1.一种用于测量辐射强度及温度的测量晶片设备，其包括：
晶片组合件，其包含一或多个空腔；及
检测器组合件，所述检测器组合件的至少一部分安置于所述晶片组合件的所述一或多个空腔内，所述检测器组合件包含一或多个光传感器，所述检测器组合件经配置以执行对入射于所述晶片组合件的至少一个表面上的紫外光的强度的直接测量或对入射于所述晶片组合件的所述至少一个表面上的紫外光的所述强度的间接测量中的至少一者，其中所述检测器组合件进一步经配置以在测量入射于所述晶片组合件的所述至少一个表面上的所述紫外光的所述强度后基于所述一或多个光传感器的一或多个特性确定所述晶片组合件的一或多个部分的温度。
2.根据权利要求1所述的设备，其中所述晶片组合件包括：
衬底；及
盖，其可操作地耦合到所述衬底的一部分。
3.根据权利要求1所述的设备，其中所述检测器组合件包含：
一或多个光致发光元件，其经配置以将紫外光转换为可见光，其中所述一或多个光传感器经配置以通过测量由所述一或多个光致发光元件发射的可见光的强度而执行对入射于所述一或多个光致发光元件上的紫外光的所述强度的间接测量。
4.根据权利要求3所述的设备，其中所述检测器组合件包含：
一或多个导光元件，其安置于所述一或多个空腔内，其中所述一或多个导光元件经配置以将由所述一或多个光致发光元件发射的可见光传输到所述一或多个光传感器。
5.根据权利要求1所述的设备，其中所述一或多个光传感器经配置以执行对入射于所述一或多个光传感器上的紫外光的所述强度的直接测量。
6.根据权利要求1所述的设备，其中所述一或多个光传感器的所述一或多个特性包括：
所述一或多个光传感器的电特性或强度特性中的至少一者。
7.根据权利要求6所述的设备，其中所述电特性包括：
在已知电流下测量的跨越所述一或多个光传感器的正向电压。
8.根据权利要求6所述的设备，其中所述强度特性包括：
响应于由所述紫外光进行的一或多个光致发光元件的激发而入射于所述一或多个光传感器上的可见光的强度特性。
9.根据权利要求1所述的设备，其中所述检测器组合件包括：
本地控制器，其经配置以从所述一或多个光传感器接收指示入射于所述一或多个光传感器或一或多个光致发光元件中的至少一者上的紫外光的所述强度或所述一或多个光传感器的电特性中的至少一者的一或多个信号；及
中央控制器，其通信地耦合到所述本地控制器且经配置以基于入射于所述一或多个光传感器或一或多个光致发光元件中的至少一者上的紫外光的所述强度或所述一或多个光传感器的电特性中的至少一者而确定所述晶片组合件的所述一或多个部分的温度。
10.根据权利要求1所述的设备，其中所述晶片组合件在所述晶片组合件的所述至少一个表面上包含一或多个开口，所述一或多个开口经配置以使得入射于所述晶片组合件的所述至少一个表面上的紫外光通到所述检测器组合件的所述一或多个光传感器。
11.根据权利要求10所述的设备，其中所述晶片组合件包含一或多个窗，所述一或多个窗定位于所述晶片组合件的所述至少一个表面上的所述一或多个开口处且经配置以将入射于所述晶片组合件的所述至少一个表面上的紫外光传输到所述检测器组合件的所述一或多个光传感器。
12.根据权利要求11所述的设备，其中所述晶片组合件包含一或多个入口滤光器，其至少接近所述一或多个窗而安置且经配置以阻挡入射于所述晶片组合件的所述至少一个表面上的光的所选择部分。
13.根据权利要求1所述的设备，其中所述一或多个光传感器包括：
一或多个二极管检测器。
14.根据权利要求13所述的设备，其中所述一或多个二极管检测器包括：
碳化硅检测器、氮化镓二极管检测器、氮化铝镓检测器或硅检测器中的至少一者。
15.一种用于测量辐射强度及温度的测量晶片设备，其包括：
晶片组合件，其包含一或多个空腔；及
检测器组合件，所述检测器组合件的至少一部分安置于所述晶片组合件的所述一或多个空腔内，所述检测器组合件包含一或多个光传感器，所述检测器组合件经配置以执行对入射于所述晶片组合件的至少一个表面上的紫外光的强度的直接测量或对入射于所述晶片组合件的所述至少一个表面上的紫外光的所述强度的间接测量中的至少一者，其中所述检测器组合件进一步经配置以基于所述一或多个光传感器的一或多个特性或来自至少接近所述一或多个光传感器而安置的一或多个温度传感器的一或多个温度测量中的至少一者而确定所述晶片组合件的一或多个部分的温度。
