本发明涉及一种对以树脂密封多个半导体芯片等芯片状部件而成的半导体封装等模具封装进行切割时所使用的切割片。此外，本发明涉及一种上述切割片的制造方法、以及使用上述切割片的模具芯片的制造方法。
背景技术：
以树脂密封有半导体芯片等芯片状部件的部件(本说明书中称为“模具芯片”)，被密封的芯片状部件为半导体芯片的情况下，通常如以下方式进行制作。
首先，在如tab卷带的多个基台连接而形成的集合体的各基台上装载半导体芯片，将这些半导体芯片全部一起树脂密封，获得电子部件集合体(本说明书中称为“半导体封装”)。
接着，通过在半导体封装的一面上，粘贴具有基材与粘着剂层的粘着片(本说明书中称为“切割片”)，使半导体封装固定在切割片上。将固定于切割片的半导体封装切断分离(切割)，使其单片化，制作多个模具芯片在切割片上邻近配置的部件(切割工序)。
通常切割片的粘着剂层以通过特定刺激来减少粘着剂层相对于被粘着面的粘着性的方式而被设定，作为这种特定刺激，举如可采用能量线照射。因而，包含在进行以下工序前，对切割片照射能量线，使粘着剂层相对于被粘着面的粘着性降低的工序。
接着，根据所需使此部件的切割片扩展(expand)(往主面内方向延展)，将切割片上配置的模具芯片的间距拓宽(扩展工序)。
将像这样在切割片上成为相互分隔的状态的模具芯片逐个拾取(pickup)而使其与切割片分离(拾取工序)，接着移送下一个工序。此时，由于包含降低使所述粘着剂层相对于模具芯片面的粘着性降低的工序，因此容易进行拾取。
在该一系列的工序中，在切割工序中，要求半导体封装以及其切割而成的模具芯片维持被固定在切割片上的状态。从实现此目的的观点来看，优选切割片的粘着剂层对于该半导体封装的面以及模具芯片的面的在照射能量线前的粘着性高。
在此，在切割片的被粘物为半导体封装的情况下，被粘着面通常为密封树脂的面，比起将半导体晶圆作为被粘物的情况，被粘着面的凹凸有变大的倾向。因此，若将以半导体晶圆作为被粘物的切割片，转用为在对半导体封装的上述工序中使用的切割片，则对于被粘着面的上述粘着性变得不充分，在切割工序中，切断半导体封装时，产生半导体封装单片化而成的模具芯片从切割片上剥离而飞散的不良状况。以下将切割工序中所产生的此不良状况称为“芯片飞散”。
以减少发生此芯片飞散的可能性为目的，例如，如专利文献1中所记载，使切割片的粘着剂层含有用于提高照射能量线前状态下的相对于被粘着面的粘着性的树脂材料(本说明书中称为“增粘树脂”)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利特开第2005-229040号公报
技术实现要素：
本发明要解决的技术问题
作为增粘树脂，就提高粘着剂层的被粘着面，即对模具封装的树脂密封面的粘着性的观点来看，一般的松香类材料为优选材料。然而，树脂密封面会因激光加工等使树脂材料被去除而形成凹部，在因该凹部而具有被画出的印字部的情况下，容易导致以下问题。即，通过使切割片所具备的粘着剂层中含有增粘树脂，虽然可以提高对如树脂密封一样凹凸较大的面的粘着性，但在树脂密封面具有印字部的情况下，构成粘着剂层的材料容易进入印字部的凹部内。因此，在将模具封装单片化所得到的模具芯片从切割片上分隔时，印字部的凹部内会残留构成粘着剂层的材料，使印字的清晰度降低。由于树脂密封面一般比起半导体晶圆或保护膜凹凸更大，因此，通过在树脂密封面形成凹部而进行印字的情况下，存在该凹凸的段差变大的倾向。因而容易发生上述印字的清晰度降低的问题。
本发明的目的在于，提供一种难以引起切割工序的不良状况以及上述模具芯片的关于印字清晰度的问题的切割片、以及一种使用该切割片的模具芯片制造方法。
解决技术问题的技术手段
为了实现所述目的，本发明所提供的内容如下。
(1)一种切割片，其特征在于，具有基材与层叠于所述基材至少一面上的粘着剂层，所述粘着剂层于23℃的储能模量在能量线照射前的状态中为50kpa以上且为80kpa以下，且在能量线照射后的状态中为5.0mpa以上且为120mpa以下，所述粘着剂层的厚度为小于20μm，所述粘着剂层的面在能量线照射前的状态下，在jisz0237:1991所记载的方法中，通过将剥离速度变更为1mm/分钟的条件，使用探头式初粘力试验仪(probetack)所测定的能量的量为0.10mj/5mmφ以上且为0.8mj/5mmφ以下。
(2)根据所述(1)所述的切割片，其中，在使用时，在所述粘着剂层的与所述基材侧的相反侧的面上，粘贴有模具封装的树脂密封面，所述树脂密封面具有通过凹部所形成的印字部。
(3)根据所述(2)所述的切割片，其中，所述树脂密封面的所述印字部的凹部的平均深度为0.5μm以上。
(4)根据所述(1)～(3)中任一项所述的切割片，其中，所述粘着剂层由含有具有能量线聚合性基团与反应性官能团的丙烯酸类聚合物(a)、以及可与所述反应性官能团进行交联反应的异氰酸酯类交联剂(b)的粘着剂组合物形成，所述丙烯酸类聚合物(a)为由具有所述反应性官能团的丙烯酸类聚合物(a1)、和具有所述能量线聚合性基团的异氰酸酯类化合物(a2)，在含有钛以及锆中至少一种的有机金属催化剂(c)的存在下反应所获得。
(5)根据所述(4)所述的切割片，其中，在所述丙烯酸类聚合物(a1)中，提供具所述反应性官能团的结构单元的单体(m1)相对于提供所述丙烯酸类聚合物(a1)的单体整体的质量比为5质量％以上且为30质量％以下，在用于形成所述丙烯酸类聚合物(a)的反应中，所述化合物(a2)的使用量相对于所述单体(m1)为0.4当量以上且为0.8当量以下。
(6)根据所述(4)或(5)所述的切割片，其中，所述有机金属催化剂(c)具有含锆螯合物。
(7)一种模具芯片的制造方法，其将所述(1)～(6)任一项所述的切割片的所述粘着剂层一侧的面粘贴于所述模具封装的所述树脂密封面上，切断所述切割片上的所述模具封装使其单片化，获得多个模具芯片。
发明效果
