技术特征：
1.半导体晶粒线切割的方法，采用线切割晶棒，其特征是：在切割过程中使用含有20—30%的肥皂水作为切割液。2.根据权利要求1所述的半导体晶粒线切割的方法，其特征是：在肥皂水中还含有2-4%的碳化硅粉，碳化硅的细度小于500目。3.根据权利要求1或2所述的半导体晶粒线切割的方法，其特征是：切割的晶棒和切割液保持在60—70℃的温度。4.半导体晶粒线切割切割液，它含有20—30%的肥皂水作为切割液。5.根据权利要求4所述的半导体晶粒线切割切割液，其特征是：在肥皂水中还含有2-4%的碳化硅粉，碳化硅的细度小于500目。