技术特征：
技术总结
一种半导体器件以及改善半导体器件性能的方法，其中改善半导体器件性能的方法包括：提供基底，所述基底表面形成有栅极结构；刻蚀位于所述栅极结构两侧的第一厚度的基底，形成第一开口；在所述第一开口侧壁表面形成第一侧墙；沿所述第一侧墙暴露出的第一开口底部向下刻蚀去除第二厚度的基底，在所述第一开口下方形成第二开口，且所述第二开口的宽度尺寸小于第一开口的宽度尺寸；去除所述第一侧墙；形成填充满所述第一开口和第二开口的应力层，且在所述第一开口的应力层内形成轻掺杂区。本发明在提高应力层施加于沟道区的应力作用的同时，提高形成的轻掺杂区的性能，避免轻掺杂区被刻蚀和受到注入晶格损伤，进而改善形成的半导体器件的性能。
技术研发人员：李勇;洪中山
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
技术研发日：2016.01.08
技术公布日：2017.07.18