发光装置及其制作方法与流程

本发明是有关于一种发光装置及其制作方法，且特别是有关于一种以发光二极管作为光源的发光装置及其制作方法。

背景技术：

一般来说，发光二极管封装结构通常是将发光二极管芯片配置在由陶瓷材料或金属材料所形成之凹杯型态的承载基座上，以固定及支撑发光二极管芯片。之后，再使用封装胶体来包覆发光二极管芯片，而完成发光二极管封装结构的制作。此时，发光二极管芯片的电极是位于承载基座的上方并位于凹杯内。然而，凹杯型态的承载基座具有一定的厚度，而使得发光二极管封装结构的厚度无法有效降低，因而使发光二极管封装结构无法满足现今薄型化的需求。

技术实现要素：

本发明提供一种发光装置，其无需采用现有的承载支架，可具有较薄的封装厚度且符合薄型化的需求。

本发明提供一种发光装置的制作方法，用以制作上述的发光装置。

本发明的发光装置，其包括一波长转换层、至少一发光单元及一反射保护件。波长转换层具有彼此相对的一上表面与一下表面。发光单元具有二电极垫，且二电极垫位于发光单元的同一侧。发光单元配置在波长转换层的上表面上并露出二电极垫。反射保护件包覆至少部分发光单元及部分波长转换层，且暴露出发光单元的二电极垫。

在本发明的一实施例中，上述的发光装置还包括：一透光层，配置在波长转换层上且位于发光单元与反射保护件之间。

在本发明的一实施例中，上述的透光层还配置在波长转换层与发光单元之间。

在本发明的一实施例中，上述的反射保护件还包含一与发光单元接触的反射面。

在本发明的一实施例中，上述的反射保护件的反射面为一平面或一曲面。

在本发明的一实施例中，上述的反射保护件还完全包覆波长转换层的一侧面。

在本发明的一实施例中，上述的反射保护件的一底面与波长转换层的下表面形成一平面。

在本发明的一实施例中，上述的反射保护件还至少包覆部分波长转换层的一侧面。

在本发明的一实施例中，上述的未被反射保护件包覆的部分波长转换层的侧面与反射保护件的一侧面形成发光装置的一侧平面。

在本发明的一实施例中，上述的波长转换层还包括未被反射保护件包覆的一第一暴露侧部与一第二暴露侧部。第一暴露侧部与第二暴露侧部不平行，且波长转换层于第一暴露侧部处的厚度不同于波长转换层于第二暴露侧部处的厚度。

在本发明的一实施例中，上述的波长转换层还包括一低浓度荧光层以及一高浓度荧光层，高浓度荧光层位于低浓度荧光层与发光单元之间。

在本发明的一实施例中，上述的反射保护件填充于二电极垫之间的一间隙。

在本发明的一实施例中，上述的反射保护件完全填满二电极垫之间的间隙且反射保护件的一表面切齐于二电极垫的一表面。

在本发明的一实施例中，上述的至少一发光单元为多个发光单元，波长转换层具有至少一沟槽，位于二发光单元之间。

本发明的发光装置的制作方法，其包括以下步骤。提供一波长转换层；将多个间隔排列的发光单元配置在波长转换层上，并暴露出每一发光单元的二电极垫；在波长转换层上形成多个沟槽，其中沟槽位于发光单元之间；形成一反射保护件于波长转换层上以及发光单元间并填满沟槽，其中反射保护件暴露出发光单元的电极垫；以及沿着沟槽进行一切割程序，以形成多个发光装置。

在本发明的一实施例中，上述的每一沟槽的深度至少为波长转换层的厚 度的一半。

在本发明的一实施例中，上述的发光装置的制作方法，还包括：将间隔排列的发光单元配置在波长转换层上之后，形成一透光层于波长转换层上。

在本发明的一实施例中，上述的发光装置的制作方法，还包括：将间隔排列的发光单元配置在波长转换层上之前，形成一透光层于波长转换层上。

在本发明的一实施例中，上述的反射保护件还包含一与发光单元接触的反射面。

在本发明的一实施例中，上述的反射保护件的反射面为一平面或一曲面。

在本发明的一实施例中，上述的波长转换层还包括一低浓度荧光层以及一高浓度荧光层，发光单元配置在高浓度荧光层上。

基于上述，由于本发明的反射保护件包覆发光单元的侧表面，且反射保护件的底面切齐于发光单元的第一电极垫的第一底面以及第二电极垫的第二底面。因此，本发明的发光装置不但不需要使用现有的承载支架来支撑及固定发光单元，而可有效较少封装厚度以及制作成本，同时，也可有效提高发光单元的正向出光效率。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。

附图说明

图1示出为本发明的一实施例的一种发光装置的示意图；

图2示出为本发明的另一实施例的一种发光装置的示意图；

图3示出为本发明的另一实施例的一种发光装置的示意图；

图4示出为本发明的另一实施例的一种发光装置的示意图；

图5示出为本发明的另一实施例的一种发光装置的示意图；

图6示出为本发明的另一实施例的一种发光装置的示意图；

图7示出为本发明的另一实施例的一种发光装置的示意图；

图8示出为本发明的另一实施例的一种发光装置的示意图；

图9示出为本发明的另一实施例的一种发光装置的示意图；

图10A至图10D示出为本发明的一实施例的一种发光装置的制作方法的剖面示意图；

图11A至图11C示出为本发明的另一实施例的一种发光装置的制作方法的局部步骤的剖面示意图；

图12A至图12E示出为本发明的另一实施例的一种发光装置的制作方法的剖面示意图；

图13A至图13D示出为本发明的另一实施例的一种发光装置的制作方法的局部步骤的剖面示意图；

图14A至图14E示出为本发明的另一实施例的一种发光装置的制作方法的剖面示意图；

图15A至图15E示出为本发明的另一实施例的一种发光装置的制作方法的剖面示意图；

图16A至图16C示出为本发明的多个实施例的发光装置的剖面示意图；

图17A至图17E示出为本发明的一实施例的一种发光装置的制作方法的剖面示意图；

图18A与图18B示出为本发明的二实施例的二种发光装置的剖面示意图；

图19A至图19E示出为本发明的另一实施例的一种发光装置的制作方法的剖面示意图；

图20A示出为图19E的发光装置的立体示意图；

图20B示出为沿图20A的线X-X的剖面示意图；

图21A示出为本发明的另一实施例的一种发光装置的立体示意图；

图21B与图21C分别示出为沿图21A的线X’-X’以及线Y’-Y’的剖面示意图。

附图标记说明：

10：基板；

10a：双面胶膜；

20：另一基板；

20a：UV胶膜；

30：第一离型膜；

40：第二离型膜；

100a、100b、100c、100d、100e、100f、100g、100h、100i、100j、100k、 100m、100n、100p、200a、200b、200c、200d：发光装置；

