柔性显示装置的制作方法

技术领域：
示例性实施例涉及一种柔性显示装置及其制造方法。更具体地，示例性实施例涉及一种能够防止由于弯曲而发生的破裂的柔性显示装置以及制造此柔性显示装置的方法。
背景技术：
：显示装置在显示屏上显示各种图像以为用户提供信息。近年来，可弯曲的显示装置已得到发展。与平板显示装置相反，柔性显示装置能够像纸张一样被折叠、卷曲或者弯曲。为了用户方便移动或操作性，制造了能够以各种形状变形的柔性显示装置。在该背景部分中公开的上述信息仅用于增强对本发明构思的背景的理解，因此，它可能包括不构成在本国已被本领域普通技术人员所知晓的现有技术的信息。技术实现要素：示例性实施例提供了一种能够防止由于弯曲而发生的破裂的柔性显示装置。示例性实施例还提供了一种制造所述柔性显示装置的方法。额外的方面将在下面的详细描述中进行阐述，并且部分地通过公开将是清楚的或者可通过实践发明构思而了解。示例性实施例公开了一种柔性显示装置，所述柔性显示装置包括柔性基底和导电图案。柔性基底包括弯曲部分。导电图案包括多个晶粒，导电图案 的至少一部分设置在弯曲部分上。每个晶粒具有大约10nm至大约100nm的晶粒尺寸。示例性实施例还公开了一种包括柔性显示面板和触摸屏面板的柔性显示装置。柔性显示装置包括面板弯曲部分。触摸屏面板包括触摸弯曲部分并设置在柔性显示面板上。柔性显示面板和触摸屏面板中的至少一个包括包含均具有大约10nm至大约100nm的晶粒尺寸的多个导电图案层的导电图案，面板弯曲部分和触摸弯曲部分中的至少一个包括导电图案。示例性实施例还公开了一种包括柔性显示面板和触摸屏面板的柔性显示装置。触摸屏面板包括触摸弯曲部分。触摸弯曲部分包括具有网状结构的感测电极；感测电极包括多个感测电极层；感测电极层包括相同的材料。示例性实施例还公开了一种制造柔性显示装置的方法，所述方法包括准备柔性基底和在柔性基底上设置导电图案，导电图案具有大约10nm至大约100nm的晶粒尺寸。前述总体描述和下面详细描述是示例性和说明性的，并旨在提供对要求保护的主题的进一步解释。附图说明附图示出发明构思的示例性实施例，并与描述一起用于解释发明构思的原理，其中，包括附图以提供对发明构思的进一步理解，并且将附图并入在此说明书中并且构成此说明书的一部分。图1A、图1B和图1C是示出根据本公开的示例性实施例的柔性显示装置的透视图。图2A、图2B、图2C和图2D是沿图1B的线I-I'截取的剖视图。图3A是示出根据本公开的示例性实施例的柔性显示装置的透视图。图3B是示出包括在根据本公开的示例性实施例的柔性显示装置中的布线的剖视图。图3C是示出包括在根据本公开的示例性实施例的柔性显示装置中的电极的剖视图。图4A是示出根据本公开的示例性实施例的柔性显示装置的透视图。图4B是沿图4A的线II-II'截取的剖视图。图4C是示出包括在根据本公开的示例性实施例的柔性显示装置中的第 一线的剖视图。图4D是示出包括在根据本公开的示例性实施例的柔性显示装置中的第二线的剖视图。图5A、图5B和图5C是示出根据本公开的示例性实施例的柔性显示装置的透视图。图6A是示出在根据本公开的示例性实施例的柔性显示面板中包括的多个像素中的一个像素的电路图。图6B是示出在根据本公开的示例性实施例的柔性显示面板中包括的多个像素中的一个像素的平面图。图6C是沿图6B的线III-III'截取的剖视图。图7A是示出根据本公开的示例性实施例的柔性显示装置的剖视图。图7B是示出包括在根据本公开的示例性实施例的柔性显示装置中的触摸屏面板的平面图。图8A是示出根据本公开的示例性实施例的柔性显示装置的剖视图。图8B是示出包括在根据本公开的示例性实施例的柔性显示装置中的触摸屏面板的平面图。图9A是示出包括在根据本公开的示例性实施例的触摸屏面板中的感测电极的剖视图。图9B是示出包括在根据本公开的示例性实施例的触摸屏面板中的线的剖视图。图10是示出制造根据本公开的示例性实施例的柔性显示装置的方法的流程图。图11A是示出第三和第四实施例示例以及第一和第二对比示例的SEM图像。图11B是示出第一至第三和第五实施例示例以及第一和第三对比示例的SEM图像。图12是示出第三和第四实施例示例以及第一和第二对比示例的剖面的照片。