本发明涉及发光显示技术领域，尤其涉及一种复合阳极、QLED器件及其制备方法。
背景技术：
量子点发光二极管（QLED）因具备高亮度、低功耗、广色域、易加工等诸多优点，近年来在照明和显示领域获得了广泛的关注与研究。经过多年的发展，QLED技术获得了巨大的发展。
如图1所示，QLED通常是以ITO基板作为载体制备获得，其从下至上依次包括：玻璃10、ITO阳极20、空穴传输层（HTL）30、量子点发光层（QD）40、电子传输层（ETL）50、阴极（Al）60、由于ITO阳极20表面或者边缘不平整，并且阴极与阳极之间的距离较小，所以ITO阳极20表面或边缘的不平整位置直接和阴极60相连，导致产生大量漏电流。
因此，现有技术还有待于改进和发展。
技术实现要素：
鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种复合阳极、QLED器件及其制备方法，旨在解决现有技术中阳极表面或边缘不平整导致出现大量漏电流的问题。
本发明的技术方案如下：
一种复合阳极的制备方法，其中，包括步骤：
A、在基板上旋涂PMMA溶液，并烘干；
B、然后在PMMA表面滴加AgNWs溶液，并使AgNWs溶液在PMMA表面均匀的铺展，然后干燥；
C、在AgNWs表面旋涂一层CPI，然后进行固化处理；
D、然后剥离PMMA，形成AgNWs-CPI复合阳极。
所述的复合阳极的制备方法，其中，所述步骤B中，通过翻转基板使AgNWs溶液均匀的铺展。
所述的复合阳极的制备方法，其中，所述步骤D中，将所述基板浸泡于丙酮中，以剥离PMMA。
所述的复合阳极的制备方法，其中，所述CPI为无色透明材质。
所述的复合阳极的制备方法，其中，所述步骤C中，固化条件为120~180℃、固化40~80min。
所述的复合阳极的制备方法，其中，所述步骤B中，干燥条件为红外照射6~16min。
所述的复合阳极的制备方法，其中，所述步骤A中，烘干温度为100~140℃。
一种复合阳极，其中，采用如上所述的制备方法制成。
一种QLED器件的制备方法，其中，包括步骤：
A、在基板上旋涂PMMA溶液，并烘干；
B、然后在PMMA表面滴加AgNWs溶液，并使AgNWs溶液在PMMA表面均匀的铺展，然后干燥；
C、在AgNWs表面旋涂一层CPI，然后进行固化处理；
D、然后剥离PMMA，形成AgNWs-CPI复合阳极；
E、在所述AgNWs-CPI复合阳极表面沉积空穴传输层；
F、在空穴传输层表面沉积量子点发光层；
G、在量子点发光层表面依次沉积电子传输层和电子注入层；
H、最后蒸镀阴极得到QLED器件。
一种QLED器件，其中，采用如上所述的制备方法制成。
有益效果：本发明通过在AgNWs（silvernanowires，银纳米线）表面上旋涂一层CPI（colorlesspolyimide，无色透明的聚亚酰胺），使AgNWs镶嵌在CPI内部，从而得到平整的AgNWs-CPI复合阳极结构，进而减小漏电流，来提高QLED性能，此外，本发明所制备的AgNWs-CPI复合阳极具有一定的柔性，具有适当弯曲的性能。
附图说明
图1为现有技术中不平整的ITO制备的QLED器件结构示意图。
图2为本发明复合阳极的制备方法流程图。
图3为本发明复合阳极的结构示意图。
图4为本发明QLED器件的制备方法流程图。
具体实施方式
本发明提供一种复合阳极、QLED器件及其制备方法，为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
如图2所示，本发明提供的一种复合阳极的制备方法较佳实施例，其包括步骤：
S1、在基板上旋涂PMMA溶液，并烘干；
S2、然后在PMMA表面滴加AgNWs溶液，并使AgNWs溶液在PMMA表面均匀的铺展，然后干燥；
S3、在AgNWs表面旋涂一层CPI，然后进行固化处理；
S4、然后剥离PMMA，形成AgNWs-CPI复合阳极。
具体来说，在所述步骤S1之前还包括：对基板进行清洗。