101：单元；

110a、110b、110c、110c’、220：发光单元；

112a、112b、112c、222：上表面；

113、113’、223：第一电极垫；

113a：第一底面；

113b：第一侧表面；

114a、114b、114c、224：下表面；

115、115’、225：第二电极垫；

115a：第二底面；

115b：第二侧表面；

116a、116b、116c：侧表面；

120、120’、120c、120d、120m、120n、120p、240、240a、240b：反射保护件；

121：边缘；

122、122c、122d：顶面；

124、124m、124n：底面；

130d、130c：第一延伸电极；

140d、140c：第二延伸电极；

150：封装胶层；

150c、150c’、230a、230b、230c：透光胶层；

160、160’：透光层；

170、170’、170a、210、210’：波长转换胶层；

171、171a：侧边缘；

172、172a、214、214’：高浓度荧光胶层；

173：顶面；

173a：边缘；

174、174a、212、212’、212”：低浓度荧光胶层；

212a、212a’、212a”：平板部；

212b：突出部；

212b’：突出子部；

226：侧表面；

232：内凹表面；

234：外凸表面；

236：倾斜表面；

242、242a、242b：反射面；

A：单元；

C：沟槽；

C1、C1’：沟槽；

C2’：第二沟槽；

D：深度；

E：延伸电极层；

G：间距；

H：高度差；

L：切割线；

M1：第一金属层；

M2：第二金属层；

S：间隙；

T：厚度；

T1：第一厚度；

T2：第二厚度；

W：宽度；

X-X、X’-X’、Y-Y、Y’-Y’：线。

具体实施方式

图1示出为本发明的一实施例的一种发光装置的示意图。请先参考图1，在本实施例中，发光装置100a包括一发光单元110a以及一反射保护件120。发光单元110a具有彼此相对的一上表面112a与一下表面114a、一连接上表面112a与下表面114a的侧表面116a以及位于下表面114a上且彼此分离的一第一电极垫113与一第二电极垫115。反射保护件120包覆发光单元110a 的侧表面116a且暴露出至少部分上表面112a及暴露出第一电极垫113的至少部分一第一底面113a以及第二电极垫115的至少部分一第二底面115a。

更具体来说，如图1所示，本实施例的发光单元110a的上表面112a与反射保护件120的一顶面122切齐，反射保护件120的一底面124与第一电极垫113的一第一底面113a以及第二电极垫115的一第二底面115a切齐，且反射保护件120可覆盖或暴露出发光单元110a位于第一电极垫113与一第二电极垫115之间的下表面114a。在本实施例中，发光单元110a的侧表面116a垂直于上表面112a与下表面114a，但并不以此为限，而发光单元110a例如是发光二极管，发光二极管的发光波长(包括但不限于)介于315纳米至780纳米之间，发光二极管包括但不限于紫外光、蓝光、绿光、黄光、橘光或红光发光二极管。

反射保护件120的反射率至少大于90％，也就是说，本实施例的反射保护件120具有高反射率的特性，其中反射保护件120的材质为包括一掺有高反射粒子的高分子材料，高反射粒子例如但不限于是二氧化钛(TiO₂)粉末，而高分子材料例如不限于是环氧树脂或硅树脂。此外，本实施例的发光单元110a的第一电极垫113与第二电极垫115的材质为一金属材料或金属合金，例如是金、铝、锡、银、铋、铟或其组合，但不以此为限。

在本实施例中，反射保护件120包覆发光单元110a的侧表面116a，且暴露出发光单元110a的第一电极垫113的第一底面113a以及第二电极垫115的第二底面115a，发光装置100a不需要使用现有的承载支架来支撑及固定发光单元110a，而可有效减少封装厚度以及制作成本，同时，也可通过具有高反射率的反射保护件120来有效提高发光单元110a的正向出光效率。

在此必须说明的是，下述实施例沿用前述实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同的标号来表示相同或近似的元件，相同技术内容的说明可参考前述实施例，下述实施例不再重复赘述。

图2示出为本发明的另一实施例的一种发光装置的示意图。请同时参考图1与图2，本实施例的发光装置100b与图1中的发光装置100a的主要差异之处在于：本实施例的发光单元110b的侧表面116b并非垂直于上表面112b与下表面114b，本实施例中发光单元100b的上表面112b的表面积大于下表面114b的表面积，侧表面116b与下表面114b的夹角例如是介于95度到150 度之间。本实施例的发光单元110b的上表面112b、侧表面116b及下表面114b所界定的外型轮廓呈现倒梯形，因此可减少发光单元110b侧向出光，且高反射率的反射保护件120可更进一步地有效提高发光单元110b的正向出光效率。

图3示出为本发明的另一实施例的一种发光装置的示意图。请同时参考图1与图3，本实施例的发光装置100c与图1中的发光装置100a的主要差异之处在于：本实施例的发光装置100c还包括一第一延伸电极130c以及一第二延伸电极140c。第一延伸电极130c配置在反射保护件120的底面124上，且与第一电极垫113电性连接。第二延伸电极140c配置在反射保护件120的底面124上，且与第二电极垫115电性连接。第一延伸电极130c与第二延伸电极140c彼此分离且覆盖反射保护件120的至少部分底面124。

如图3所示，本实施例的第一延伸电极130c与第二延伸电极140c的设置完全重叠于第一电极垫113与第二电极垫115，且朝着反射保护件120的边缘延伸。当然，在其他未示出的实施例中，第一延伸电极与第二延伸电极的设置也可部分重叠于第一电极垫与第二电极垫，只要第一延伸电极与第二延伸电极电性连接至第一电极垫与第二电极垫的设置即为本实施例所欲保护之范围。此外，本实施例的第一延伸电极130c与第二延伸电极140c暴露出反射保护件120的部分底面124。

在本实施例中，第一延伸电极130c与第二延伸电极140c的材质可分别相同或不同于发光单元110a的第一电极垫113与第二电极垫115。当第一延伸电极130c与第二延伸电极140c的材质分别相同于发光单元110a的第一电极垫113与第二电极垫115时，第一延伸电极130c与第一电极垫113之间可为无接缝连接，即为一体成型的结构，第二延伸电极140c与第二电极垫115之间可为无接缝连接，即为一体成型的结构。当第一延伸电极130c与第二延伸电极140c的材质分别不同于发光单元110a的第一电极垫113与第二电极垫115时，第一延伸电极130c与第二延伸电极140c的材质可例如是银、金、铋、锡、铟或上述材料组合的合金。

由于本实施例的发光装置100c具有与发光单元110a的第一电极垫113与第二电极垫115分别电性连接的第一延伸电极130c与第二延伸电极140c，因此可有效增加发光装置100c的电极接触面积，以利于后续将此发光装置 100c与其他外部电路进行组装，可有效提高对位精准度及组装效率。举例来说，第一延伸电极130c的面积大于第一电极垫113的面积，第二延伸电极140c的面积大于第二电极垫115的面积。

