技术特征：
技术总结
公开了基板处理装置。本发明涉及的基板处理装置，其特征在于，包括：进气口(300)，用于向腔室(101)内供应基板处理气体；出气口(400)，用于向外部排出腔室(101)内的基板处理气体；加热器(200)，配置在腔室(101)内，用于对腔室(101)内部进行加热；温度控制器(500)，配置在腔室(101)的外侧面，用于控制腔室壁的温度，其中，所述温度控制器(500)将腔室(101)的内壁的温度保持在50℃至250℃，以防止所述腔室内被气化或干燥的基板上的物质在所述腔室(101)的内壁上冷凝。
技术研发人员：李炳一;朴暻完;康浩荣;朴俊圭
受保护的技术使用者：泰拉半导体株式会社
技术研发日：2015.11.17
技术公布日：2017.09.26