图13是示出在第一和第三对比示例中由于内部和外部弯曲引起的断开的照片。具体实施方式在以下描述中，为了解释的目的，阐述多个具体细节以提供对各种示例性实施例的彻底理解。然而，显然地，各种示例性实施例可以在没有这些具体细节的情况下实践或者在具有一个或更多个等同布置的情况下实践。在其他情况下，为了避免使各种示例性实施例不要地模糊，以框图形式示出众所周知的结构和装置。在附图中，为了清楚和描述的目的，会夸大层、膜、面板、区域等的尺寸和相对尺寸。另外，同样的附图标记表示同样的元件。当元件或层被称作“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层时，该层或元件可直接在所述另一元件或层上、直接连接到或结合到所述另一元件或层，或者可存在中间元件或层。然而，当元件或层被称作“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一元件或层时，则不存在中间元件或层。为了本公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个(种、者)”以及“从由X、Y和Z组成的组中选择的至少一个(种、者)”可被解释为仅有X、仅有Y、仅有Z或者X、Y和Z中的两个或更多个的任何组合，诸如以XYZ、XYY、YZ和ZZ为例。同样的附图标记始终指示同样的元件。如在此使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项目的任何和所有组合。尽管在此可使用术语第一、第二等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应被这些术语限制。这些术语用于将一个元件、组件、区域、层和/或部分与另一元件、组件、区域、层和/或部分区分开。因此，在不脱离本公开的教导的情况下，以下讨论的第一元件、组件、区域、层和/或部分可被命名为第二元件、组件、区域、层和/或部分。为了描述的目的，在此可使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“下面的”、“在……上方”和“上面的”等的空间相对术语从而描述在附图中示出的一个元件或者特征与另外的元件或者特征的关系。空间相对术语意图包括除了在附图中描绘的方位之外的装置在使用、操作和/或制造中的不同方位。例如，如果附图中的设备被翻转，那么被描述为“在”其他元件或特征“下方”或者“之下”的元件随后将会定位于“在”其他元件或特征“上方”。因此，示例性术语“在……下方”可包含在……上方和在……下方两种方位。 此外，设备可另行定位(例如，旋转90度或在其他方位处)，并且如此，相应地解释在此使用的空间相对描述语。在此使用的术语是为了描述具体实施例的目的而不旨在限制。如在此使用的，除非上下文另外明确地表示，否则单数形式“一个”、“一种”和“该”等也意图包括复数形式。此外，当在本说明书中使用术语“包含”、“包括”和/或其变形时，说明存在陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组，但是并不排除存在或附加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。在此参照剖视图来描述各种示例性实施例，所述剖视图是理想化示例性实施例和/或中间结构的示意性图示。这样，由例如制造技术和/或公差而造成的图示的形状的变化将是预期的。因此，在此公开的示例性实施例不应被解释为局限于区域的具体的图示形状，而是要包括由例如制造而造成的形状上的偏差。附图中示出的区域本质上是示意性的，它们的形状不旨在示出装置的区域的实际形状并且不旨在限制。除非另有定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开是其一部分的领域的普通技术人员所通常理解的意思相同的意思。除非这里明确地这样定义，否则术语(诸如在通用字典中定义的术语)应该被解释为具有与相关领域的环境中的它们的意思一致的意思，而不将以理想的或者过于正式的含义来解释它们。图1A、图1B和图1C是示出根据本公开的示例性实施例的柔性显示装置10的透视图。