图4示出为本发明的另一实施例的一种发光装置的示意图。请同时参考图3与图4，本实施例的发光装置100d与图3中的发光装置100c的主要差异之处在于：本实施例的第一延伸电极130d的边缘与第二延伸电极140d的边缘切齐于反射保护件120的边缘。

图5示出为本发明的另一实施例的一种发光装置的示意图。请同时参考图1与图5，本实施例的发光装置100e与图1中的发光装置100a的主要差异之处在于：本实施例的发光装置100e还包括一封装胶层150，其中封装胶层150配置在发光单元110a的上表面112a上，以增加光取出率及改善光型。封装胶层150也可以延伸至反射保护件120的至少部分上表面122上，封装胶层150的边缘也可以切齐于反射保护件120的边缘。另外，封装胶层150内也可以掺杂有至少一种波长转换材料，波长转换材料系用以将发光单元110a所发出的至少部分光线的波长转换成其他波长，且波长转换材料的材质包括荧光材料、磷光材料、染料、量子点材料及其组合，其中波长转换材料的粒径例如是介于3微米到50微米之间。另外，封装胶层150内也可以掺杂具有高散射能力的氧化物，例如是二氧化钛(TiO₂)或二氧化硅(SiO₂)，以增加出光效率。

在本发明一实施例中，发光单元包括但不限于紫外光、蓝光、绿光、黄光、橘光或红光发光单元，而波长转换材料包括但不限于红色、橘色、橘黄色、黄色、黄绿色或绿色的波长转换材料或其组合，用以将发光单元所发出的光的部分或全部进行波长转换。波长转换的光与波长未转换的光进行混光后，使得发光装置发出主波长(dominant wavelenghth)在一特定范围的光，其光色例如包括但不限于红色、橘色、橘黄色、琥珀色、黄色、黄绿色或绿色，或是发出具有特定相对色温的白光，相对色温的范围例如是介于2500K至7000K之间，但不以此为限。

图6示出为本发明的另一实施例的一种发光装置的示意图。请同时参考图6与图4，本实施例的发光装置100f与图4中的发光装置100d的主要差异之处在于：本实施例的发光装置100f还包括一封装胶层150，其中封装胶层 150配置在发光单元110a的上表面112a上，以增加光取出率及改善光型。封装胶层150也可以延伸至反射保护件120的至少部分上表面122上，封装胶层150的边缘也可以切齐于反射保护件120的边缘，另外，封装胶层150内也可以掺杂有至少一种波长转换材料，波长转换材料系用以将发光单元110a所发出的至少部分光线的波长转换成其他波长，且波长转换材料的材质包括荧光材料、磷光材料、染料、量子点材料及其组合，其中波长转换材料的粒径例如是介于3微米到50微米之间。另外，封装胶层150内也可以掺杂具有高散射能力的氧化物，例如是二氧化钛(TiO₂)或二氧化硅(SiO₂)，以增加出光效率。

须说明的是，在图4及图6的实施例中，第一延伸电极130d的边缘与第二延伸电极140d的边缘切齐于反射保护件120的边缘，这样的设计不但可以扩大电极的接触面积，且在制程中，反射保护件120可以同时封装多个相间隔的发光单元110a，之后形成图案化金属层以分别形成第一延伸电极130d与第二延伸电极140d，之后再进行切割，使每一发光装置100f的第一延伸电极130d的边缘与第二延伸电极140d的边缘切齐于反射保护件120的边缘，如此可有效节省制程时间。

图7示出为本发明的另一实施例的一种发光装置的示意图。请同时参考图7与图5，本实施例的发光装置100g与图5中的发光装置100e的主要差异之处在于：本实施例的发光装置100g还包括一透光层160，配置在封装胶层150上，其中透光层160的透光率，例如是大于50％。在本实施例中，透光层160的材质例如是玻璃、陶瓷、树脂、压克力或硅胶等，其目的在于可发光单元110a所产生的光导引至外界，可有效增加发光装置100g的光通量及光取出率，且也可有效保护发光单元110a以避免受到外界水气与氧气的侵袭。

图8示出为本发明的另一实施例的一种发光装置的示意图。请同时参考图8与图7，本实施例的发光装置100h与图7中的发光装置100g的主要差异之处在于：本实施例的发光装置100h的透光层160’是配置在发光单元110a的上表面110a与封装胶层150之间。

图9示出为本发明的另一实施例的一种发光装置的示意图。请同时参考图9与图6，本实施例的发光装置100i与图6中的发光装置100f的主要差异之处在于：本实施例的发光装置100i还包括一透光层160，配置在封装胶层 150上，其中透光层160的透光率，例如是大于50％。在本实施例中，透光层160的材质例如是玻璃、陶瓷、树脂、压克力或硅胶等，其目的在于可发光单元110a所产生的光导引至外界，可有效增加发光装置100i的光通量及光取出率，且也可有效保护发光单元110a以避免受到外界水气与氧气的侵袭。

以下将以图1、图7、图4及图9中的发光装置100a、100g、100d、100i为例，并分别配合10A至图10D、图11A至图11C、图12A至图12E以及图13A至图13D对本发明的发光装置的制作方法进行详细的说明。

图10A至图10D示出为本发明的一实施例的一种发光装置的制作方法的剖面示意图。首先，请参考图10A，将多个发光单元110a配置在一基板10上，其中每一发光单元110a具有彼此相对的上表面112a与下表面114a、连接上表面112a与下表面114a的侧表面116a以及位于下表面114a上且彼此分离的第一电极垫113与第二电极垫115。每一发光单元110a的第一电极垫113与第二电极垫115设置在基板10上。也就是说，发光单元110a的发光面，即上表面112a是相对远离基板10。在本实施例中，基板10的材质例如是不锈钢、陶瓷或其他不导电的材质。发光单元110a例如是发光二极管，发光二极管的发光波长(包括但不限于)介于315纳米至780纳米之间，发光二极管包括但不限于紫外光、蓝光、绿光、黄光、橘光或红光发光二极管。

接着，请参考图10B，形成一反射保护件120’于基板10上，其中反射保护件120’包覆每一发光单元110a。也就是说，反射保护件120’完全且直接覆盖发光单元110a的上表面112a、下表面114a以及侧表面116a，且填满第一电极垫113与第二电极垫115之间的空隙。此处，反射保护件120’的反射率至少大于90％，也就是说，本实施例的反射保护件120’可具有高反射率的特性，其中反射保护件120’的材质包括一掺杂高反射粒子的高分子材料，高反射粒子例如但不限于是二氧化钛(TiO₂)粉末，而高分子材料例如不限于是环氧树脂或硅树脂。

