与烧结工艺相容的任何形式供应锰。例如，锰可以作为金属锰、氧化锰、碳酸锰等等供应。锰按重量可以存在于粉末混合物中的量为0.1％至0.75％以及优选地为大约0.5％。如上所述，粉末组成物可选地包括从X7R或者X8R电容器的电容性层中使用的添加剂中选择的一种或者多种添加剂。可以以任何适当的形式(诸如氧化物、碳酸盐等等)供应添加剂。优选地，电介质材料被制备为杂化材料。在该实施例中，粉末组成物包括包含钛酸锶和铁酸铋的第一陶瓷材料的第一粉末以及包含X7R或者X8R材料的第二粉末。在本发明的实践中有用的X7R或者X8R材料包括钛酸钡以及一种或者多种掺杂剂。本领域技术人员将熟悉X7R和X8R材料的配制。优选的X7R材料包括大约94％的钛酸钡、大约2％的氧化铌、大约1.5％的氧化铋、大约1％的碳酸钙、大约1％的碳酸锰和大约0.5％的氧化硅。可替代的X7R材料包括大约94％的钛酸钡、大约2.5％的氧化钕、大约1.5％的氧化锌、大约1％的氧化铌和大约1％的氧化硅。在另一个方面中，本发明提供电容器(100)，包括第一电极(12)、第二电极(14)以及设置在第一电极(12)与第二电极(14)之间的电容性层(16)，如上所述，其中电容性层(16)包括本发明的电介质材料。如图2所示，电容器的形式可以是多层电容器(200)。多层电容器由相应电极对之间形成的多个电容性层20a、20b等等形成。例如，层20a位于电极22a、22b之间以及层20b位于电极22b、22c之间，等等。在图示结构中，可替代电极固定至相应端接盖24a、24b。每个电容性层的厚度指示为d。在电容性层的组合厚度不构成电容器的整个深度的情况下，可以提供主体层(图示为26a和26b)。电容器的总深度可以例如由需要的外部封装大小确定。电容性层由如上所述本发明的电介质材料形成。电极可以由合适的贵金属或者碱金属形成。端接盖24a、24b包括可以具有电镀银、电镀铜、Pd/Ag或者任何合适材料的端接材料。优选地，端接材料包括银和环氧聚合物。可选地，提供多层电容器作为如图3所示以及WO2013/186172中描述的电容性结构(300)的部件。电容性结构可以包括多层电容器和第二部件，其中多层电容器和第二部件布置在由应力减小层(30)分隔的叠层中，应力减小层(30)具有带开放网孔的支撑结构，在该开放网孔中，空气作用以减小裂纹穿过应力减小层的传递性。第二部件可以是电容器、变阻器或者电感部件。电容器的结构可以根据所需要的电容值和最大工作电压而变化。一个或者多个电容性层的厚度可以在10μm至200μm、优选地10μm至100μm、更优选地20μm至70μm的范围中。如果电容器是多层电容器，则电极的数量可以变化。电极的数量是任何合适的数量，但典型地在20个与100个之间以及可以扩展至高达300个。主体层的厚度(如果存在)可以在65与200μm之间，以及更优选地在70与150μm之间。电容器的整体尺寸可以根据本领域已知的标准实践而变化。例如，电容器可以具有在下列范围中的尺寸：至少1mm的长度以及可选地3.2mm至20.5mm或者2至25mm的范围中的长度；至少0.5mm的宽度以及可选地1.6mm至15.5mm或者1mm至20mm的范围中的宽度；以及至少0.5mm的深度，以及可选地1.6mm至4mm的范围中或者上至最大5mm的深度。电容器的一个实施例具有5mm的宽度、5.7mm的长度和2.6mm或者3.2mm的厚度。本发明的电容器可以可操作地链接到电动机。电动机可选地是电动车辆或者混合动力车辆的传动系(drivetrain)的一部分。本发明的电容器可以可操作地链接到集成电路。