本发明属于LED芯片制造技术领域。
背景技术：
四元系LED 芯片由于其发光效率高，波长范围广，使用寿命长而受到半导体照明界的广泛重视，已被大量应用于大屏显示、交通信号灯、景观照明、汽车状态显示等各个领域。
四元系LED 芯片制程中后段的制作方法是将整片芯片分割成单一晶粒、人工倒边翻转、扩张、人工负极外观检测、再翻转、人工正极外观检测。其中两次翻转过程由于是与蓝膜作载体，这样会导致蓝膜上胶层与芯片正面接触，产生陷膜、残胶等问题。另外，从分割到正检测完成均为人工作业，人为污染、多误挑、少挑等问题严重影响成品合格良率。
技术实现要素：
本发明的目的是提供一种生产效率高、成本较低、成品合格率较高、材料节省的四元系LED 芯片的制作方法。
本发明先在GaAs 基板一侧面外延生长形成具有发光层的外延片，然后在外延片的两侧分别制作正电极和负电极，取得具有多元胞的芯片半制品；其特点还包括以下步骤：
1）把所述芯片半制品正电极向上，在负电极的表面粘附蓝膜，然后从上至下对芯片半制品进行各元胞等间距半分割；
2）将芯片半制品从蓝膜上分离出来后，对各元胞进行光电参数测试；
3）将芯片半制品正电极向上，再在负电极的表面粘附蓝膜，然后从上至下对芯片半制品进行各元胞等间距全分割，直至分割到蓝膜上方为止；
4）将具有蓝膜的芯片半制品进行扩张处理；
5）将具有蓝膜的芯片半制品进行晶粒外观检测机扫描辨识，确认每颗晶粒的坐标，并设定刮边排数，采用晶粒外观检测设备进行自动刮边、检测晶粒正电极外观；
6）翻转具有蓝膜的芯片半制品，使半制品的负电极向上，对负电极外观进行检测；
7）再次翻转，使正电极向上人工进行外观复检。
与现有工艺技术相比，本发明具有以下优势：全切割完成后，无需进行翻转可进行扩张，节省蓝膜用量，利于降低成本；在整个制作工艺过程中，人工引入较少，节约了人力资本，明显地降低因人工导致的误挑、少挑、污染等问题；从而大大提高成品的优良率。
具体实施方式
本发明选用的外延层基板材料为GaAs，GaAs作为四元系红黄光LED 芯片的衬底材料优势明显，GaAs 的化学性质稳定，与AlGaInP四元材料晶格匹配良好，导电性、导热性均良好。
前制程工艺步骤：
在GaAs基板的一面通过MOCVD外延技术生长一层具有PN结的发光层，即芯片的PN 连接面。
在发光层上沉积上一层AuBe薄膜层，通过光刻、蚀刻以等间距图案排列，在400～500℃下进行P极合金，制成各元胞的正电极。
在GaAs 基板上沉积一层AuGe薄膜层，在300～500℃下进行N极合金，制成各元胞的负电极。
通过以上前制程，取得了具有多元胞的芯片半制品。
后制程工艺步骤：
把具有多元胞的芯片半制品的正电极向上，在负电极的表面粘附在蓝膜上，然后用金刚石切割刀按前制程所形成的各元胞图案对芯片进行等间距半分割。
将半分割好的芯片的负电极表面与蓝膜分开，把半分割好的各元胞正电极面向上进行光电参数测试，测试各元胞的LOP、WLD、Vf、IR等参数。
测试后，将各元胞的正电极向上，在负电极的表面再粘附回上述蓝膜上，用金刚石切割刀按前制程所形成的各元胞图案对芯片进行等间距全分割，直至露出蓝膜。
将全分割好的芯片在蓝膜上进行扩张。
将完成扩张的芯片进行晶粒外观检测机扫描辨识，确认每颗晶粒的坐标，依据芯片尺寸进行刮边排数设定，设定完成后利用晶粒外观检测设备进行自动刮边，刮边完成后进行晶粒正电极外观检测，将外观不良的芯片进行自动挑除。
翻转芯片，使各元胞的负电极向上，进行设备自动晶粒负电极外观检测，将外观不良的芯片进行自动挑除。
将完成挑除的芯片进行翻转，使各元胞的正电极向上人工进行外观复检，取合格品进入包装。