接着，请参考图10C，移除部分反射保护件120’，而形成反射保护件120，其中反射保护件120暴露出每一发光单元110a的至少部分上表面112a。此时，每一发光单元110a的上表面112a可能切齐于反射保护件120的顶面122。此处，移除部分反射保护件120’的方法包括例如是研磨法或抛光法。

之后，请参考图10D，进行一切割程序，以沿着切割线L切割反射保护 件120，而形成多个彼此分离的发光装置100a，其中每一发光装置100a分别具有至少一个发光单元110a以及反射保护件120，反射保护件120包覆发光单元110a的侧表面116a且暴露出其至少部分上表面112a。

最后，请再参考图10D，移除基板10，以暴露每一发光装置100a的反射保护件120的底面124，并暴露出每一发光装置100a的第一电极垫113的至少部分第一底面113a以及第二电极垫115的至少部分第二底面115a。

图11A至图11C示出为本发明的另一实施例的一种发光装置的制作方法的局部步骤的剖面示意图。本实施例的发光装置的制作方法与上述图10A至图10D中的发光装置的制作方法的主要差异之处在于：在图10C与图10D的步骤之间，意即于移除部分反射保护件120’之后，且于进行切割程序之前，请参考图11A，形成封装胶层150于发光单元110a与反射保护件120上，以增加光取出率及改善光型。此处，封装胶层150覆盖发光单元110a的上表面112a与反射保护件120的顶面122，且封装胶层150内也可以掺杂有至少一种波长转换材料。波长转换材料的说明请参考前述实施例。另外，封装胶层150内也可以掺杂具有高散射能力的氧化物，例如是二氧化钛(TiO₂)或二氧化硅(SiO₂)，以增加出光效率。

接着，请参考图11B，形成一透光层160于发光单元110a与反射保护件120上，其中透光层160位于封装胶层150上，且覆盖封装胶层150。举例来说，透光层160的透光率大于50％。在此实施例中，透光层160的材质例如是玻璃、陶瓷、树脂、压克力或硅胶等，其目的在于可发光单元110a所产生的光导引至外界，可有效增加后续所形成的发光单元封光结构100g的光通量及光取出率，且也可有效保护发光单元110a以避免受到外界水气与氧气的侵袭。

之后，请参考图11C，进行一切割程序，以沿着切割线L切割透光层160、封装胶层150以及反射保护件120，而形成多个彼此分离的发光装置100g。最后，请再参考图11C，移除基板10，以暴露每一发光装置100g的反射保护件120的底面124，其中每一发光装置100g的反射保护件120的底面124暴露出第一电极垫113的至少部分第一底面113a以及第二电极垫115的至少部分第二底面115a。在本发明另一实施例中，也可先移除基板10再进行一切割程序。

图12A至图12E示出为本发明的另一实施例的一种发光装置的制作方法的剖面示意图。请先参考图12A，本实施例的发光装置的制作方法与上述图10A至图10D中的发光装置的制作方法的主要差异之处在于：请参考图12A，本实施例的发光单元110a并不是由第一电极垫113与第二电极垫115接触基板10，而是由其上表面112a接触基板10。

接着，请参考图12B，形成一反射保护件120’于基板上，其中反射保护件包覆每一发光单元110a。

接着，请参考图12C，移除部分反射保护件120’，以形成反射保护件120，其中反射保护件120暴露出每一发光单元110a的第一电极垫113的至少部分第一底面113a以及第二电极垫115的至少部分第二底面115a。

接着，请参考图12D，形成一图案化金属层作为延伸电极层E，位于每一发光单元110a的第一电极垫113的第一底面113a上以及第二电极垫115的第二底面115a上。此处，形成图案化金属层的方法例如是蒸镀法、溅镀法、电镀法或化学镀法以及光罩蚀刻法。

接着，请参考图12E，进行一切割程序，以沿着切割线切割延伸电极层E与反射保护件120，而形成多个彼此分离的发光装置100d。每一发光装置100d分别具有至少一个发光单元110a、至少包覆发光单元110a的侧表面116a的反射保护件120、直接接触第一电极垫113的第一延伸电极130d以及直接接触第二电极垫115的第二延伸电极140d。第一延伸电极130d与第二延伸电极140d彼此分离且暴露出反射保护件120的至少部分底面124。此时，第一延伸电极130d的面积可大于第一电极垫113的面积，而第二延伸电极140d的面积可大于第二电极垫115的面积。第一延伸电极130d的边缘与第二延伸电极140d的边缘切齐于反射保护件120的边缘。

最后，请再参考图12E，移除基板10，以暴露每一发光装置100d的反射保护件120的顶面122与发光单元110a的上表面112a，其中每一发光装置100g的反射保护件120的顶面122切齐于发光单元110a的上表面112a。在本发明另一实施例中，也可先移除基板10再进行一切割程序。

图13A至图13D示出为本发明的另一实施例的一种发光装置的制作方法的局部步骤的剖面示意图。本实施例的发光装置的制作方法与上述图12A至图12E中的发光装置的制作方法的主要差异之处在于：在图12D与图12E的 步骤之间，意即于形成延伸电极层E之后，且于进行切割制程之前，请参考图13A，提供一另一基板20，并设置在延伸电极层E上。此处，另一基板20的材质例如是不锈钢、陶瓷或其他不导电的材质。接着，请再参考图13A，在提供另一基板20之后，移除基板10，以暴露反射保护件120的顶面122以及发光单元110a的上表面112a，其中每一发光单元110a的上表面112a切齐于反射保护件120的顶面122。

接着，请参考图13B，形成封装胶层150于发光单元110a与反射保护件120上，以增加光取出率及改善光型。此处，封装胶层150覆盖发光单元110a的上表面112a与反射保护件120的顶面122，且封装胶层150内也可以掺杂有至少一种波长转换材料。波长转换材料的说明请参考前述实施例。另外，封装胶层150内也可以掺杂具有高散射能力的氧化物，例如是二氧化钛(TiO₂)或二氧化硅(SiO₂)，以增加出光效率。

接着，请参考图13C，形成一透光层160于发光单元110a与反射保护件120上，其中透光层160位于封装胶层150上，且覆盖封装胶层150。举例来说，透光层160的透光率大于50％。此处，透光层160的材质例如是玻璃、陶瓷、树脂、压克力或硅胶等，其目的在于可发光单元110a所产生的光导引至外界，可有效增加后续所形成之发光单元封光结构100i的光通量及光取出率，且也可有效保护发光单元110a以避免受到外界水气与氧气的侵袭。

之后，请参考图13D，进行一切割程序，以沿着切割线L切割透光层160、封装胶层150、反射保护件120及延伸电极层E，而形成多个彼此分离的发光装置100i。最后，请再参考图13D，移除另一基板20，以暴露每一发光装置100i的第一延伸电极130d与第二延伸电极140d。在本发明另一实施例中，也可先移除基板20再进行一切割程序。

