薄膜晶体管及显示面板的制作方法

文档序号:11161546阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种薄膜晶体管,其特征在于,包括:

栅极电极,形成于基板的表面;

多晶硅层,形成于上述栅极电极的上侧;

非晶硅层,形成为覆盖上述多晶硅层;

n+硅层,形成于上述非晶硅层的上侧;以及

源极电极和漏极电极,形成在上述n+硅层上;

将上述多晶硅层、上述源极电极及上述漏极电极投影在上述基板表面的投影状态下,上述多晶硅层的一部分与上述源极电极的一部分和上述漏极电极的一部分重叠,

在上述投影状态下位于上述源极电极和上述漏极电极之间的上述多晶硅层的、与上述源极电极和上述漏极电极之间的长度方向正交的宽度方向上的最小尺寸小于上述源极电极和上述漏极电极的上述宽度方向上的尺寸。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管,其特征在于,

在上述投影状态下,上述多晶硅层与上述源极电极和上述漏极电极中的至少一方经由一个或多个上述宽度方向上的分界线重叠,

上述多晶硅层和上述源极电极的分界线的全长或者上述多晶硅层和上述漏极电极的分界线的全长小于上述源极电极或上述漏极电极的上述宽度方向上的尺寸。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管,其特征在于,

上述多晶硅层和上述源极电极的分界线的全长相对于上述源极电极的上述宽度方向上的尺寸的比率,或者上述多晶硅层和上述漏极电极的分界线的全长相对于上述漏极电极的上述宽度方向上的尺寸的比率,大于0.1且小于0.7。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的薄膜晶体管,其特征在于,

上述非晶硅层,包括:

第一非晶硅层,形成于上述多晶硅层的周围,具有与上述多晶硅层相同程度的厚度;以及

第二非晶硅层,形成于上述多晶硅层和上述第一非晶硅层的表面。

5.一种显示面板,其特征在于,

包括权利要求1至4中任一项所述的薄膜晶体管。

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