根据本发明，可提供一种难以引起切割工序的不良状况以及前述模具芯片的关于印字清晰度的问题的切割片。此外，通过使用这种切割片，可制造印字清晰度优异且品质优异、成本上也有利的模具芯片。
具体实施方式
以下说明本发明的实施方式。
1.切割片
本发明的一种实施方式的切割片具有基材与粘着剂层。
(1)基材
本实施方式的切割片的基材只要在拾取工序中不断裂，则其构成材料并无特别限制，通常由以使用树脂类材料作为主要材料的薄膜构成。该薄膜的具体例子，可列举低密度聚乙烯(ldpe)薄膜、直链低密度聚乙烯(lldpe)薄膜、高密度聚乙烯(hdpe)薄膜等聚乙烯薄膜；聚丙烯薄膜、聚丁烯薄膜、聚丁二烯薄膜、聚甲基戊烯薄膜、乙烯-降冰片烯共聚物薄膜、降冰片烯树脂薄膜等聚烯烃类薄膜；聚氯乙烯薄膜、氯乙烯共聚物薄膜等聚氯乙烯类薄膜；聚对苯二甲酸乙二酯薄膜、聚对苯二甲酸丁二酯薄膜等聚酯类薄膜；聚氨酯薄膜；聚酰亚胺薄膜；离子聚合物树脂薄膜；乙烯-乙酸乙烯酯共聚物薄膜、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物薄膜、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物薄膜等乙烯类共聚薄膜；聚苯乙烯薄膜、聚碳酸酯薄膜；氟树脂薄膜；以及将这些树脂的氢化物与改性物作为主要材料的薄膜等。此外，也可使用这些膜的交联薄膜、共聚物薄膜。上述基材可为单独一种，也可为两种以上这些薄膜进一步组合而成的层叠薄膜。另外，本说明书的“(甲基)丙烯酸”，是指丙烯酸以及甲基丙烯酸这两者。对于其他类似用语也相同。
作为基材，在由上述树脂类材料为主材料的薄膜内，也可添加着色剂、阻燃剂、增塑剂、抗静电剂、润滑剂、填料等各种添加剂。作为色剂，可列举出二氧化钛、碳黑等颜料或各种的颜料。此外，作为填料，可列举出如三聚氰胺树脂的有机类材料、如气相二氧化硅的无机类材料，以及如镍颗粒的金属类材料。这种添加剂的含量虽无特别限制，但必须在使基材可发挥所需功能、不失去所需平滑性与柔软性的范围内。
为使粘着剂层固化而使用紫外线作为照射的能量线的情况下，优选基材对于紫外线具有穿透性。此外，在使用电子束作为能量线的情况下，优选基材对于电子束具有穿透性。
只要切割片在上述的各个工序中，能适当地发挥功能，则基材的厚度并无限制。优选为20～450μm，更优选为25～200μm，特别优选为50～150μm的范围内。
本实施方式中，基材的断裂伸长率作为在23℃、相对湿度50％时所测定的数值，优选为100％以上，更优选为200％以上且为1000％以下。上述断裂伸长率为100％以上的基材即使在施行扩展工序时也很难断裂，使切断模具封装形成的模具芯片变得更加容易分隔。此外，断裂伸长率为，在以jisk7161:1994为基准的拉伸试验中，试验片损坏时的试验片长度相对于原本长度的伸长率。
此外，本实施方式中，基材通过以jisk7161:1994为基准的试验而测定的25％形变时拉伸应力优选为5n/10mm以上且为15n/10mm以下，最大拉伸应力优选为15mpa以上且为50mpa以下。25％形变时，若拉伸应力小于5n/10mm或最大拉伸应力小于15mpa，则在切割片上粘合模具封装后，固定于环状框架时，由于基材柔软而导致产生松弛，因而成为搬移错误的原因。另一方面，25％形变时，若拉伸应力超过15n/10mm或最大拉伸应力超过50mpa时，在进行扩展工序的情况下，由于施加在切割片的负载变大，会有切割片从环状框架上脱落等问题发生的可能。本发明的断裂伸长率、25％形变时的拉伸应力、最大拉伸应力是指对基材的长边方向测定的数值。
(2)粘着剂层
本实施方式的切割片具有的粘着剂层如以下所述，厚度小于20μm，具有储能模量等规定的特性。在优选的实施方式中，该粘着剂层由含有具有能量线聚合性基团与反应性官能团的丙烯酸类聚合物(a)、以及可与反应性官能团进行交联反应的异氰酸酯类交联剂(b)的粘着剂组合物所形成。
(2-1)厚度
本实施方式的切割片具有的粘着剂层的厚度小于20μm。粘着剂层的厚度若小于20μm，则不容易产生残胶，可减低在切割工序中发生不良状况的可能性。此外，也不易发生上述模具芯片的关于印字清晰度的问题。特别是在实施切割工序，将模具封装单片化作为模具芯片后，至实施能量线照射为止的时间很长(例如30天)的情况下，粘着剂层的厚度若为20μm以上，则对于模具芯片的面的粘着剂层的粘着性变得过高，即使照射能量线也无法适当地降低上述粘着性，容易发生上述模具芯片的关于印字清晰度的问题。由于本实施方式的切割片所具备的粘着剂层厚度小于20μm，因此不容易引起上述模具芯片的关于印字清晰度的问题。本实施方式的切割片具有的粘着剂层的厚度优选为17μm以下，更优选为13μm以下，特别优选为10μm以下。从稳定地实现粘着剂层对于被粘着面具有适当的粘着性的观点来看，粘着剂层的厚度优选为2μm以上，更优选为4μm以上，特别优选为5μm以上。因此，粘着剂层的最优选厚度为5μm以上且为10μm以下
(2-2)储能模量
对本实施方式的切割片具有的粘着剂层照射能量线前的、该粘着剂层在23℃时的储能模量(本说明书中也称为“照射前模量”)为50kpa以上且为80kpa以下。
通过使照射前模量在上述范围内，在作为粘着剂层的被粘着面的模具封装的密封树脂的面的凹部内，能量线照射前的构成粘着剂层的材料变得不容易进入，上述模具芯片的关于印字清晰度的问题变得不容易发生。此外，通过使照射前模量在上述范围内，对于粘着剂层的被粘着面的粘着性变得适当，芯片飞散变得不容易发生。从较为稳定地减少上述的模具芯片的关于印字清晰度的问题与发生芯片飞散的可能性的观点来看，照射前模量优选为50kpa以上且为75kpa以下，更优选为50kpa以上且为70kpa以下。
对本实施方式的切割片具有的粘着剂层照射能量线后的、该粘着剂层在23℃时的储能模量(本说明书中也称为”照射后模量”)为5.0mpa以上且为120mpa以下。