图14A至图14E示出为本发明的另一实施例的一种发光装置的制作方法的剖面示意图。请先参考图14A，提供一波长转换胶层170，其中波长转换胶层170包括一低浓度荧光胶层174以及一位于低浓度荧光胶层174上的高浓度荧光胶层172。此处，形成波长转换胶层170的步骤例如是先通过掺质与胶体混合的方式(即是将液态或熔融态胶体与波长转换材料均匀混合，波长转换材料例如是荧光粉但不以此为限)，以形成波长转换胶层170，之后静置波长转换胶层170一段时间，如24小时的沉降之后，即形成上下层分离的高 浓度荧光胶层172与低浓度荧光胶层174。也就是说，本实施例的波长转换层170是以两层胶层作为举例说明。当然，在其他实施例中，请参考图14A’，提供一波长转换胶层170’，其中波长转换胶层170’为单一胶层，此仍属于本发明所欲保护之范围。

接着，请参考图14B，将多个间隔排列的发光单元110c配置在波长转换胶层170上，其中每一发光单元110c具有彼此相对的一上表面112c与一下表面114c、一连接上表面112c与下表面114c的侧表面116c以及位于下表面114c上且彼此分离的一第一电极垫113与一第二电极垫115，而发光单元110c的上表面112c位于波长转换胶层170的高浓度荧光胶层172上。接着，再分别形成多个材料包含透光胶体的透光胶层150c于波长转换胶层170上且延伸至发光单元110c的侧表面116c上，其中透光胶层150c并没有完全覆盖发光单元110c的侧表面116c，而是如图14B所示，透光胶层150c是具有曲率斜面，且越靠近发光单元110c的上表面112c，即靠近波长转换胶层170，透光胶层150c的厚度越厚。此处，透光胶层150c的目的在于固定发光单元110c的位置。

须说明的是，在其他实施例中，请参考图14B’，也可在将间隔排列的发光单元110c配置在波长转换胶层170上之前，形成一未固化且材料包含透光胶体的透光胶层150c’于波长转换胶层170上。而将发光单元110c间隔排列地配置在波长转换胶层170上之后，透光胶层150c’可延伸配置在发光单元110c与高浓度荧光胶层172之间。

接着，请同时参考图14B与图14C，在透光胶层150c’固化后，进行一第一切割程序，以切割波长转换胶层170，而形成多个彼此分离的单元101，其中每一单元101分别具有至少一个发光单元110c以及配置在发光单元110c的上表面112c的波长转换胶层170，且每一单元101的波长转换胶层170的两侧边缘171延伸至发光单元110c的侧表面116c之外。紧接着，请再参考图14C，将间隔排列的单元101配置在一基板10上。在本实施例中，基板10的材质例如是不锈钢、陶瓷或其他不导电的材质，在此并不加以限制。

之后，请参考图14D，形成一反射保护件120c于基板10上且包覆每一单元101的发光单元110c的侧表面116c以及波长转换胶层170的边缘171。此处，反射保护件120c的形成方式例如是通过点胶的方式所形成，其中反射 保护件120c直接覆盖透光胶层150c且沿着透光胶层150c延伸覆盖于波长转换胶层170的边缘171。发光单元110c的第一电极垫113与第二电极垫115于基板10上的正投影不重叠于反射保护件120c于基板10上的正投影。此处，反射保护件120c例如是一白胶层。

最后，请同时参考图14D与图14E，进行一第二切割程序，以切割反射保护件120c，并且移除基板10，而形成多个彼此分离的发光装置100j。每一发光装置100j分别具有至少一个发光单元101以及包覆发光单元110c的侧表面116c与波长转换胶层170的边缘171的反射保护件120c。在移除基板10之后，暴露每一发光装置100j的反射保护件120c的一顶面122c与波长转换胶层170的一顶面173。在本发明另一实施例中，也可先移除基板10再进行一切割程序。至此，已完成发光装置100j的制作。

在结构上，请再参考图14E，本实施例的发光装置100j包括发光单元110c、反射保护件120c、透光胶层150c以及波长转换胶层170。波长转换胶层170配置在发光单元110c的上表面112c上，其中波长转换胶层170包括低浓度荧光胶层174以及高浓度荧光胶层172，而高浓度荧光胶层172位于低浓度荧光胶层174与发光单元110c之间，且波长转换胶层170的边缘171延伸至发光单元110c的侧表面116c之外。此处，低浓度荧光胶层174可用来做为透光保护层，以增加水气传递路径，有效防止水气渗入。透光胶层150c配置在发光单元110c的侧表面116c与反射保护件120c之间，用以固定发光单元110c的位置。本实施例的反射保护件120c是沿着覆盖发光单元110c的侧表面116c的透光胶层150c而还包覆于波长转换胶层170的边缘171，因此本实施例的发光装置100j不需要使用现有的承载支架来支撑及固定发光单元110c，而可有效减少封装厚度以及制作成本。同时，也可通过具有高反射率的反射保护件120c来有效提高发光单元110c的正向出光效率。此处，反射保护件120c的顶面122c具体化是切齐于波长转换胶层170的顶面173。

图15A至图15E示出为本发明的另一实施例的一种发光装置的制作方法的剖面示意图。请先参考图15A，提供一第一离型膜30，接着，提供一波长转换胶层170a于第一离型膜30上，波长转换胶层170a可以是单一层胶层，或是多层胶层，在本实施例中，波长转换胶层170a是包括一低浓度荧光胶层174a以及一位于低浓度荧光胶层174a上的高浓度荧光胶层172a。此处，形 成波长转换胶层170a的步骤例如是先通过掺质与胶体混合的方式形成波长转换胶层170a，之后静置波长转换胶层170a一段时间，如24小时后，即形成分离的低浓度荧光胶层172a与高浓度荧光胶层174a。此处，第一离型膜30例如是双面胶膜。

接着，请再参考图15A，将多个间隔排列的发光单元110c配置在波长转换胶层170A上，其中每一发光单元110c具有彼此相对的一上表面112c与一下表面114c、一连接上表面112c与下表面114c的侧表面116c以及位于下表面114c上且彼此分离的一第一电极垫113与一第二电极垫115，而发光单元110c的上表面112c位于波长转换胶层170a的高浓度荧光胶层172a上。此处，相邻两发光单元110c具有一间距G，且此间距G例如是700微米。接着，再分别形成多个透光胶层150c于发光单元110c的侧表面116c上，其中透光胶层150c并没有完全覆盖发光单元110c的侧表面116c，而是如图15B所示，透光胶层150c是具有曲率斜面，且越靠近发光单元110c的上表面112c，透光胶层150c的厚度越厚。此处，透光胶层150c的目的在于固定发光单元110c的位置。