参照图1A、图1B和图1C，柔性显示装置10包括柔性基底FB和导电图案CP。导电图案CP沿第一方向DR1设置在柔性基底FB上。在此使用的术语“柔性”意味着基底是可弯曲的，因此，柔性基底FB可被完全地折叠或部分地弯曲。柔性基底FB可包括但不局限于塑料材料或者有机聚合物，例如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚酰亚胺、聚醚砜等。考虑到机械强度、热稳定性、透明度、表面光滑度、便于操作性、防水性等来选择用于柔性基底FB的材料。柔性基底FB可以是透明的。在第一模式或第二模式下操作柔性显示装置10。柔性基底FB包括弯曲部分BF和非弯曲部分NBF。弯曲部分BF在第一模式下相对于沿第二方向DR2延伸的弯曲轴BX弯曲，并且在第二模式下是非弯曲的。弯曲部分BF 连接到非弯曲部分NBF。非弯曲部分NBF在第一模式和第二模式下是不弯曲的。导电图案CP的至少一部分设置在弯曲部分BF上。在此使用的术语“弯曲”意味着柔性基底FB由于外力而被弯曲成特定形状。参照图1A和图1C，柔性基底FB和导电图案CP的至少一部分在第一模式下是弯曲的。参照图1B，弯曲部分BF在第二模式下是非弯曲的。第一模式包括第一弯曲模式和第二弯曲模式。参照图1A，柔性显示装置10在第一弯曲模式下相对于弯曲轴BX在一个方向上弯曲。即，柔性显示装置10在第一弯曲模式下向内弯曲。在下文中，当柔性显示装置10相对于弯曲轴BX弯曲时，导电图案CP的在导电图案CP弯曲后彼此面对的部分之间的距离比柔性基底FB的在柔性基底FB弯曲后彼此面对的部分之间的距离小的状态被称作内部弯曲。在内部弯曲状态中，弯曲部分BF的表面具有第一曲率半径R1。第一曲率半径R1在大约1mm至大约10mm的范围内。参照图1C，柔性显示装置10在第二弯曲模式下相对于弯曲轴BX在与图1A中的所述一个方向相反的方向上弯曲。即，柔性显示装置10在第二弯曲模式下向外弯曲。在下文中，当柔性显示装置10相对于弯曲轴BX弯曲时，柔性基底FB的在柔性基底FB弯曲后彼此面对的部分之间的距离比导电图案CP的在导电图案CP弯曲后彼此面对的部分之间的距离小的状态被称作外部弯曲。在外部弯曲状态中，弯曲部分BF的表面具有第二曲率半径R2。第二曲率半径R2可以等于或者可以不等于第一曲率半径R1。第二曲率半径R2在大约1mm至大约10mm的范围内。在图1A和图1C中，当柔性显示装置10相对于弯曲轴BX是弯曲的时，柔性基底FB的彼此面对的部分之间的距离是恒定的，但是不应局限于此或受此限制。即，柔性基底FB的彼此面对的部分之间的距离可以不是恒定的。此外，在图1A和图1C中，当柔性显示装置10相对于弯曲轴BX弯曲时，弯曲的柔性基底FB的多个部分中的一个部分的面积可等于弯曲的柔性基底FB的多个部分中的另一部分的面积，但是不应局限于此或受此限制。即，弯曲的柔性基底FB的多个部分中的一部分的面积可不同于弯曲的柔性基底FB的多个部分中的另一部分的面积。图2A至图2D是沿图1B的线I-I'截取的剖视图。参照图1A至图1C和图2A，导电图案CP的至少一部分设置在弯曲部分上。导电图案CP包括多个晶粒GR。晶粒GR是通过规则地布置组分原子 而获得的晶体颗粒。每个晶粒GR具有大约10nm至大约100nm的晶粒尺寸。在下文中，晶粒尺寸可表示若干颗粒直径的平均值或者最大颗粒直径。此外，每个晶粒GR的晶粒尺寸可在大约10nm至大约100nm的范围内，晶粒GR的晶粒尺寸的平均值可在大约10nm至大约100nm的范围内，或者晶粒尺寸的代表值可在大约10nm至大约100nm的范围内。当导电图案CP的晶粒尺寸小于大约10nm时，导电图案CP的电阻增大，因此，驱动柔性显示装置10所需的功耗增大。当导电图案CP的晶粒尺寸大于大约100nm时，由于大的晶粒尺寸而难以确保导电图案CP的弯曲的柔性。结果，在导电图案CP中发生破裂或断开，引起柔性显示装置10的降低的可靠性。一般而言，当导电图案CP的晶粒尺寸变小时，导电图案CP的电阻增大，且驱动柔性显示装置10所需的功耗增大，但是因为确保了柔性，所以柔性显示装置10可具有柔性。相反，当导电图案CP的晶粒尺寸变大时，导电图案CP的电阻减小，但是因为难以确保柔性，所以发生导电图案CP的破裂或断开。