集成电路可以是传感器系统、光伏电池等等的部件。本发明的电容器优选地遵照X7R或者X8R行业标准。本发明的电容器典型地具有小于或等于3％或者小于或等于1％或者小于或等于0.4％或者最优选地小于或等于0.2％的耗散因数。耗散因数是使用在1kHz的频率和1V的均方根电压下的交流电流测量的。在另一个方面中，本发明提供制造电容器的方法。方法包括提供第一电极、沉积包括粉末组成物的浆料以用于形成电容性层、沉积第二电极；以及烧结所产生的结构以形成电容器，其中粉末组成物包括铁酸铋、钛酸锶和添加剂，以及其中添加剂包括钛酸钡。电容器被形成为一系列层。将一层粉末组成物放到第一电极上(其可以包括例如通过丝网印刷的若干分层步骤)、允许干燥以及形成电极层。如果电容器是静电电容器，则沉积随后的粉末组成物层和另外的电极层。如果电容器是包括应力消除层的静电电容器，则设置包括碳和基底陶瓷材料的混合物的混合层。随后可以以与下部部件类似的方式形成电容性结构的上部部件。烧结步骤使层干燥以及原位形成电介质材料。烧结步骤烧掉碳以形成多孔应力消除层。制造电容器的方法优选地包括两个或者更多个材料的杂化。应当相信，杂化产生具有特别有用性质(诸如，提高的耗散因数和提高的对较高电压的容限)的电介质材料。杂化包括制备两个或者更多个电介质材料的粉末(可选地通过研磨)、使粉末混合以及烧结所产生的混合物。优选地，在制造电容器期间原位烧结混合物。可以通过选择粉末组成物的组分实现杂化。例如，粉末组成物可以包括第一陶瓷材料的第一粉末，第一陶瓷材料包括铁酸铋和钛酸锶；以及第二陶瓷材料的第二粉末，第二陶瓷材料包括钛酸钡。第二陶瓷材料可以基本上由钛酸钡组成，但优选地包括一种或者多种掺杂剂。最优选地，第二陶瓷材料是X7R材料或者X8R材料。优选的X7R材料包括大约94％的钛酸钡、大约2％的氧化铌、大约1.5％的氧化铋、大约1％的碳酸钙、大约1％的碳酸锰和大约0.5％的氧化硅。可替代X7R材料包括大约94％的钛酸钡、大约2.5％的氧化钕、大约1.5％的氧化锌、大约1％的氧化铌和大约1％的氧化硅。优选地，粉末组成物还包括第三电介质材料的第三粉末，其中第三陶瓷材料包括铁酸铋和钛酸锶，以及其中陶瓷材料中存在的铁酸铋和钛酸锶的量不同于第二电介质材料中存在的铁酸铋和钛酸锶的量。第二陶瓷材料按重量可以存在于粉末组成物中的量的范围为5％至25％以及优选地为8％至12％或者18％至22％。第一陶瓷材料按重量包括的钛酸锶的量的范围优选地为75％至85％，以及第三陶瓷材料按重量包括的钛酸锶的量的范围优选地为55％至65％。第一陶瓷材料和第三陶瓷材料中的每一个按重量包括的锰的量优选地为至少0.1％以及按重量包括的锰的量的范围优选地为0.25％至0.75％。在另一个方面中，本发明提供添加剂的使用以提高电容器的寿命和/或减小电容器的耗散因数，其中添加剂是电容器的电容性层中设置的电介质材料的组分，其中电容性层包括钛酸锶和铁酸铋，以及其中添加剂包括钛酸钡。在下列示例中对本发明进行了进一步描述。应当理解，出于例示目的提供示例。本发明的范围由权利要求限定。示例示例1：电容器的制备根据标准实验协议制备包括表格1中所示电介质材料的电容器。通过丝网印刷将用于形成电极和电容性层的组成物顺序地沉积到适当的衬底上。随后烧结所产生的结构以形成电容器。为了产生杂化材料，将组成材料研磨和混合以产生用于形成电容性层的材料。表格1：电容器中使用的材料对比材料A、B和C是如在国际专利申请公开号2013/144637中描述的材料。对比材料D、E和F分别地是可商业获得的高K、中K和稳定的X7R材料。材料1至5是根据本发明的材料。