接着，请参考图15B，进行一第一切割程序，以切割高浓度荧光胶层172a以及部分低浓度荧光胶层174a，而形成多个沟槽C。如图15B所示，第一次切割程序并没有完全切断波长转换胶层170a，而是只有切断高浓度荧光胶层172a以及切割部分低浓度荧光胶层174a。此处，沟槽C的宽度W例如是400微米，且沟槽C的深度D例如是波长转换胶层170a的厚度T的一半。波长转换胶层170a的厚度T例如是140微米，而沟槽C的深度D例如是70微米。此时，沟槽C的位置与的封装胶层150c的位置并没有相互干涉。

之后，请参考图15C，形成一反射保护件120d于低浓度荧光胶层174a上且包覆发光单元110c的侧表面116c，其中反射保护件120d填满沟槽C且暴露出发光单元110c的第一电极垫113以及第二电极垫115。此处，反射保护件120d例如是一白胶层。

最后，请同时参考图15D与图15E，移除第一离型层30，并提供一第二离型层40，使发光单元110c的第一电极垫113与第二电极垫115接触第二离型膜40。此处，第二离型层40例如是UV胶或双面胶。接着，进行一第二切割程序，以沿着沟槽C的延伸方向(即图式15D中切割线L的延伸方向)而切 割反射保护件120d与低浓度荧光胶层174a，而形成多个彼此分离的发光装置100k。每一发光装置100k分别具有至少一个发光单元110c、配置在发光单元110c的上表面112c的波长转换胶层170a以及包覆发光单元110c的侧表面116c的反射保护件120d。本实施例中，波长转换胶层170a是包含高浓度荧光胶层172a与低浓度荧光胶层174a，此处，波长转换胶层170a的低浓度荧光胶层174a的边缘171a切齐于反射保护件120d的边缘121，且反射保护件120d还包覆高浓度荧光胶层172a的边缘173a。移除第二离形层40，而完成发光装置100k的制作。

在结构上，请再参考图15E，本实施例的发光装置100k包括发光单元110c、反射保护件120d、透光胶层150c以及波长转换胶层170a。波长转换胶层170a配置在发光单元110c的上表面112c上，其中波长转换胶层170a包括低浓度荧光胶层174a以及高浓度荧光胶层172a，而高浓度荧光胶层172a位于低浓度荧光胶层174a与发光单元110c之间，且波长转换胶层170a的边缘171a延伸至发光单元110c的侧表面116c之外。此处，低浓度荧光胶层174可用来做为透光保护层，以增加水气传递路径，有效防止水气渗入。透光胶层150c配置在发光单元110c的侧表面116c与反射保护件120d之间，用以固定发光单元110c的位置。本实施例的反射保护件120d是沿着覆盖发光单元110c的侧表面116c的透光胶层150c而还包覆于波长转换胶层170a的高浓度荧光胶层172a的两侧边缘173a，因此本实施例的发光装置100k不需要使用现有的承载支架来支撑及固定发光单元110c，而可有效减少封装厚度以及制作成本。同时，也可通过具有高反射率的反射保护件120d来有效提高发光单元110c的正向出光效率。此外，本实施例的波长转换胶层170a的低浓度荧光胶层174a覆盖反射保护件120d的一顶面122d。也就是说，本实施例的波长转换胶层170a的高浓度荧光胶层172a的边缘173a与低浓度荧光胶层174a的边缘171a的并没有切齐。

在其他实施例中，请参考图16A，本实施例的发光装置100m与图14E中的发光装置100j相似，差异之处在于：本实施例的反射保护件120m完全填满第一电极垫113与第二电极垫114之间的间隙S且完全覆盖第一电极垫113的一第一侧表面113b与第二电极垫115的一第二侧表面115b，而反射保护件120m的一底面124m切齐于第一电极垫113的第一底面113a与第二电 极垫115的第二底面115a。如此一来，可以避免发光装置100m的底部产生漏光的情况。此外，反射保护件120m则完全包覆于波长转换胶层170a的两侧边缘。再者，由于反射保护件120m的包覆性佳且具有较佳的结构性强度，因此本实施例的发光装置100m不需要使用现有的承载支架来支撑及固定发光单元110c，而可有效减少封装厚度以及制作成本。

或者是，请参考图16B，本实施例的发光装置100n与图16A中的发光装置100k相似，差异之处在于：本实施例的反射保护件120n填充于第一电极垫113与第二电极垫114之间的间隙S但并未完全填满，且反射保护件120n仅覆盖第一电极垫113的部分第一侧表面113b与第二电极垫115的部分第二侧表面115b。换言之，反射保护件120n的一底面124n与第一电极垫113的第一底面113a及第二电极垫115的第二底面115a之间具有一高度差H。或者是，请参考图16C，本实施例的发光装置100p与图16B中的发光装置100n相似，差异之处在于：本实施例中第一电极垫113’与第二电极垫115’具体化为多层金属层，如有第一金属层M1及第二金属层M2所组成，但并不以此为限。反射保护件120p完全覆盖第一电极垫113’与第二电极垫115的第一金属层M1的侧表面，但并未完全覆盖第一电极垫113’与第二电极垫115’的第二金属层M2的侧表面。简言之，发光装置100m、100n、100p的发光单元110c、110c’的第一电极垫113、113’与第二电极垫115、115’可为单一金属层或多层金属层，与此并不加以限制。

图17A至图17E示出为本发明的一实施例的一种发光装置的制作方法的剖面示意图。关于本实施例的发光装置的制作方法，首先，请参考图17A，提供一波长转换胶层210，波长转换胶层210可为单一层胶层或是多层胶层，本实施例中的波长转换胶层210包括一低浓度荧光胶层212以及一位于低浓度荧光胶层212上的高浓度荧光胶层214。此处，形成波长转换胶层210的步骤例如是先通过掺质与胶体混合的方式将由荧光粉(未示出)与硅胶(未示出)加以均匀混合后所形成的波长转换胶材料层(未示出)铺设于一离型膜(未示出)上，之后静置波长转换胶材料层一段时间，如24小时后，因为荧光粉跟硅胶的密度差异而形成具有分离的一低浓度荧光胶层212与一高浓度荧光胶层214的波长转换胶层210，其中高浓度荧光胶层214会沉淀于低浓度荧光胶层212的下方，而高浓度荧光胶层214例如是黄色，低浓度荧 光胶层212例如是透明的，低浓度荧光胶层212的厚度较佳是大于高浓度荧光胶层214的厚度，在一实施例中，厚度的比值可介于1至200间，但并不以此为限。