通过使照射后模量为5.0mpa以上，在作为接剂层的被粘着面的模具封装的密封树脂的面的凹部内，特别是在构成印字部的凹部内，照射能量线后的构成粘着剂层的材料变得不容易残留，上述模具芯片的关于印字清晰度的问题变得不容易发生。从得以稳定地使上述模具芯片的关于印字清晰度的问题变得不容易发生的观点来看，照射后模量优选为10mpa以上，更优选为15mpa以上，特别优选为20mpa以上。
通过使照射后的弹性模数为120mpa以下，作为粘着剂层的被粘着面的模具封装的密封树脂的面的凹部内，特别是构成印字部的凹部内所进入的构成粘着剂层的材料，在拾取工序中变得容易适当地从上述凹部中分隔，因此，上述模具芯片的关于印字清晰度的问题便不容易发生。从稳定地使上述模具芯片的关于印字清晰度的问题变得难以发生的观点来看，照射后模量优选为100mpa以下，更优选为80mpa以下，进一步优选为60mpa以下，特别优选为50mpa以下。
(2-3)粘性值
本实施方式的切割片的粘着剂层的面，在能量线照射前的状态下，在jisz0237:1991所记载的方法中，以剥离速度变更为1mm/分钟的条件，使用探头式初粘力试验仪所测定的能量的量(本说明书中也称为”粘性值”)为0.10mj/5mmφ以上且为0.8mj/5mmφ以下。此粘性值从测定开始至探针剥离为止，作为测得的峰值累计值而求得。通过使粘性值为上述范围，可抑制芯片飞散的发生。从可较为稳定地减少发生芯片飞散的可能性的观点来看，粘性值优选为0.13mj/5mmφ以上且为0.75mj/5mmφ以下，更优选为0.15mj/5mmφ以上且为0.7mj/5mmφ以下，特别优选为0.18mj/5mmφ以上且为0.65mj/5mmφ以下。
(2-4)丙烯酸类聚合物(a)
在一个优选的实施方式中，用于形成本实施方式切割片具有的粘着剂层的粘着剂组合物，含有具有能量线聚合性基团以及反应性官能团的丙烯酸类聚合物(a)。丙烯酸类聚合物(a)为，含有将基于具有能量线聚合性基团以及反应性官能团的丙烯酸类化合物的结构单元作为构成其骨架的单元的丙烯酸类聚合物。丙烯酸类聚合物(a)可为一种单体聚合而成的均聚物，也可为多种单体聚合而成的共聚物。从容易抑制聚合物的物理特性以及化学特性的观点来看，丙烯酸类聚合物(a)优选为共聚物。
丙烯酸类聚合物(a)的换算成聚苯乙烯的重均分子量(mw)优选为1万～200万。该丙烯酸类聚合物(a)，为使作为粘着剂主剂的一般功能的维持粘着剂层的凝集性的效果得以发挥，分子量越大时该效果发挥越显著。另一方面，若丙烯酸类聚合物(a)的分子量过大，则制造粘着剂层时难以薄层化。因此，丙烯酸类聚合物(a)的换算成聚苯乙烯的重均分子量(mw)更优选为10万～150万。此外，丙烯酸类聚合物(a)的玻璃转化温度tg优选为-70～30℃，进一步优选为-60～20℃的范围。此外，本说明书的换算成聚苯乙烯的重均分子量为通过凝胶渗透层析(gpc)法所测定的换算成聚苯乙烯的数值。
丙烯酸类聚合物(a)具有的反应性官能团，为可与后述异氰酸酯类交联剂(b)进行交联反应的官能团，可列举出羟基、羧基、氨基等。其中，优选以与异氰酸酯类交联剂(b)相关的异氰酸酯基反应性高的羟基作为丙烯酸类聚合物(a)所具有的反应性官能团。
丙烯酸类聚合物(a)具有的能量线聚合性基团的种类没有特别限制，作为其具体例，可列举出乙烯基、(甲基)丙烯酰基等具有烯属不饱和键的官能团。从聚合反应性优异的观点来看，能量线聚合性基团优选为具有烯属不饱和键的官能团，其中，从照射能量线时的高反应性的观点来看，更优选(甲基)丙烯酰基。
作为用于使能量线聚合性基团反应的能量线，可列举电离辐射线，即x射线、紫外线、电子束等。其中优选为照射设备的导入较为容易的紫外线。
在使用紫外线作为电离辐射线的情况下，从容易操作的方面来看，使用包含波长为200～380nm左右的紫外线的近紫外线即可。作为紫外线的量，根据丙烯酸类聚合物(a)具有的能量线聚合性基团的种类以及粘着剂层的厚度，适当地设定即可，通常为50～500mj/cm2左右，优选为100～450mj/cm2，更优选为150～400mj/cm2。此外，紫外线照度通常为50～500mw/cm2左右，优选为100～450mw/cm2、更优选为150～400mw/cm2。紫外线源并无特别限制，例如可使用高压汞灯、金属卤化物灯等。
在使用电子束作为电离辐射线的情况下，对于其加速电压，只要根据丙烯酸类聚合物(a)具有的能量线聚合性基团的种类以及粘着剂层的厚度适当地设定即可，通常加速电压优选为10～1000kv左右。此外，照射线的量只要设定在丙烯酸类聚合物(a)具有的能量线聚合性基团的反应可适当地进行的范围内即可，通常子啊10～1000krad的范围选择。作为电子束源并无特别限制，例如可使用科克罗夫特-沃尔顿(cockcroft-walton)型、范德格拉夫(vandegraaff)型、共振变压器型、铁心绝缘变压器型、或直线型、高频高压型(dynamitron)、高频率型等各种电子束加速器。
丙烯酸类聚合物(a)通过以下的方式得到：由具有反应性官能团的丙烯酸类聚合物(a1)、和具有能量线聚合性基团的异氰酸酯类化合物(a2)，在含有钛与锆中的至少一种的有机金属催化剂(c)的存在下反应。通过在该有机金属催化剂(c)的存在下进行反应，所得到的含有丙烯酸类聚合物(a)的粘着剂组合物可形成具有适当的照射前模量以及适当的粘性值的粘着剂层。
(2-4-1)丙烯酸类聚合物(a1)
丙烯酸类聚合物(a1)为具有上述反应性官能团的丙烯酸聚合物。提供丙烯酸类聚合物(a1)的具有反应性官能团的结构单元的单体(m1)的、相对于提供丙烯酸类聚合物(a1)的单体整体的质量比优选为5质量％以上且为30质量％以下。通过满足上述质量比的规定，含有由丙烯酸类聚合物(a1)所得到的丙烯酸类聚合物(a)粘着剂组合物，可形成具有适当照射前模量以及适当粘性值的粘着剂层。上述质量比优选为7质量％以上且为25质量％以下，更优选为10质量％以上且为20质量％以下，特别优选为12质量％以上且为17质量％以下。