示例2：K和残余K对根据示例1产生的电容器的相对介电常数K和残余K进行表征。电容器的K值是在没有施加的电压的情况下测量的。确定了在各种施加的电压下的电容值。电容值是使用在1kHz的频率下的交流电流测量的。在25℃的温度下执行所有测量。根据下面的公式计算残余K：残余在图4中示出了残余K随所施加电压的变化。下面在表格2中示出了在10V/μm的施加电压下测量的K值和残余K值。表格2：示例1的电容器的K和残余K值上面呈现的数据展示本发明的电容器与使用常规X7R材料构建的电容器相比响应于所施加的电压而示出的电容减小较少。示例3：温度电容变化根据温度测量根据示例1产生的电容器的电容。电容是使用在1kHz的频率和1V的均方根电压下的交流电流确定的。这些实验的结果在表格3中展示以及在图5中进一步图示。为了提供电容器在整个温度范围内的总体性能的量度，计算的是平均百分比变化。在200℃下由于部件故障而不可以进行测量，因此没有为对比电容器E和F计算结果。表格3：各种电容器的温度电容变化发现根据本发明的电容器与对比电容器相比对温度的响应有所改进。如预计的，包括对比材料E和F的电容器在200℃下不起作用，使得这些电容器不适合在高温下使用。包括本发明的材料的电容器在所研究的温度范围内经受较小的电容平均变化，表明它们与现有技术的电容器相比温度响应有所提高。由于电容器将在很宽的温度范围内表现一致，因此使用本发明的电容器构建的器件将因此具有提高的可靠性。示例4：电压电容变化电容可以随所施加的电压而变化。因此在25℃下以及在125℃下研究根据示例1产生的电容器对变化的施加电压的响应。分别地在图6和图7中呈现所获得的数据。如图6所示，根据本发明产生的电容器与使用常规材料构建的对比电容器D至F相比随所施加的电压的电容变化较小。根据本发明的电容器因此比常规材料更适合高电压应用。图6示出了本发明的电容器的电压电容变化与对比电容器A和C的电压电容变化相似。在所有情况下注意到对比电容器B的异常表现。示例5：耗散因数耗散因数是对电容器施加交流电流时能量损耗率的量度。使用等式1计算耗散因数：DF=σϵω2C]]>其中σ是电介质的体电导率，ω是交流电流的角频率，ε是电介质的介电常数以及C是电容器的电容。在本公开的上下文中，耗散因数是在1kHz的交流电流频率和1V的均方根电压下测量的。使用LCR表记录电容。在表格4中呈现所获得的数据。表格4：各种电容器的耗散因数电容性层中存在材料Df％对比材料A0.3对比材料B2.6对比材料C0.4对比材料D0.8对比材料E1.3材料10.2材料20.25材料30.35材料40.27材料50.18本发明的电容器的耗散因数小于使用常规材料构建的电容器的耗散因数。这表明本发明的电容器具有提高的效率。示例6：耗散因数随温度的变化为了表征电容器对温度变化的响应，在-55℃至200℃的温度范围内进行一系列耗散因数测量。在图8中呈现这些实验的结果。数据表明在-55℃至125℃的温度范围内本发明的电容器与对比电容器相比耗散因数更低。使用对比材料D和F构建的电容器看起来在大约125℃以上示出低耗散因数。然而，对比材料D和F是X7R材料，以及不额定为高于125℃的温度，以及如在示例3中表明的，当使用对比材料F构建的电容器暴露于高温下时，发生部件故障。因此认为高于125℃的对比材料D和F的结果是错误的。与对比电容器所显示的效率随温度显著变化相反，本发明的电容器的耗散因数在-15℃至150℃的范围内基本上恒定。本发明的电容器因此非常适合于可能遭受温度变化的应用。本发明的电容器因此可以允许构建可靠性更高的电路和器件。当前第1页1 2 3