1.一种用于热处理基板的装置，所述装置包括：
脉冲电磁能量源，所述脉冲电磁能量源以至少100Hz的频率发出脉冲；
可移动基板支撑件；
光学系统，所述光学系统设置于所述电磁能量源及所述可移动基板支撑件之间，所述光学系统包含将电磁能量的这些脉冲塑形成矩形分布的部件；及
控制器，所述控制器经构造以：
命令所述电磁能量源以选定的脉冲频率产生电磁能量脉冲；及同时
命令所述可移动基板支撑件以选定的速度在平行于所述矩形分布的选定的边缘的方向上进行扫描，使得沿着平行于所述选定的边缘的直线上的每个点接收预定数量的电磁能量脉冲。
2.如权利要求1所述的装置，其中所述这些电磁能量脉冲包括532纳米的电磁能量。
3.如权利要求1所述的装置，其中所述这些电磁能量脉冲包括每平方厘米至少250兆焦耳的能量密度。
4.如权利要求3所述的装置，其中每一点接收能量脉冲持续的累积时间在750纳秒和1000纳秒之间。
5.如权利要求1所述的装置，其中所述脉冲频率为每秒10000脉冲。
6.如权利要求1所述的装置，其中所述选定的速度为每秒1米。
7.如权利要求1所述的装置，其中所述矩形分布界定出第一维度及第二维度，其中所述第一维度与所述基板的截面维度实质相等，其中所述第二维度与所述第一维度垂直，且其中所述第二维度小于所述第一维度。
8.如权利要求1所述的装置，其中所述控制器命令所述可移动基板以所述选定的速度在所述电磁能量源产生电磁能量脉冲的周期期间及周期之间进行扫描。
9.一种处理基板的方法，所述基板上包含多个晶片，所述方法包括：
穿过脉冲激光源的光学路径扫描所述基板；及同时
输送多个激光脉冲至所述基板，使得所述多个激光脉冲的第一脉冲的照明面积与所述多个激光脉冲的第二脉冲的照明面积重叠，其中所述多个激光脉冲的每个脉冲具有小于约100纳秒的持续时间且所述基板上所述多个晶片上的每个位置接收每脉冲至少约250mJ/cm2的照明能量。
10.如权利要求9所述的方法，其中扫描所述基板的步骤包括：以所述基板在所述脉冲激光源的所述光学路经中没有任何晶片的部分初始化所述扫描。
11.如权利要求9所述的方法，其中脉冲激光源的所述光学路径具有第一维度，所述第一维度与所述基板上分隔相邻晶片列的切口中线之间的距离实质相等，且其中穿过所述脉冲激光源的所述光学路径扫描所述基板的步骤包括：将所述基板上的晶片列与所述光学路径对齐，且沿着所述基板上的所述晶片列扫描所述基板。
12.如权利要求9所述的方法，其中脉冲激光源的所述光学路径具有第一维度，所述第一维度与所述基板上穿过多个晶片列的切口中线之间的距离实质相等，且其中穿过所述脉冲激光源的所述光学路径扫描所述基板的步骤包括：将所述基板上的多个晶片列与所述光学路径对齐，且沿着所述基板上的所述多个晶片列扫描所述基板。
13.如权利要求9所述的方法，其中所述多个激光脉冲的所述持续时间在60纳秒和80纳秒之间。
14.如权利要求9所述的方法，其中扫描所述基板的步骤：以某速率扫描所述基板，使得所述基板上的所述多个晶片上的每一位置接收至少10个激光脉冲。
15.如权利要求9所述的方法，其中扫描所述基板的步骤：以至少1m/sec的速率扫描所述基板。