接着，请再参考图17A，提供一双面胶膜10a，波长转换胶层210的低浓度荧光胶层212配置在双面胶膜10a上，以通过双面胶膜10a来固定波长转换胶层210的位置。接着，进行一第一切割程序，以从高浓度荧光胶层214切割至部分低浓度荧光胶层212，而形成多个沟槽C1。此处，每一沟槽C1的深度至少为波长转换胶层210的厚度的一半。举例来说，如波长转换胶层210的厚度为240微米，而沟槽C1的深度则例如为200微米。此时，沟槽C1可将波长转换胶层210的低浓度荧光胶层212区分为一平板部212a以及一位于平板部212a上的突出部212b，而高浓度荧光胶层214则位于突出部212b上。

接着，请参考图17B，将多个间隔排列的发光单元220配置在波长转换胶层210上，其中每一发光单元220具有彼此相对的一上表面222与一下表面224、一连接上表面222与下表面224的侧表面226以及位于下表面224上且彼此分离的一第一电极垫223与一第二电极垫225。发光单元220的上表面222位于波长转换胶层210的高浓度荧光胶层214上，以增加光取出率及改善光型。沟槽C1将发光单元220区分为多个单元A，在本实施例中每一单元A中至少包括二个发光单元220(图17B中示意地示出两个发光单元220)。每一发光单元220例如是为发光波长介于315纳米至780纳米之间的发光二极管芯片，而发光二极管芯片包括但不限于紫外光、蓝光、绿光、黄光、橘光或红光发光二极管芯片。

接着，请再参考图17B，形成一透光胶层230a于波长转换胶层210上且延伸配置在发光单元220的侧表面226上。如图17B所示，透光胶层230a由每一发光单元220的下表面224往上表面222逐渐增厚，且透光胶层230a相对于发光单元220的侧表面226具有一内凹表面232，但并不以此为限。此处，透光胶层230a的目的除了在于固定发光单元220的位置之外，因透光胶层230a为一透光材质且折射率大于1，因此也可增加芯片侧面的光取出效果。

接着，请参考图17C，形成一反射保护件240于发光单元220之间并填 满沟槽C1，其中反射保护件240形成于波长转换胶层210上且包覆每一单元A并填满沟槽C1。反射保护件240暴露出每一发光单元220的下表面224、第一电极垫223以及第二电极垫225。此处，反射保护件240的反射率至少大于90％，而反射保护件240例如是一白胶层。反射保护件240的形成方式例如是通过点胶的方式，其中反射保护件240直接覆盖透光胶层230a且沿着透光胶层230a延伸覆盖于高浓度荧光胶层214的边缘上且填满沟槽C1。此时，发光单元220的第一电极垫223与第二电极垫225于双面胶膜10a上的正投影不重叠于反射保护件240于双面胶膜10a上的正投影。

接着，请再参考图17C，进行一第二切割程序，以从反射保护件240沿着沟槽C1而贯穿低浓度荧光胶层212，而形成多个彼此分离的发光装置200a。此时，如图17C所示，每一单元A中的二个发光单元220所接触的波长转换胶层210是连续的，意即这些发光单元220具有同一发光面，因此发光单元220所发出的光可通过透明的低浓度荧光胶层212来进行导光，可使得本实施例的发光装置200a具有较佳的发光均匀性。

之后，请同时参考图17C与图17D，进行第二切割程序之后，需进行一翻膜程序。首先，先提供一UV胶膜20a于发光单元220的第一电极垫223与第二电极垫225上，以先固定这些发光装置200a的相对位置。接着，移除双面胶膜10a而暴露出波长转换胶层210的低浓度荧光胶层212。最后，请参考图17E，移除UV胶膜20a而暴露出发光单元220的第一电极垫223与第二电极垫225。至此，已完成发光装置200a的制作。需说明的是，为了方便说明起见，图17E仅示意地示出一个发光装置200a。

在结构上，请再参考图17E，发光装置200a包括多个发光单元220(图17E中示意地示出二个发光单元220)、一波长转换胶层210以及一反射保护件240。每一发光单元220具有彼此相对的一上表面222与一下表面224、一连接上表面222与下表面224的侧表面226以及位于下表面224上且彼此分离的一第一电极垫223与一第二电极垫225。波长转换胶层210配置在发光单元220的上表面222上，且波长转换胶层210包括一低浓度荧光胶层212以及一高浓度荧光胶层214。低浓度荧光胶层212具有一平板部212a以及一位于平板部212a上的突出部212b。高浓度荧光胶层214配置在上表面222与突出部212b之间，其中高浓度荧光胶层214覆盖突出部212b且接触发光 单元220的上表面222。发光单元220间隔排列且暴露出部分波长转换胶层210。反射保护件240包覆每一发光单元220的侧表面226且覆盖发光单元220所暴露出的波长转换胶层210。反射保护件240暴露出每一发光单元220的下表面224、第一电极垫223以及第二电极垫225。反射保护件240的边缘切齐于低浓度荧光胶层212的平板部212a的边缘。

由于本实施例的发光装置200a中的这些发光单元220仅与一个波长转换胶层210相接触，意即这些发光单元220具有同一发光面，且低浓度荧光胶层212的边缘与反射保护件240的边缘切齐。因此，发光单元220所发出的光通过低浓度荧光胶层212的导引，可使得本实施例的发光装置200a可具有较大的发光面积与较佳的发光均匀性。此外，反射保护件240包覆发光单元220的侧表面226，且反射保护件240暴露出发光单元220的第一电极垫223以及第二电极垫225。因此，本实施例的发光装置200a不需要使用现有的承载支架来支撑及固定发光单元220，可有效较少封装厚度以及制作成本，同时，也可有效提高发光单元220的正向出光效率。

值得一提的是，本实施例并不限定透光胶层230a的结构型态，虽然图17E所示出的透光胶层230a具体化为相对于发光单元220的侧表面226具有内凹表面232。换言之，反射保护件240还包含一与发光单元220接触的反射面242，而此反射面242具体化为曲面。但，在其他实施例中，请参考图18A，本实施例的发光装置200b与图17E中的发光装置200a相似，差异之处在于：透光胶层230b相对于每一发光单元220的侧表面226具有一外凸表面234，可有效增加发光单元220的侧向出光，且通过配合波长转换胶层210的配置，也可增加发光装置200b的出光面积。换言之，反射保护件240a的反射面242a具体化为曲面。或者是，请参考图18B，本实施例的发光装置200c与图17E中的发光装置200a相似，差异之处在于：透光胶层230c相对于每一发光单元220的侧表面226具有一倾斜表面236。换言之，反射保护件240b的反射面242b具体化为平面。

在此必须说明的是，下述实施例沿用前述实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同的标号来表示相同或近似的元件，相同技术内容的说明可参考前述实施例，下述实施例不再重复赘述。