根据本示例性实施例的柔性显示装置10的导电图案CP具有大于或等于大约10nm且小于或等于大约90nm的晶粒尺寸。因此，导电图案CP具有适当的电阻以确保合适的驱动特性和改善的柔性。因此，改善了柔性显示装置10的可靠性。在导电图案CP中，大约200个晶粒至大约1200个晶粒布置在大约1.0平方微米(μm2)的单位面积内。术语“在大约1.0平方微米(μm2)的单位面积内”意味着单位面积可以限定在导电图案CP的平坦表面上的任意区域中。当大约1.0平方微米(μm2)的单位面积中的晶粒GR的数目小于大约200个时，难以确保弯曲柔性。因此，发生导电图案CP的破裂或断开并且柔性显示装置10的可靠性降低。此外，当大约1.0平方微米(μm2)的单位面积中的晶粒GR的数目超过大约1200个时，导电图案CP的电阻增大，因此，驱动柔性显示装置10所需的功耗增大。导电图案CP包括金属、金属合金和透明导电氧化物中的至少一种，但是不应局限于此或受此限制。晶粒GR可以是金属晶粒、金属合金晶粒和透明导电氧化物晶粒中的至少一种。金属可包括但不局限于Al、Cu、Ti、Mo、Ag、Mg、Pt、Pd、Au、Ni、 Nd、Ir和Cr中的至少一种。透明导电氧化物可包括但不局限于氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)和氧化铟锡锌(ITZO)中的至少一种。参照图1A至图1C和图2A至图2D，导电图案CP包括多个导电图案层CPL。包括在导电图案CP中的导电图案层CPL的数目可以是两个、三个、四个、五个或者六个，但是不应局限于此或受此限制。即，导电图案CP可包括七个或更多个导电图案层CPL。布置在不同的导电图案层CPL中的晶粒GR不彼此连接。即，晶粒包括在每个导电图案层CPL中。导电图案层CPL的每个晶粒GR具有大约10nm至大约100nm的晶粒尺寸。当导电图案层CPL的晶粒GR的晶粒尺寸小于大约10nm时，导电图案层CPL的电阻增大，因此，驱动柔性显示装置10所需的功耗增大。当导电图案层CPL的晶粒GR的晶粒尺寸大于大约100nm时，由于大的晶粒尺寸而难以确保导电图案层CPL的弯曲的柔性。结果，在导电图案层CPL中发生破裂或断开并且柔性显示装置10的可靠性降低。每个导电图案层CPL具有大约10nm至大约150nm的厚度。当每个导电图案层CPL的厚度小于大约10nm时，即使导电图案CP的总厚度没有增大，导电图案层CPL的界面的数目也增加，因此，导电图案CP的电阻增大。因此，驱动柔性显示装置10所需的功耗增大。此外，在制造或设置每个导电图案层CPL时，导电图案层CPL的可靠性会降低。当每个导电图案层CPL的厚度大于大约150nm时，在导电图案层CPL弯曲时，难以确保导电图案层CPL的柔性。结果，在导电图案层CPL中发生破裂或断开，并且导电图案层CPL的可靠性降低。每个导电图案层CPL可包括金属、金属合金和透明导电氧化物中的至少一种，但是不应局限于此或受此限制。金属可包括但不局限于Al、Cu、Ti、Mo、Ag、Mg、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir和Cr中的至少一种。透明导电氧化物可包括但不局限于氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)和氧化铟锡锌(ITZO)中的至少一种。导电图案层CPL可包括相同的材料，例如，铝(Al)，但是不应局限于此或受此限制。即，导电图案层CPL可包括Cu或ITO。导电图案层CPL可包括彼此不同的材料。例如，当导电图案CP包括两 个导电图案层CPL时，两个导电图案层CPL中的一个导电图案层CPL可包括铝(Al)，两个导电图案层CPL中的另一个导电图案层CPL可包括铜(Cu)。此外，当导电图案CP包括四个导电图案层CPL时，导电图案CP包括顺序逐个堆叠的包括铝(Al)的导电图案层、包括铜(Cu)的导电图案层、包括铝(Al)的导电图案层和包括铜(Cu)的导电图案层。此外，当导电图案CP包括四个导电图案层CPL时，导电图案CP包括顺序逐个堆叠的包括铝(Al)的导电图案层、包括银(Ag)的导电图案层、包括铝(Al)的导电图案层和包括银(Ag)的导电图案层。