将丙烯酸类聚合物(a1)具有作为反应性官能团的羟基的情况作为具体例，对用于形成丙烯酸类聚合物(a1)的单体进行说明。
作为可用于形成所述具有羟基的丙烯酸类聚合物(a1)的原料的单体(本说明书中也称为“原料单体”)，可列举出具有羟基的丙烯酸类单体(本说明书中也称为“羟基丙烯酸类单体”)、具有羟基的非丙烯酸类单体、不具有羟基的丙烯酸类单体、以及不具有羟基的非丙烯酸类单体。具有羟基的丙烯酸类聚合物(a1)在所述原料单体中，以使该聚合物成为丙烯酸类的聚合物的方式，包含来自羟基丙烯酸类单体以及不具有羟基的丙烯酸类单体中的至少一种结构单元，同时，以使该聚合物(a1)具有羟基的方式，包含来自羟基丙烯酸类单体以及具有羟基的非丙烯酸类单体中的至少一种结构单元。
作为羟基丙烯酸类单体的具体例子，可列举出2-羟乙基(甲基)丙烯酸酯、2-羟丙基(甲基)丙烯酸酯、n-羟甲基丙烯酰胺等具有羟基的(甲基)丙烯酸酯。此外，作为具有羟基的非丙烯酸类单体的具体的例子，可列举出羟基乙酸乙烯酯等。从提高操作性的观点及容易调整粘着剂层的物性的观点来看，具有羟基的丙烯酸类聚合物优选包含来自羟基丙烯酸类单体的结构单元。这些具有羟基的单体中，从容易控制在丙烯酸类聚合物(a)中的能量线聚合性基团的存在量的观点来看，优选仅具有一个羟基的单体。
上述原料单体中，作为不具有羟基的丙烯酸类单体的具体例子，可列举(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸酯、其衍生物(丙烯腈等)。对于(甲基)丙烯酸酯，若进一步举出具体例，可列举出(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯等具有链状骨架的(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸环烷酯、(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸异冰片酯、(甲基)丙烯酸二环戊基酯、(甲基)丙烯酸二环戊烯酯、(甲基)丙烯酸二环戊烯氧基乙酯、(甲基)丙烯酸四氢糠基酯、酰亚胺丙烯酸酯等具有环状骨架的(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸缩水甘油酯、n-甲基氨基乙基(甲基)丙烯酸酯等具有除羟基以外的反应性官能团的(甲基)丙烯酸酯。此外，在不具有羟基的丙烯酸类单体为(甲基)丙烯酸烷基酯的情况下，该烷基的碳原子数优选在1～18的范围内。此外，作为不具有羟基的非丙烯酸类单体，可列举出乙烯、降冰片烯等的烯烃、乙酸乙烯酯、苯乙烯等。
(2-4-2)异氰酸酯类化合物(a2)
异氰酸酯类化合物(a2)为：具有能量线聚合性基团，且与丙烯酸类聚合物(a1)具有的反应性官能团反应时可具有异氰酸酯基的化合物。作为该异氰酸酯类化合物，可列举具有异氰酸酯基的化合物、具有封闭型异氰酸酯基的化合物、具有异氰酸酯基的化合物的缩二脲体或异氰脲酸酯体，作为具有异氰酸酯基的化合物、与乙二醇、三羟甲基丙烷、蓖麻油等非芳香族性低分子含活性氢的化合物的反应物的加成物等改性体。
作为异氰酸酯类化合物(a2)的具体例，可列举出(甲基)丙烯酰氧乙基异氰酸酯。此外，作为异氰酸酯类化合物(a2)的具体例子，还可列举至少残留有一个羟基的(甲基)丙烯酸酯、与聚异氰酸酯化合物的反应产物。其中，从可使控制丙烯酸类聚合物(a)中的能量线聚合性基团的存在量变得容易的观点来看，优选仅具有一个能量线聚合性基团的异氰酸酯化合物，更优选为(甲基)丙烯酰氧乙基异氰酸酯。
在用于形成丙烯酸类聚合物(a)的反应中，化合物(a2)的使用量，相对于丙烯酸类聚合物(a)涉及的单体(m1)，优选为0.4当量以上且为0.8当量以下。通过满足关于上述化合物(a2)的使用量的规定，通过含有从丙烯酸类聚合物(a1)以及化合物(a2)得到的丙烯酸类聚合物(a)的粘着剂组合物而得到的粘着剂层，可避免在能量线照射后过度固化、或因能量线照射而使对于被粘着面的粘着性的降低变得不充分。其结果，使上述的模具芯片的关于印字清晰度的问题变得难以发生。相对于上述单体(m1)的化合物(a2)的使用量优选为0.4当量以上且为0.75当量以下，更优选为0.45当量以上且为0.7当量以下，特别优选为0.5当量以上且为0.7当量以下。
(2-5)异氰酸酯类交联剂(b)
本说明书中的“异氰酸酯类交联剂”为聚异氰酸酯化合物，指具有交联性的异氰酸酯类化合物的统称。作为其具体例，可列举甲苯二异氰酸酯、二苯甲烷二异氰酸酯、苯二亚甲基二异氰酸酯等芳香族聚异氰酸酯；二环己基甲烷-4,4’-二异氰酸酯、二环庚烷三异氰酸酯、亚环戊基二异氰酸酯(cyclopentylenediisocyanate)、亚环己基二异氰酸酯(cyclohexylenediisocyanate)、甲基亚环己基二异氰酸酯(methylcyclohexylenediisocyanate)、氢化苯二亚甲基二异氰酸酯等脂环式异氰酸酯化合物；六亚甲基二异氰酸酯、三甲基六亚甲基二异氰酸酯、赖氨酸二异氰酸酯等非环状脂肪族异氰酸酯，以及其缩二脲体或异氰脲酸酯体；作为具有异氰酸酯基的化合物与乙二醇、三羟甲基丙烷、蓖麻油等非芳香族低分子量含活性氢的化合物的反应物的加成体等改性体。粘着剂组合物中作为异氰酸酯类交联剂(b)发挥作用的化合物可以是一种，也可以是多种。
粘着剂组合物中的异氰酸酯类交联剂(b)的含量并无限制，可根据异氰酸酯类交联剂(b)的种类适当地设定。作为不被限定的例子，相对于粘着剂组合物整体优选为0.01质量％以上且为10质量％以下，更优选为0.05质量％以上且为7质量％以下，特别优选为0.1质量％以上且为3质量％以下。
(2-6)有机金属催化剂(c)
