1.一种碳化硅半导体装置，其特征在于，具备：
碳化硅基板；
形成在所述碳化硅基板上的栅极绝缘膜；以及
形成在所述栅极绝缘膜上的多晶硅电极，
在所述多晶硅电极中含有选自N、P、As、Sb、B、Al、Ar中的1种或2种以上掺杂剂，
被所述多晶硅电极的与栅极绝缘膜接触的下表面和所述多晶硅电极的侧面所夹的下端部的第一倾斜角为60°以下。
2.根据权利要求1所述的碳化硅半导体装置，其特征在于，被所述多晶硅电极的上表面与所述多晶硅电极的侧面所夹的肩部所形成的第二倾斜角为100°以上的钝角，所述多晶硅电极的上表面对应于多晶硅电极的与栅极绝缘膜接触的面的背面侧。
3.根据权利要求1或2所述的碳化硅半导体装置，其特征在于，所述掺杂剂相对于所述多晶硅电极的含量为1×1014/cm2以上且1×1021/cm2以下。
4.一种碳化硅半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：
在碳化硅基板上形成栅极绝缘膜的工序；
在所述栅极绝缘膜上形成多晶硅膜的工序；
将选自N、P、As、Sb、B、Al、Ar中的1种或2种以上掺杂剂以离子方式注入到所述多晶硅膜的工序；
在所述多晶硅膜上选择性地形成掩模的工序；
利用各向同性干式蚀刻除去所述多晶硅膜的露出部分而形成多晶硅电极的工序；
除去所述掩模的工序；以及
在所述多晶硅电极上形成层间绝缘膜的工序。
5.一种碳化硅半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：
在碳化硅基板上形成栅极绝缘膜的工序；
在所述栅极绝缘膜上形成多晶硅膜的工序；
将选自N、P、As、Sb、B、Al、Ar中的1种或2种以上掺杂剂以离子方式注入到所述多晶硅膜的工序；
除去所述多晶硅膜的表面层厚度50nm以上到300nm以下的工序；
在所述多晶硅膜上选择性地形成掩模的工序；
利用各向同性干式蚀刻除去所述多晶硅膜的露出部分而形成多晶硅电极的工序；
除去所述掩模的工序；以及
在所述多晶硅电极上形成层间绝缘膜的工序。
6.根据权利要求4或5所述的碳化硅半导体装置的制造方法，其特征在于，在将所述掺杂剂以离子方式注入到所述多晶硅膜的工序中，
所述掺杂剂的注入量的总量为1×1014/cm2以上且1×1021/cm2以下。
7.根据权利要求4或5所述的碳化硅半导体装置的制造方法，其特征在于，在将所述掺杂剂以离子方式注入到所述多晶硅膜的工序中，
所述掺杂剂的离子注入角度为60°以下。
8.根据权利要求4或5所述的碳化硅半导体装置的制造方法，其特征在于，在对所述多晶硅膜进行各向同性干式蚀刻的工序中，将碳化硅基板保持在50℃以上。
9.根据权利要求4或5所述的碳化硅半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述多晶硅电极上形成层间绝缘膜的工序中，将层间绝缘膜的形成温度设为900℃以下。