参照图2C，导电图案CP包括第一导电图案层CPL1、第二导电图案层CPL2和第三导电图案层CPL3。第二导电图案层CPL2设置在第一导电图案层CPL1上。第三导电图案层CPL3设置在第二导电图案层CPL2上。第一导电图案层CPL1、第二导电图案层CPL2和第三导电图案层CPL3可包括相同的材料。例如，每个导电图案层CPL可包括铝(Al)，但是不应局限于此或受此限制。例如，每个导电图案层CPL可包括铜(Cu)。第一导电图案层CPL1、第二导电图案层CPL2和第三导电图案层CPL3可具有相同的厚度，或者第一导电图案层CPL1、第二导电图案层CPL2和第三导电图案层CPL3中的至少一个导电图案层可具有不同于其他导电图案层的厚度的厚度。例如，导电图案CP可包括包含铝(Al)的第一导电图案层CPL1、设置在第一导电图案层CPL1上并包括铜(Cu)的第二导电图案层CPL2以及设置在第二导电图案层CPL2上并包括铝(Al)的第三导电图案层CPL3。在这种情况下，第一导电图案层CPL1、第二导电图案层CPL2和第三导电图案层CPL3的厚度可分别为大约100nm、大约100nm和大约100nm。例如，导电图案CP可包括包含钛(Ti)的第一导电图案层CPL1、设置在第一导电图案层CPL1上并包括铜(Cu)的第二导电图案层CPL2以及设置在第二导电图案层CPL2上并包括铝(Al)的第三导电图案层CPL3。在这种情况下，第一导电图案层CPL1、第二导电图案层CPL2和第三导电图案层CPL3的厚度可分别为大约200nm、大约150nm和大约150nm。参照图2D，导电图案CP可包括第一导电图案层CPL1、第一空气层AIL1、第二导电图案层CPL2、第二空气层AIL2和第三导电图案层CPL3。第一空气层AIL1设置在第一导电图案层CPL1上。第二导电图案层CPL2 设置在第一空气层AIL1上。第二空气层AIL2设置在第二导电图案层CPL2上。第三导电图案层CPL3设置在第二空气层AIL2上。第一导电图案层CPL1和第三导电图案层CPL3中的每个具有等于或大于大约10nm且等于或小于大约150nm的厚度，第二导电图案层CPL2具有等于或大于大约5nm且小于大约10nm的厚度。第一导电图案层CPL1的与第一空气层AIL1接触的区域可被氧化。第二导电图案层CPL2的分别与第一空气层AIL1和第二空气层AIL2接触的区域可被氧化。第三导电图案层CPL3的与第二空气层AIL2接触的区域可被氧化。例如，导电图案CP可包括包含铝(Al)的第一导电图案层CPL1、设置在第一导电图案层CPL1上并包括钛(Ti)的第二导电图案层CPL2以及设置在第二导电图案层CPL2上并包括铝(Al)的第三导电图案层CPL3。在这种情况下，第一导电图案层CPL1、第二导电图案层CPL2和第三导电图案层CPL3的厚度可分别为大约150nm、大约5nm和大约150nm。在与第一空气层AIL1接触的区域中的第一导电图案层CPL1被氧化并以氧化铝存在，在与第一空气层AIL1接触的区域中的第二导电图案层CPL2和在与第二空气层AIL2接触的区域中的第二导电图案层CPL2被氧化并以氧化钛存在，在与第二空气层AIL2接触的区域中的第三导电图案层CPL3被氧化并以氧化铝存在。图3A是示出根据本公开的示例性实施例的柔性显示装置的透视图，图3B是示出包括在根据本公开的示例性实施例的柔性显示装置中的布线的剖视图，图3C是示出包括在根据本公开的示例性实施例的柔性显示装置中的电极的剖视图。参照图1A至图1C和图3A，导电图案CP包括布线WI和电极EL。布线WI可被包括在触摸屏面板TSP(参照图5A)和柔性显示面板DP(参照图5A)中。布线WI设置在柔性基底FB上。布线WI的至少一部分设置在弯曲部分BF上。例如，布线WI可设置在弯曲部分BF上，并可不设置在非弯曲部分NBF上。作为另一种方式，布线WI可设置在弯曲部分BF和非弯曲部分NBF上。布线WI具有大约10nm至大约100nm的晶粒尺寸。当布线WI的晶粒尺寸小于大约10nm时，布线WI的电阻增大，因此，驱动柔性显示装置10 所需的功耗增大。当布线WI的晶粒尺寸大于大约100nm时，因为晶粒尺寸过大而难以确保布线WI的弯曲的柔性。