有机金属催化剂(c)含有钛以及锆中的至少一种。具体而言，其以含有钛以及锆中至少一种的有机金属化合物组成。作为该有机金属化合物，可列举出这些金属元素的醇盐、螯合物、酰化物等，具体的例子可列举出钛醇盐、钛螯合物、锆醇盐、锆螯合物等。其中，有机金属化合物所含有的金属元素优选含有锆，该金属元素优选为锆。此外，有机金属化合物优选为螯合物。因此有机金属催化剂(c)优选包含具有锆的螯合物，更优选由具有锆的螯合物构成。
有机金属催化剂(c)优选不含具有锡的有机金属化合物。虽然原因不明确，但在有机金属催化剂(c)不含具有锡的有机金属化合物的情况下，粘着剂组合物容易形成具有适当的照射前模量以及适当的粘性值的粘着剂层。
在用于获得丙烯酸类聚合物(a)的反应中所使用的有机金属催化剂(c)的使用量并无限制。该使用量相对于丙烯酸类聚合物(a1)的固体成分100质量份时，优选为0.01质量份以上且为0.5质量份以下，更优选为0.01质量份以上且为0.3质量份以下，特别优选为0.01质量份以上且为0.25质量份以下。
(2-7)其他成分
用于形成本实施方式的切割片具有的粘着剂层的粘着剂组合物，除含有上述成分之外，还可以含有光聚合引发剂(d)、增粘树脂、染料以及颜料等着色材料、阻燃剂、填料、抗静电剂等各种添加剂。
在此，对光聚合引发剂(d)稍做详细说明，作为光聚合引发剂(d)，可列举安息香化合物、苯乙酮化合物、酰基氧化膦化合物、二茂钛化合物、噻吨酮化合物、过氧化合物等光引发剂、胺或醌等光敏感剂等，具体可列举出1-羟基环己基苯基甲酮、安息香、安息香甲醚、安息香乙醚、安息香异丙醚、苄基二苯硫醚、一硫化四甲基秋兰姆单、偶氮二异丁腈、联苄、双乙酰、β-氯蒽醌、2,4,6-三甲基苯甲酰二苯基氧化膦等。在使用紫外线作为能量线的情况下，通过添加光聚合引发剂(d)，可减少照射时间与照射量。
(2-8)粘着剂组合物的制造方法
本发明的一个实施方式的切割片所具有的粘着剂层，在由含有具有能量线聚合性基团与反应性官能团的丙烯酸类聚合物(a)、以及可与反应性官能团进行交联反应的异氰酸酯类交联剂(b)的粘着剂组合物所形成的情况下，该粘着剂组合物的制造方法并无限制。优选按照下述说明的方法制造。
首先，作为第一工序，使丙烯酸类聚合物(a1)和异氰酸酯类化合物(a2)在有机金属催化剂(c)的存在下进行反应，获得含有丙烯酸类聚合物(a)以及以有机金属催化剂(c)为基础的成分的产物。上述反应中可使用适当的溶剂。第一工序的反应的反应条件，可根据作为反应原料的丙烯酸类聚合物(a1)、异氰酸酯类化合物(a2)、以及有机金属催化剂(c)的种类及含量适当设定。通过该反应，可获得含有丙烯酸类聚合物(a)与以有机金属催化剂(c)为基础的成分的产物。以有机金属催化剂(c)为基础的成分，优选维持催化剂活性。通过维持催化剂活性，作为在由粘着剂组合物形成粘着剂层时产生的丙烯酸类聚合物(a)和异氰酸酯类交联剂(b)的反应的催化剂，可以发挥以有机金属催化剂(c)为基础的成分的功能。
在第一工序之后接着进行的第二工序中，获得含有第一工序的产物、异氰酸酯类交联剂(b)以及根据所需加入的光聚合引发剂(d)等的混合体，作为粘着剂组合物。第一工序的产物只要含有丙烯酸类聚合物(a)，也可经过溶剂去除等步骤。混合方法并无限制，适当设定使得混合体的均匀性得到提高即可。
(3)剥离片
本实施方式的切割片，在将其粘着剂层粘贴在作为被粘物的模具封装(具体可列举出半导体封装具体)上为止的期间内，以保护粘着剂层为目的，也可在粘着剂层的与基材相对一侧的相反侧的面上，粘合剥离片的剥离面。剥离片的结构为任意，可列举出在塑料薄膜上涂布剥离剂。作为塑料薄膜的具体例，可列举出聚对苯二甲酸乙二酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二酸乙二醇酯等聚酯薄膜，以及聚丙烯或聚乙烯等聚烯烃薄膜。作为剥离剂，可使用硅酮类、氟类、长链烷类等，其中优选价格低廉且可获得稳定性能的硅酮类。作为代替上述剥离片的塑料薄膜，可以使用玻璃纸、涂布纸、优质纸等纸基材，或在纸基材上层压有聚乙烯等热塑性树脂的层压纸。对该剥离片厚度虽然没有特别限制，通常为20μm以上且为250μm以下左右。
2.切割片的制造方法
本发明的一个实施方式的切割片的制造方法并无限制。本发明的一个实施方式的切割片具有的粘着剂层，在由含有具有能量线聚合性基团以及反应性官能团的丙烯酸类聚合物(a)、以及可与反应性官能团进行交联反应的异氰酸酯类交联剂(b)的粘着剂组合物所形成的情况下，只要能够将由上述粘着剂组合物所形成的粘着剂层层叠在基材的一面上，则详细方法并无特别限制。举例来说，调制上述粘着剂组合物以及根据所需进一步调制含有的溶剂的涂布液，在基材的一面上通过模具涂布机、帘式涂布机、喷雾涂布机、狭缝涂布机、刮刀涂布机等来涂布该涂布液，通过使该单面上的涂膜干燥，可形成粘着剂层。涂布液只要可进行涂布，则对其性状并无特别限制，有时含有用于形成粘着剂层的成分作为溶质，有时则作为分散体。
通过调整上述干燥条件(温度、时间等)，或设置另外用于交联的加热处理，使涂膜内的丙烯酸类聚合物(a)与异氰酸酯类交联剂(b)进行交联反应，在粘着剂层内以所需的存在密度形成交联结构即可。为了使该交联反应充分地进行，通过上述方法等在基材上层叠粘着剂层后，通常会将所获得的切割片例如在23℃、相对湿度50％的环境中静置几天实施养护。
或者，可在上述剥离片的剥离面上涂布涂布液，形成涂膜，使其干燥，以形成由粘着剂层与剥离片构成的层叠体，将该层叠体的粘着剂层中的与剥离片相对侧的相反侧的面粘贴于基材的一个面，获得切割片与剥离片的层叠体。该层叠体的剥离片可作为工序材料而剥离，也可在粘贴于模具封装之前不剥离，用来保护粘着剂层。
如同上述说明，本发明的一个实施方式的制造方法具有以下工序中的任一种：
将含有丙烯酸类聚合物(a)以及异氰酸酯类交联剂(b)的粘着剂组合物涂布在基材的一面，由获得的涂膜形成粘着剂层，获得上述切割片的工序；以及