图19A至图19E示出为本发明的另一实施例的一种发光装置的制作方法 的剖面示意图。本实施例的发光装置200d的制作方法与上述图17A至图17E中的发光装置200a的制作方法的主要差异之处在于：请参考图19A，在进行第一切割程序时，还形成多个从高浓度荧光胶层214’切割至部分低浓度荧光胶层212’的第二沟槽C2’。如图19A所示，沟槽C1’与第二沟槽C2’的位置呈交错排列，其中每一沟槽C1’的深度至少为波长转换胶层210’的厚度的一半，且每一第二沟槽C2’的深度与每一沟槽C1’的深度相同。举例来说，如波长转换胶层210’的厚度为240微米，而沟槽C1’的深度以及第二沟槽C2’的深度则例如为200微米，但并不以此为限。此时，低浓度荧光胶层212’的平板部212a’具有一厚度T，较佳地，厚度T例如是介于20微米至50微米之间。第二沟槽C2’将波长转换胶层210’中的低浓度荧光胶层212’的突出部区分为二突出子部212b’，而高浓度荧光胶层214’位于这些突出子部212b’上。

接着，请参考图19B，将间隔排列的发光单元220配置在波长转换胶层210’上，其中第二沟槽C2’位于每一发光单元单元A中的二个发光单元220之间，而发光单元220分别配置在突出子部212b’上，且发光单元220的上表面222直接接触高浓度荧光胶层214’。较佳地，每一突出子部212b’的长度与对应的发光单元220的长度的比值为大于1且小于1.35，也就是说，低浓度荧光胶层212’的突出子部212b’的边缘在发光单元220的边缘外，且高浓度荧光胶层214’的边缘也延伸至发光单元220的边缘外，可有效增加发光单元220的发光面积。接着，分别形成一透光胶层230a于发光单元220的侧表面226上，其中透光胶层230a仅配置在发光单元220的侧表面226上且延伸至波长转换胶层210’的高浓度荧光胶层214’上，其并未延伸配置在低浓度荧光胶层212’上。

接着，同上述图17C、图17D与图17E的步骤，请先考图19C，即形成反射保护件240于波长转换胶层210’上且包覆每一单元A并填满沟槽C1’与第二沟槽C2’，接着，进行一第二切割程序，以从反射保护件240沿着沟槽C1’而贯穿低浓度荧光胶层212’，而形成多个彼此分离的发光装置200d。接着，请同时参考图19C与图19D，进行第二切割程序之后，需进行一翻膜程序。首先，先提供UV胶膜20a于发光单元220的第一电极垫223与第二电极垫225上，以先固定这些发光装置200a的相对位置。接着，移除双面胶 膜10a而暴露出波长转换胶层210’的低浓度荧光胶层212’。最后，请参考图19E，移除UV胶膜20a而暴露出发光单元220的第一电极垫223与第二电极垫225上。至此，已完成发光装置200d的制作。需说明的是，为了方便说明起见，图19E仅示意地示出一个发光装置200d。

请同时参考图19E、图20A与图20B，其中需说明的是，图19E所示出的是沿着图20A中的线Y-Y所示出的剖面示意图。本实施例的发光装置200d与图17E中的发光装置200a相似，差异之处在于：二个发光单元220之间所暴露出的波长转换胶层210’还具有第二沟槽C2’，其中第二沟槽C2’从高浓度荧光胶层214’延伸至部分低浓度荧光胶层212’。也就是说，二个发光单元220是配置在一个连续的波长转换胶层210’上，因此发光单元220具有同一个发光面，且低浓度荧光胶层212’的边缘与反射保护件240的边缘切齐。因此，发光单元220所发出的光通过低浓度荧光胶层212’的导引，可使得本实施例的发光装置200d可具有较大的发光面积与较佳的发光均匀性。

特别是，进行第一次切割程序时，在图20A中线X-X的方向以及线Y-Y的方向所切割的深度实质上相同。也就是说，请参考图20B，在线X-X方向的剖面图上，低浓度荧光胶层212’的平板部212a’具有一厚度T，请参考图19E，而在线Y-Y方向的剖面图上，低浓度荧光胶层212’的平板部212a’同样具有厚度T。较佳地，厚度T例如是介于20微米至50微米之间。

当然，在其他实施例中，在进行第一次切割程序时，在不同方向的切割时，低浓度荧光胶层212’的平板部212a’也可有不同的厚度。图21A示出为本发明的另一实施例的一种发光装置的立体示意图。图21B与图21C分别示出为沿图21A的线X’-X’以及线Y’-Y’的剖面示意图。请同时参考图21A、图21B与图21C，进行第一次切割程序时，在图21A中线X’-X’的方向与线Y’-Y’的方向所切割的深度不同，而导致波长转换胶层210’还包括未被该反射保护件240包覆的一第一暴露侧部与一第二暴露侧部，第一暴露侧部与第二暴露侧部不平行，且波长转换胶层210’于第一暴露侧部处的厚度不同于波长转换胶层210’于第二暴露侧部处的厚度。详细来说，低浓度荧光胶层212”的平板部212a”于线X’-X’的方向上具有一第一厚度T1，而低浓度荧光胶层212”的平板部212a”于Y’-Y’的方向 D2上具有一第二厚度T2，而第一厚度T1不同于第二厚度T2。较佳地，第一厚度T1例如是介于50微米至200微米之间，而第二厚度T2例如是介于20微米至50微米之间。

由于本实施例的低浓度荧光胶层212”的平板部212a”于X’-X’的方向上与Y’-Y’的方向上分别具有不同的第一厚度T1与第二厚度T2，因此可有效降低相邻两发光单元220之间因暗带而产生亮度降低的情况，进而可提高发光装置200e的发光均匀性。此外，值得一提的是，以线Y’-Y’的方向来举例说明，当低浓度荧光胶层212”’的平板部212a”的厚度T2例如由0.04毫米(mm)提高至0.2毫米(mm)时，发光单元220的出光角度也可由原来的120度增加至130度，意即发光单元220的出光角度可增加10度。简言之，低浓度荧光胶层212”’的平板部212a”的厚度大小与发光单元220的出光角度成正相关。

综上所述，由于本发明的反射保护件包覆发光单元的侧表面，且反射保护件的底面暴露出发光单元的第一电极垫的第一底面以及第二电极垫的第二底面。因此，本发明的发光装置不但不需要使用现有的承载支架来支撑及固定发光单元，而可有效减少封装厚度以及制作成本，同时，也可有效提高发光单元的正向出光效率。

此外，由于本发明的发光装置中的这些发光单元仅与一个波长转换胶层相接触，意即这些发光单元具有同一个发光面，且低浓度荧光胶层的边缘与反射保护件的边缘切齐。因此，发光单元所发出的光通过低浓度荧光胶层的导引，可使得本发明的发光装置可具有较大的发光角度与较佳的发光均匀性。此外，反射保护件包覆发光单元的侧表面且暴露出发光单元的第一电极垫以及第二电极垫。因此，本发明的发光装置不需要使用现有的承载支架来支撑及固定发光单元，可有效较少封装厚度以及制作成本，同时，也可有效提高发光单元的正向出光效率。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。