结果，在布线WI中发生破裂或断开，并且柔性显示装置10的可靠性降低。参照图1A至图1C、图3A和图3B，布线WI包括多个布线层WIL。包括在布线WI中的布线层WIL的数目是两个、三个、四个、五个或六个，但是不应局限于此或受此限制。即，布线WI可包括七个或更多个布线层WIL。布置在不同的布线层WIL中的晶粒不彼此连接。即，晶粒包括在每个布线层WIL中。每个布线层WIL具有大约10nm至大约100nm的晶粒尺寸。当布线层WIL的晶粒尺寸小于大约10nm时，布线层WIL的电阻增大，因此，驱动柔性显示装置10所需的功耗增大。当布线层WIL的晶粒尺寸大于大约100nm时，因为晶粒尺寸过大而难以确保布线层WIL的弯曲的柔性。因此，在布线层WIL中发生破裂或断开，并且柔性显示装置10的可靠性降低。每个布线层WIL具有大约10nm至大约150nm的厚度。当每个布线层WIL的厚度小于大约10nm时，即使布线WI的总厚度没有增大，布线层WIL的界面的数目也增加，因此，布线WI的电阻增大。因此，驱动柔性显示装置10所需的功耗增大。此外，在制造或设置每个布线层WIL时，布线层WIL的可靠性会降低。当每个布线层WIL的厚度超过大约150nm时，在布线层WIL弯曲时，难以确保布线层WIL的柔性。结果，在布线层WIL中发生破裂或断开，并且布线层WIL的可靠性降低。每个布线层WIL包括金属、金属合金和透明导电氧化物中的至少一种，但是不应局限于此或受此限制。金属可包括但不局限于Al、Cu、Ti、Mo、Ag、Mg、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir和Cr中的至少一种。透明导电氧化物可包括但不局限于氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)和氧化铟锡锌(ITZO)中的至少一种。参照图1A至图1C、图3A和图3C，电极EL设置在柔性基底FB上。电极EL的至少一部分设置在弯曲部分BF上。例如，电极EL可设置在弯曲部分BF上，并可不设置在非弯曲部分NBF上。作为另一种方式，电极EL可设置在弯曲部分BF和非弯曲部分NBF上。电极EL电连接到布线WI。电极EL可与布线WI分隔开，但是不应局 限于此或受此限制。即，电极EL可与布线WI一体地形成。电极EL和布线WI可设置在同一层上，但是不应局限于此或受此限制。即，电极EL和布线WI可设置在彼此不同的层上。尽管没有在附图中示出，但是中间层可设置在布线WI和电极EL之间。电极EL具有大约10nm至大约100nm的晶粒尺寸。当电极EL的晶粒尺寸小于大约10nm时，电极EL的电阻增大，因此，驱动柔性显示装置10所需的功耗增大。当电极EL的晶粒尺寸大于大约100nm时，因为晶粒尺寸过大而难以确保电极EL的弯曲的柔性。结果，在电极EL中发生破裂或断开并且柔性显示装置10的可靠性降低。电极EL包括多个电极层ELL。包括在电极EL中的电极层ELL的数目是两个、三个、四个、五个或六个，但是不应局限于此或受此限制。即，电极EL可包括七个或更多个电极层ELL。布置在不同的电极层ELL中的晶粒不彼此连接。即，晶粒包括在每个电极层ELL中。每个电极层ELL具有大约10nm至大约100nm的晶粒尺寸。当电极层ELL的晶粒尺寸小于大约10nm时，因为即使电极EL的总厚度没有增大，电极层ELL的界面的数目也增加，所以电极层ELL的电阻增大。因此，驱动柔性显示装置10所需的功耗增大。此外，在制造或设置每个电极层ELL时，电极层ELL的可靠性会降低。当每个电极层ELL的厚度大于大约150nm时，在电极层ELL弯曲时，难以确保电极层ELL的柔性。结果，在电极层ELL中发生破裂或断开并且电极层ELL的可靠性降低。每个电极层ELL包括金属、金属合金和透明导电氧化物中的至少一种，但是不应局限于此或受此限制。金属可包括但不局限于Al、Cu、Ti、Mo、Ag、Mg、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir和Cr中的至少一种。透明导电氧化物可包括但不局限于氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)和氧化铟锡锌(ITZO)中的至少一种。