将粘着剂组合物涂布于剥离片的剥离面，由获得的涂膜形成粘着剂层，将剥离片上的粘着剂层中与剥离片相对一侧的相反侧的面粘着在基材的一面，以在粘着剂层一侧的面上粘贴有剥离片的状态获得切割片的工序。
在此，如上所述，丙烯酸类聚合物(a)通过丙烯酸类聚合物(a1)和异氰酸酯类化合物(a2)在有机金属催化剂(c)的存在下进行反应而得到，丙烯酸类聚合物(a1)中的单体(m1)的相对于提供丙烯酸类聚合物(a1)的单体整体的质量比优选为5质量％以上且为30质量％以下，在用于形成丙烯酸类聚合物(a)的反应中，化合物(a2)的使用量相对于单体(m1)优选为0.4当量以上且为0.9当量以下。
3.模具芯片的制造方法
将模具封装由半导体封装构成的情况作为具体例子，对使用本实施方式的切割片由模具封装制造模具芯片的方法进行说明。
半导体封装如上所述，为在基台的集合体的各基台上装载半导体芯片，并将这些半导体芯片一起树脂密封而成的电子部件集合体，但通常具有基板面树脂密封面，其厚度为200～2000μm左右。树脂密封面的表面的算数平均粗糙度ra(jisb0601:2001(iso4287:1997))粗为0.5μm左右，此外，为了易于从密封装置的模具上取出，密封材料有时含有脱膜成分。因此，在树脂密封面上粘贴有粘着片的情况下，有无法发挥充分固定性能的倾向。
该半导体封装(模具封装)的树脂密封面通过激光加工等去除树脂材料，通过所形成的凹部具有画出的印字部。半导体封装在印字部以外的树脂密封表面与印字部的平面的间具有高低差，本说明书中将这种高低差称为印字部的凹部的(平均)深度。从提高基于印字部的印字清晰度的观点来看，印字部的凹部的平均深度优选为0.5μm以上，更优选0.5μm以上且为10μm以下。本说明书中，印字部的凹部的平均深度以下述方式而求得。使用激光显微镜，观测半导体封装的印字部以外的树脂密封表面、与构成印字部的凹部的平面，测定其高低差。此外，将包含印字部和印字部以外的界线的区域中的5点设为测定点，将测定点上高低差的平均值作为印字部凹部的平均深度。
本实施方式的切割片在使用时，将粘着剂层一侧的面(即与粘着剂层的基材侧相反的一侧的面)粘贴于半导体封装(模具封装)的树脂密封面上。
此外，在切割片的粘着剂层一侧的面上粘贴着剥离片的情况下，剥离该剥离片使粘着剂层一侧的面露出，在半导体封装的树脂密封面上粘上该面即可。切割片的外周部通常通过该部分所设置的粘着剂层，粘贴在称为环状框架的用于搬移或固定装置的环状的夹具上。由于粘着剂层的粘性值等适当，即使向切割工序中提供粘贴于切割片上的半导体封装，可减少半导体封装被单片化而成的模具芯片在加工中飞散的可能性。
以切割工序所形成的模具芯片的大小通常为5mm×5mm，近年来，虽有形成为1mm×1mm左右的情况，但由于本实施方式的切割片的粘着剂层的粘性值适当，因此也能充分应对这种微间距(finepitch)的切割。
通过实施以上的切割工序，可由半导体封装获得多个模具芯片。切割工序结束后，为了方便拾取切割片上邻近配置的多个模具芯片，通常有时会实施将切割片朝主面内的方向延展的扩展工序。此延展的程度，只要考虑邻近的模具芯片需有的间隔，以及基材的拉伸强度等适当设定即可。
根据所需实施扩展工序后，使用吸引筒夹(collet)等通用的方法在粘着剂层上拾取模具芯片。将拾取的模具芯片提供给搬运工序等之后的工序。
切割工序结束后，在拾取工序开始之前，若从本实施方式的切割片的基材侧进行能量线照射，则在切割片具有的粘着剂层内部，所含有的能量线聚合性基团进行反应，可使相对于模具芯片的面的粘着剂层的粘着性降低。并且，本实施方式的切割片所具有的粘着剂层，由于由适当的粘着剂组合物形成，因此在作为被粘物的半导体封装的树脂密封面的凹部内，特别是在构成印字部的凹部内，不容易残留构成粘着剂层的材料。因此，上述模具芯片的关于印字清晰度的问题变得更加难以发生。
如上所述，本实施方式的模具芯片的制造方法，难以发生芯片飞散，在之后的工序中也不易发生不良状况。因此，经过将半导体封装等模具封装分割为多个模具芯片的切割工序与拾取工序后，直至之后的工序的一系列工序中，成品率不易下降。因此，通过使用本实施方式切割片的本实施方式的制造方法所得到的模具芯片，易于在成本方面变得有利。此外，芯片飞散除了以上不良状况直接相关的模具芯片以外，还有因芯片冲突等产生利用相同路径所制造的模具芯片的缺损等问题的情况。因此，以本实施方式的模具芯片的制造方法所制造的模具芯片，可减少发生着种问题的可能性，且品质优异。
以上说明的实施方式，是为了易于理解本发明而记载的，并非用于限定本发明而记载。因此，上述实施方式中所公开的各要素，为还包括属于本发明的技术范围的所有设计变更或其等同物的宗旨。
实施例
以下，通过实施例等进一步对本发明进行具体说明，但本发明的范围并不受这些实施例等限定。
[实施例1]
(1)涂布液的调制
调制具有以下成分的涂布液。
将75质量份的丙烯酸2-乙基己酯、10质量份的甲基丙烯酸甲酯、15质量份的丙烯酸2-羟乙酯(hea)共聚后，得到作为丙烯酸类聚合物(a1)的共聚物(换算成聚苯乙烯的重均分子量70万)。
使作为化合物(a2)的甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯(moi)与上述丙烯酸类聚合物(a1)，在作为有机金属催化剂(c)的锆螯合物催化剂(matsumotofinechemicalco.,ltd.制造，“zc-700”)的存在下进行反应。关于化合物(a2)的使用量，相对于被定位作为单体(m1)的hea，为0.6当量，所述单体(m1)提供具有作为丙烯酸类聚合物(a1)中的反应性官能团的羟基的结构单元。。有机金属催化剂(c)的添加量，相对于丙烯酸类聚合物(a1)的固体成分100质量份，为0.1质量份。通过上述反应，得到含有丙烯酸类聚合物(a)以及以有机金属催化剂(c)为基础的成分的产物。
