技术总结
本发明的目的在于，在半导体器件的制造方法中，能够在对铝浆料进行烧成来形成电极时，防止电极与硅层或基材的电极区域的电气接触恶化这样的问题，并且使钝化层的贯通孔的最小直径变小由此防止钝化层能担负的功能的损失。此外，本发明的目的在于，提供这样做而得到的半导体器件。制造半导体器件的本发明的方法包括在具有钝化层（18）的硅层或基材（15）上形成通过钝化层的贯通孔与硅层或基材的电极区域（15a）电气接触的电极（12）。在此，在该方法中，通过贯通孔在电极区域涂敷铝浆料，然后对铝浆料进行烧成，由此，形成电极。此外，在该方法中，贯通孔的最小直径为50μm以下，并且电极区域的表面掺杂剂浓度为7×1018原子/cm3以上，或者电极区域的薄层电阻值为70Ω以下。
技术研发人员：井上由香;池田吉纪;今村哲也
受保护的技术使用者：帝人株式会社
文档号码：201580046174
技术研发日：2015.08.27
技术公布日：2017.05.10