16.一种用于测量辐射强度及温度的测量晶片设备，其包括：
衬底；
盖，其可操作地耦合到所述衬底的一部分；
一或多个空腔，其形成于所述衬底与所述盖之间；
检测器组合件，其包含安置于所述一或多个空腔内的一或多个光传感器，其中所述盖包含用于使得光从所述盖的顶部表面通到所述一或多个光传感器的一或多个开口，其中所述一或多个光传感器经配置以测量穿过所述一或多个开口的光的强度；及
一或多个本地控制器，其通信地耦合到所述一或多个光传感器，所述一或多个本地控制器经配置以接收指示由所述一或多个光传感器测量的光的所述强度或所述一或多个光传感器的一或多个额外特性中的至少一者的一或多个信号。
17.根据权利要求16所述的设备，其中所述一或多个光传感器经配置以直接测量穿过所述一或多个开口的光的所述强度。
18.根据权利要求16所述的设备，其进一步包括：
一或多个中央控制器，其通信地耦合到所述一或多个本地控制器且经配置以基于所述一或多个光传感器的所述一或多个额外特性而确定所述一或多个光传感器的温度。
19.根据权利要求18所述的设备，其中所述一或多个额外特性包括：
所述一或多个光传感器的一或多个电特性。
20.根据权利要求19所述的设备，其中所述一或多个电特性包括：
在已知电流下测量的正向电压。
21.根据权利要求16所述的设备，其中所述一或多个中央控制器无线通信地耦合到所述一或多个本地控制器。
22.根据权利要求16所述的设备，其中所述检测器组合件包含：
一或多个窗滤光器，其至少接近所述一或多个开口而安置且经配置以将光从所述盖的所述顶部表面传输到所述一或多个光传感器。
23.根据权利要求22所述的设备，其中所述检测器组合件包含：
一或多个入口滤光器，其至少接近所述一或多个窗而安置且经配置以阻挡入射于所述一或多个窗上的光的一部分。
24.根据权利要求16所述的设备，其中所述一或多个光传感器及所述一或多个本地控制器安置于所述衬底与所述盖之间的所述空腔内。
25.根据权利要求16所述的设备，其中所述一或多个光传感器接近所述一或多个本地控制器而安置。
26.根据权利要求16所述的设备，其中所述一或多个光传感器远离所述一或多个本地控制器而安置，其中所述一或多个本地控制器大体上与所述衬底热隔离。
27.根据权利要求16所述的设备，其中所述一或多个光传感器包括：
一或多个二极管检测器。
28.根据权利要求27所述的设备，其中所述一或多个二极管检测器包括：
碳化硅检测器、氮化镓二极管检测器、氮化铝镓检测器或硅检测器中的至少一者。
29.一种用于测量辐射强度及温度的测量晶片设备，其包括：
晶片组合件，其包含衬底及可操作地耦合到所述衬底的一部分的盖；
检测器组合件，所述检测器组合件包含：
一或多个光传感器，其安置于形成于所述衬底与所述盖之间的一或多个空腔内；
一或多个光致发光元件，其安置于所述一或多个空腔内，
其中所述盖包含用于使光从所述盖的顶部表面通到所述一或多个光致发光元件的一或多个开口，
其中所述一或多个光致发光元件经配置以吸收穿过所述一或多个开口的第一波长范围的光的至少一部分且发射不同于所述第一波长范围的至少一第二波长范围的光，
其中所述一或多个光传感器经配置以测量由所述一或多个光致发光元件发射的所述至少一第二波长范围的光的强度；及
一或多个本地控制器，其通信地耦合到所述一或多个光传感器，所述一或多个本地控制器经配置以接收指示由所述一或多个光传感器测量的所述至少一第二波长范围的所述光的所述强度的一或多个信号；及
一或多个中央控制器，其通信地耦合到所述一或多个本地控制器，所述一或多个中央控制器经配置以基于由所述一或多个光传感器测量的所述至少一第二波长范围的所述光的所述强度的强度特征而确定所述一或多个光致发光元件的温度。
30.根据权利要求29所述的设备，其中所述一或多个光传感器经配置以间接测量穿过所述一或多个开口的光的所述强度。
31.根据权利要求29所述的设备，其中所述至少一第二波长的所述光的所述强度的所述强度特征包括：
所述至少一第二波长范围的所述光的所述强度的衰变时间。
32.根据权利要求29所述的设备，其中所述至少一第二波长范围的所述光的所述强度的所述强度特征包括：
所述至少一第二波长的所述光的第一强度值与所述至少一第二波长的所述光的第二强度值的比率，其中在已知温度下测量所述第二强度值。