将上述的产物，以及相对于产物中的丙烯酸类聚合物(a)100质量份为0.3质量份的异氰酸酯类交联剂(b)(toyochemco.,ltd.制造，“bhs-8515”)、以及3.0质量份的光聚合引发剂(d)(basf公司制造，“irugacure(注册商标)184”)掺合(全部为换算成固体成分的掺合比)，得到粘着剂组合物。
(2)切割片的制作
准备剥离片(linteccorporation制造，“sp-pet381031”)，该剥离片在厚度为38μm的聚对苯二甲酸乙二酯制基材薄膜的一面上，具有形成有硅酮类剥离剂层而成的剥离面。在此剥离片的剥离面上以刮刀涂布机涂布上述的涂布液。使所获得的涂膜与剥离片一起在100℃的环境下经过1分钟，由此干燥涂膜，同时使其进行交联反应，得到由剥离片与粘着剂层(厚度10μm)形成的层叠体。
在由厚度为140μm的乙烯-甲基丙烯酸共聚物(emaa)薄膜形成的基材一面(已完成电晕处理，表面张力：54mn/m)上，粘贴上述层叠体的粘着剂层一侧的面，以在粘着剂层一侧的面进一步层叠有剥离片的状态，得到由基材与粘着剂层所形成的切割片。
[实施例2]
关于为了获得丙烯酸类聚合物(a)而使用的有机金属催化剂(c)，使用钛螯合物催化剂(matsumotofinechemicalco.,ltd.制造，“tc-750”)，代替锆螯合物催化剂，其使用量相对于丙烯酸类聚合物(a1)的固体成分100质量份，为0.03质量份，除此之外，以与实施例1相同的方式，以在粘着剂层侧的面上层叠有剥离片的状态获得切割片。
[比较例1]
关于为了获得丙烯酸类聚合物(a)而使用的有机金属催化剂(c)，使用锡催化剂(toyochemco.,ltd.制造，“bxx-3778”)，代替锆螯合物催化剂，其使用量相对于丙烯酸类聚合物(a1)的固体成分100质量份，为0.03质量份，除此之外，以与实施例1相同的方式，以在粘着剂层侧的面上层叠有剥离片的状态获得切割片。
[实施例3]
除了将作为为了得到丙烯酸类聚合物(a)而使用的化合物(a2)的moi的使用量，相对于hea设为0.7当量以外，以与实施例1相同的方式，以在粘着剂层一侧的面上层叠有剥离片的状态获得切割片。
[比较例2]
除了将作为为了得到丙烯酸类聚合物(a)而使用的化合物(a2)的moi的使用量相对于hea设为0.9当量以外，以与实施例1相同的方式，以在粘着剂层侧的面上层叠有剥离片的状态获得切割片。
[比较例3]
除了将作为为了得到丙烯酸类聚合物(a)而使用的化合物(a2)的moi的使用量相对于hea设为0.3当量以外，以与实施例1相同的方式，以在粘着剂层侧的面上层叠有剥离片的状态获得切割片。
[比较例4]
除了将粘着剂层的厚度设为30μm以外，以与实施例1相同的方式，以在粘着剂层一侧的面上层叠有剥离片的状态获得切割片。
[比较例5]
将85质量份的丙烯酸2-乙基己酯和15质量份的丙烯酸2-羟乙酯共聚，获得共聚物(换算成聚苯乙烯的重均分子量70万)。除了使用该共聚物代替丙烯酸类聚合物(a1)以外，以与实施例1相同的方式，以在粘着剂层一侧的面上层叠有剥离片的状态获得切割片。
[比较例6]
除了用过下列说明的方法调制粘着剂组合物以外，以与实施例1相同的方式，以在粘着剂层侧的面上层叠有剥离片的状态获得切割片。
相对于共聚物为100质量份，添加交联剂10质量份、能量线固化性化合物40质量份(添加量均为固体成分的量)，获得作为有机溶剂的溶液的粘着剂涂布用组合物。
上述共聚物、交联剂以及能量线固化性化合物的详细内容如下：
共聚物：丙烯酸2-乙基己酯/丙烯酸甲酯/丙烯酸＝50/40/10的组成比例，换算成聚苯乙烯的重均分子量：80万
交联剂：三羟甲基丙烷甲苯二异氰酸酯(tdi-tmp)，toyochemco.,ltd.制造，“bhs8515”
能量线固化性化合物：10官能度聚氨酯丙烯酸酯，分子量：1700、nipponsyntheticchemicalindustryco.,ltd.制造，“uv-1700b”
[试验例1]<芯片飞散的评价>
使用半导体封装用树脂(sumitomobakeliteco.,ltd.制造，“g700”)，制作50mm×50mm、厚度600μm、密封树脂面的算数平均粗糙度ra为1μm的模拟半导体封装。使用贴膜机(linteccorporation制造，“adwillrad2500”)，将通过上述实施例以及比较例所制造的切割片的粘着剂层一侧的面，粘贴于上述制作的模拟半导体封装的密封树脂面上。将由此获得的切割片与模拟半导体封装的层叠体安装在切割用环状框架(discocorporation制造，“2-6-1”)，使用切割装置(discocorporation制造，“dfd-651”)从模拟半导体封装侧切削，进行切割工序，分割为大小为1mm×1mm的模具芯片。此外，切割条件如下：
切割刀片：discocorporation制造，“zbt-5074(z1110ls3)”
刀片厚度：0.17mm
出刀量：3.3mm
刀片转速：30000rpm
切削速度：100mm/分钟
向基材的切入深度：50μm
切削水量：1.0l/min
切削水温度：20℃
以目视观察通过切割工序所得到的、在切割片的粘着剂层一侧的面上粘附模具芯片而成的部件，数出切割工序中从切割片上脱落的模具芯片的个数，该个数除以切割工序中的分割数，求得芯片飞散率(单位:％)。将芯片飞散率为小于10％的情况下，判断为良好；为10％以上的情况下，则判断为不良。结果如表1所示。表1中，“a”指判断为良好，“b”指判断为不良。
[试验例2]＜模具芯片的印字清晰度的评价＞
使用半导体封装用树脂(sumitomobakeliteco.,ltd.制造，“g700”)，制作50mm×50mm、厚度600μm、密封树脂面的算数平均粗糙度ra为1μm的模拟半导体封装。在模拟半导体封装的树脂密封面上，根据以下条件印字加工，形成印字部。