清洗的过程具体如下：将基板按次序置于丙酮、洗液、去离子水以及异丙醇中进行超声清洗，以上每一步超声清洗均需持续15分钟左右。待超声清洗完成后，将基板放置于洁净烘箱内烘干备用。本发明中的基板以ITO玻璃为例。
在所述步骤S1中，在基板上旋涂PMMA溶液（聚甲基丙烯酸甲酯溶液），然后进行烘干处理。烘干温度优选为100~140℃，例如120℃，最终使PMMA形成网状结构。
在所述步骤S2中，将旋涂了PMMA溶液的基板放置在Mayer-rod装置（麦勒棒涂布装置）上，迅速滴加AgNWs溶液，并开始翻转装置，使AgNWs溶液在PMMA上均匀铺展开来。铺展均匀后，开始红外照射，使AgNWs溶液干燥，照射时间优选为6~16min，例如10min。
在所述步骤S3中，在沉积了AgNWs的基板上旋涂一层CPI，即在AgNWs表面旋涂一层CPI，然后进行固化处理。固化条件优选为120~180℃下、固化40~80min，例如在150℃下固化60min。
本发明中的CPI优选为无色透明材质，并且具有足够的机械性能可以支撑沉积在其上的薄膜。
在所述步骤S4中，将所述基板浸泡于丙酮中，以剥离PMMA。优选浸泡1~3min，例如2min，以形成最终的AgNWs-CPI复合阳极。
本发明通过在已经形成网状结构的AgNWs上旋涂一层CPI，使AgNWs镶嵌在CPI内部，从而使AgNWs平整化，最终得到平整的AgNWs-CPI复合阳极结构。本发明的复合阳极结构可减小漏电流，从而提高了QLED器件性能，本发明的制备方法简单，便于量产，可用于大规模制备QLED器件。另外，本发明所制备的AgNWs-CPI复合阳极还具有一定的柔性，所以可适当弯曲，可用来制作柔性QLED器件。
本发明还提供一种复合阳极，其采用如上所述的制备方法制成。
如图3所示，本发明所提供的一种QLED器件的制备方法较佳实施例，其包括步骤：
S1、在基板上旋涂PMMA溶液，并烘干；
S2、然后在PMMA表面滴加AgNWs溶液，并使AgNWs溶液在PMMA表面均匀的铺展，然后干燥；
S3、在AgNWs表面旋涂一层CPI，然后进行固化处理；
S4、然后剥离PMMA，形成AgNWs-CPI复合阳极；
S5、在所述AgNWs-CPI复合阳极表面沉积空穴传输层；
S6、在空穴传输层表面沉积量子点发光层；
S7、在量子点发光层表面依次沉积电子传输层和电子注入层；
S8、最后蒸镀阴极得到QLED器件。
关于上述步骤S1~S4的具体细节与前述的复合阳极制备方法流程相同，故不再赘述。
在所述步骤S5中，在AgNWs-CPI复合阳极170（如图4所示，其包括AgNWs120和CPI110）表面沉积一层空穴传输层130，此空穴传输层130的厚度为0-100nm，优选40-50nm，例如45nm，然后进行热处理。
在所述步骤S6中，待上一步处理的基板冷却后，将量子点发光层140沉积在空穴传输层130表面，其厚度优选为10-100nm，如50nm。这一步的沉积完成后，将基板放置在80℃的加热台上加热10分钟，除去残留的溶剂。
在所述步骤S7中，在量子点发光层140表面依次沉积电子传输层和电子注入层（二者合标为150），其中，电子传输层优选具有高的电子传输性能的n型氧化锌，其较佳的厚度为30-60nm，例如45nm；电子注入层可以选择具有低功函数的Ca或Ba等金属，也可以选择CsF,、LiF或CsCO3等化合物，还可以是其它电解质型材料。
在所述步骤S8中，将沉积完各功能层的基板置于蒸镀仓中通过掩膜板热蒸镀一层金属银或者铝作为阴极160，阴极160的厚度可以是80~120nm，例如100nm。至此，QLED器件制备完成。
本发明还提供一种QLED器件，其采用如上所述的制备方法制成。
综上所述，本发明通过在AgNWs表面上旋涂一层CPI，使AgNWs镶嵌在CPI内部，从而得到平整的AgNWs-CPI复合阳极结构，进而减小漏电流，来提高QLED性能，此外，本发明所制备的AgNWs-CPI复合阳极具有一定的柔性，具有适当弯曲的性能。
应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。