33.根据权利要求29所述的设备，其中所述一或多个中央控制器无线通信地耦合到所述一或多个本地控制器。
34.根据权利要求29所述的设备，其中所述一或多个本地控制器包含经配置以执行一组程序指令的一或多个处理器，所述组程序指令经配置以致使所述一或多个处理器接收指示由所述一或多个光传感器测量的所述至少一第二波长的所述光的所述强度的一或多个信号。
35.根据权利要求29所述的设备，其中所述一或多个中央控制器包含经配置以执行一组程序指令的一或多个处理器，所述组程序指令经配置以致使所述一或多个处理器基于由所述一或多个光传感器测量的所述至少一第二波长范围的所述光的所述强度的所述强度特征而确定所述一或多个光致发光元件的所述温度。
36.根据权利要求29所述的设备，其中所述检测器组合件包含安置于所述一或多个空腔内的一或多个导光元件，其中所述一或多个导光元件经配置以将所述至少一第二波长范围的光从所述一或多个光致发光元件传输到所述一或多个光传感器。
37.根据权利要求36所述的设备，其中所述一或多个导光元件包括：
一或多个光导。
38.根据权利要求36所述的设备，其中所述一或多个导光元件包括：
一或多个光纤。
39.根据权利要求36所述的设备，其中所述一或多个导光元件包括：
两个或两个以上导光元件。
40.根据权利要求39所述的设备，其中所述两个或两个以上导光元件包括：
第一导光元件；及
至少一第二导光元件，
其中所述第一导光元件经配置以将所述至少一第二波长范围的光从第一光致发光元件传输到第一光传感器，
其中所述至少一第二导光元件经配置以将所述至少一第二波长范围的光从至少一第二光致发光元件传输到至少一第二光传感器。
41.根据权利要求39所述的设备，其中所述两个或两个以上导光元件包括：
第一导光元件；及
至少一第二导光元件，其中所述第一导光元件经配置以将所述至少一第二波长范围的光从第一光致发光元件传输到第一光传感器，其中所述至少一第二导光元件经配置以将所述至少一第二波长范围的光从至少一第二光致发光元件传输到第一光传感器。[每一光导将光从多个PL光点传输到给定传感器]
42.根据权利要求29所述的设备，其中所述一或多个光致发光元件包括：
一或多个光致发光元件，其经配置以吸收至少紫外光且进一步经配置以响应于所吸收的紫外光而发射至少可见光。
43.根据权利要求29所述的设备，其中所述一或多个光致发光元件包括：
一或多个光致发光层，其包含磷光体或磷光体混合物中的至少一者。
44.根据权利要求29所述的设备，其中所述检测器组合件包含：
一或多个窗滤光器，其至少接近所述一或多个开口而安置且经配置以将光从所述盖的所述顶部表面传输到所述一或多个光传感器。
45.根据权利要求44所述的设备，其中所述检测器组合件包含：
一或多个入口滤光器，其至少接近所述一或多个窗而安置且经配置以阻挡具有所述第一波长范围之外的波长的光的一部分。
46.根据权利要求29所述的设备，其中所述检测器组合件包含：
一或多个传感器滤光器，其至少接近所述一或多个传感器而安置且经配置以阻挡所述第一波长内之外的波长的光的一部分且进一步经配置以传输所述至少一第二波长范围的光的至少一部分。
47.根据权利要求29所述的设备，其中所述一或多个光传感器及所述一或多个本地控制器安置于所述衬底与所述盖之间的所述空腔内。
48.根据权利要求29所述的设备，其中所述一或多个光传感器及所述一或多个本地控制器安置于传感器模块内。
49.根据权利要求48所述的设备，其中所述传感器模块大体上与所述衬底热隔离。
50.根据权利要求29所述的设备，其中所述一或多个光传感器包括：
两个或两个以上光传感器，其分布于整个所述晶片衬底。
51.根据权利要求50所述的设备，其中所述一或多个开口包括：
两个或两个以上开口，其分布于整个所述盖，其中所述两个或两个以上窗大体上与所述两个或两个以上光传感器对准。
52.一种用于测量辐射强度的测量晶片设备，其包括：
晶片组合件；及
检测器组合件，所述检测器组合件的至少一部分安置于所述晶片组合件的表面上，所述检测器组合件包含一或多个光传感器，所述检测器组合件经配置以执行对入射于所述晶片组合件的至少一个表面上的紫外光的强度的直接测量或对入射于所述晶片组合件的所述至少一个表面上的紫外光的所述强度的间接测量中的至少一者。