激光印字装置：panasonic公司制造，“lp-v10u-w20”
印字用激光：fayblaser
激光波长：1064nm
扫描速度：400mm/秒
印字脉波期：1000μs
印字部的凹部的平均深度为2μm。印字部的凹部平均深度以以下方式求得。使用激光显微镜(keyence公司制造，“vk-9700”)观察半导体封装的印字部以外的树脂密封表面与构成印字部的凹部的平面，测定其高低差。此外，将包含印字部与印字部以外的界线的区域中的5点作为测定点，将测定点上的高低差的平均值作为印字部的凹部的平均高度。
使用贴膜机(linteccorporation制造，“adwillrad2500”)，将通过上述实施例以及比较例所制造的切割片的粘着剂层一侧的面，粘贴于上述制作的模拟半导体封装的密封树脂面上。将由此获得的切割片与模拟半导体封装的层叠体安装在切割用环状框架(discocorporation制造，“2-6-1”)上，使用切割装置(discocorporation制造，“dfd-651”)，从模拟半导体封装侧切削，进行切割工序，分割为大小为10mm×10mm的模具芯片。此外，切割条件如下：
刀片：discocorporation制造，“zbt-5074(z1110ls3)”
刀片厚度：0.17mm
出刀量：3.3mm
刀片转速：30000rpm
切削速度：100mm/分钟
基材切削深度：50μm
切削水量：1.0l/min
切削水温度：20℃
上述切割工序结束后，以在切割片上配置有模具芯片群的状态静置30天。静置30天后，使用紫外线照射装置(linteccorporation制造，rad-2000m/12)，从切割工序后的切割片的基材侧，在氮气的气氛下照射紫外线(照度230mw/cm2、光量190mj/cm2)。
紫外线照射后，对于切割片的粘着剂层侧的面上附着模具芯片而成的部件则的切割片，使用扩展装置(jcmco.,ltd.制造，“me-300b型”)，以速度1mm/秒对该片实施扩展工序，使该片材在主面内方向上延伸20mm。
然后，对位于切割片上的100个模具芯片进行拾取试验。即，对切割片中的与作为拾取对象的模具芯片接触的部分，从基材侧以针(needle)上顶1.5mm，在与突出的模具芯片的切割片相对侧的相反侧的面上附着真空筒夹(collet)，上提粘附于真空筒夹的模具芯片。
观察包含被拾取的模具芯片的树脂密封面的印字部的区域，根据所需，使用显微ft-ir(perkinelmerco.,ltd.制造，“spectrumone”)测定印字部的凹部，通过以下基准评价模具芯片的印字清晰度。结果如表1所示。
a：不存在印字清晰度降低的模具芯片。
b：存在印字清晰度稍许降低的模具芯片，但对于大部分的模具芯片而言清晰度未降低。对于清晰度稍许降低的模具芯片，使用显微ft-ir测定印字部的凹部，未确认到与构成粘着剂层的材料相同的物质的附着。
c：印字清晰度稍许降低的模具芯片以相当数量存在。对于清晰度稍许降低的模具芯片，使用显微ft-ir测定印字部的凹部，未确认到与构成粘着剂层的材料相同的物质的附着。
d：存在印字清晰度明显降低的模具芯片。对于清晰度明显降低的模具芯片，使用显微ft-ir测定印字部的凹部，确认到与构成粘着剂层的材料相同的物质的附着。
[试验例3]<粘性值的测定>
对于在实施例以及比较例中制造的切割片所具有的粘着剂层的能量线照射前的状态的面，使用直径5mm(5mmφ)的探针，利用探头式初粘力试验仪(rhescacorporation制造，“rpt-100”)进行测定。测定方法以jisz0237:1991中所记载的方法，将剥离速度变更为1mm/分钟，另一方面，负载为100gf/cm2、接触时间为1秒钟，如上述的jis规定的记载所述。求出所测定的能量的量(峰值积分值)，作为粘性值(单位:mj/5mmφ)。结果如表1所示。
[试验例4]<粘着剂层的厚度的测定>
以与实施例以及比较例相同的条件，将实施例以及比较例中使用的粘着剂组合物，涂布在厚度38μm的聚对苯二甲酸乙二酯制薄膜的一面上并干燥，获得由薄膜与粘着剂层所形成的层叠体。此层叠体的厚度利用定压厚度测定器(teclockcorporation制造，”pg-02j”)而测定，从所获得的测定值中减去薄膜厚度，求得粘着剂层厚度(单位:μm)。结果如表1所示。
[试验例5)<照射前模量以及照射后模量的测定>
以使干燥后的厚度为40μm的方式，将实施例以及比较例中所使用的粘着剂组合物涂布在厚度为38μm的剥离薄膜(linteccorporation制造，“sp-pet381031”)的剥离面上，通过将由获得的涂膜以及剥离薄膜所形成的层叠体在100℃下保持1分钟，使涂膜干燥。准备多个以此步骤得到的剥离薄膜上的粘着剂层，制作粘贴而成的层叠体，直至厚度为800μm，穿凿直径为10mm的圆形，作为用于测定的样本。利用粘弹性测定装置(tainstrutments公司制造，“ares”)对样本施加频率1hz的形变，测定-50～150℃的储能模量，获得23℃时的储能模量的值，作为照射前模量(单位:kpa)。结果如表1所示。
以与上述相同的方式，获得由在实施例以及比较例中所使用的粘着剂组合物形成的粘着剂层在剥离薄膜上层叠而成的部件。对于该部件，使用紫外线照射装置(linteccorporation制造，rad-2000m/12)，从上述部件的剥离薄膜一侧在氮气的气氛下进行紫外线照射(照度230mw/cm2、光量190mj/cm2)。对紫外线照射后的部件进行与上述照射前模量的测定时相同的操作，得到23℃下的储能模量的值，作为照射后模量(单位:mpa)。结果如表1所示。
[表1]
根据表1可知，满足本发明条件的实施例的切割片在切割工序中难以发生不良状况，也难以发生上述模具芯片的关于印字清晰度的问题。
工业实用性
本发明所涉及的切割片，适合被用作在作为被粘着面的树脂密封面上具有印字部的模具封装的切割片。