图4A是示出根据本公开的示例性实施例的柔性显示装置的透视图，图4B是沿图4A的线II-II'截取的剖视图，图4C是示出包括在根据本公开的示例性实施例的柔性显示装置中的第一布线的剖视图，图4D是示出包括在根据本公开的示例性实施例的柔性显示装置中的第二布线的剖视图。参照图1A至图1C、图4A和图4B，布线WI包括第一布线WI1和第二 布线WI2。绝缘层IL设置在第一布线WI1和第二布线WI2之间。第一布线WI1设置在柔性基底FB与绝缘层IL之间，第二布线WI2设置在绝缘层IL上。绝缘层IL可包括但不局限于有机绝缘材料或无机绝缘材料。参照图4C，第一布线WI1包括多个第一布线层WIL1。包括在第一布线WI1中的第一布线层WIL1的数目是两个、三个、四个、五个或者六个，但是不应局限于此或受此限制。即，第一布线WI1可包括七个或更多个第一布线层WIL1。参照图4D，第二布线WI2包括两个、三个、四个、五个或六个第二布线层WIL2，但是不应局限于此或受此限制。即，第二布线WI2可包括七个或更多个第二布线层WIL2。参照图1A至图1C和图4A至图4D，第一布线层WIL1和第二布线层WIL2中的每个具有大约10nm至大约100nm的晶粒尺寸。当第一布线层WIL1和第二布线层WIL2的晶粒尺寸小于大约10nm时，第一布线层WIL1和第二布线层WIL2的电阻增大，因此，驱动柔性显示装置10所需的功耗增大。当第一布线层WIL1和第二布线层WIL2的晶粒尺寸大于大约100nm时，因为晶粒尺寸过大而难以确保第一布线层WIL1和第二布线层WIL2的弯曲的柔性。结果，在第一布线层WIL1和第二布线层WIL2中发生破裂或断开，并且柔性显示装置10的可靠性降低。第一布线层WIL1和第二布线层WIL2中的每个具有大约10nm至大约150nm的厚度。当第一布线层WIL1和第二布线层WIL2中的每个的厚度小于大约10nm时，即使第一布线WI1的总厚度没有增大，第一布线层WIL1的界面的数目也增加，即使第二布线WI2的总厚度没有增大，第二布线层WIL2的界面的数目也增加。因此，第一布线WI1的电阻增大。因此，驱动柔性显示装置10所需的功耗增大。此外，在制造或设置第一布线层WIL1和第二布线层WIL2中的每个时，第一布线层WIL1和第二布线层WIL2的可靠性会降低。当第一布线层WIL1和第二布线层WIL2中的每个的厚度大于大约150nm时，在第一布线层WIL1和第二布线层WIL2弯曲时，难以确保第一布线层WIL1和第二布线层WIL2的柔性。结果，在第一布线层WIL1和第二布线层WIL2中发生破裂或断开，并且第一布线层WIL1和第二布线层WIL2的可靠性降低。第一布线层WIL1和第二布线层WIL2中的每个包括金属、金属合金和透明导电氧化物中的至少一种，但是不应局限于此或受此限制。金属可包括但不局限于Al、Cu、Ti、Mo、Ag、Mg、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir和Cr中的至少一种。透明导电氧化物可包括但不局限于氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)和氧化铟锡锌(ITZO)中的至少一种。图5A、图5B和图5C是示出根据本公开的示例性实施例的柔性显示装置的透视图。参照图5A至图5C，在第一模式或第二模式下操作柔性显示装置10。柔性显示装置10包括触摸屏面板TSP和柔性显示面板DP。触摸屏面板TSP沿第一方向DR1设置在柔性显示面板DP上。触摸屏面板TSP包括触摸弯曲部分BF2和触摸非弯曲部分NBF2。触摸弯曲部分BF2在第一模式下相对于沿第二方向DR2延伸的弯曲轴BX1弯曲，且在第二模式下是非弯曲的。触摸弯曲部分BF2连接到触摸非弯曲部分NBF2。触摸非弯曲部分NBF2在第一模式和第二模式下是不弯曲的。柔性显示面板DP包括面板弯曲部分BF1和面板非弯曲部分NBF1。面板弯曲部分BF1在第一模式下相对于沿第二方向DR2延伸的弯曲轴BX1弯曲，且在第二模式下是非弯曲的。面板弯曲部分BF1连接到面板非弯曲部分NBF1。面板非弯曲部分NBF1在第一模式和第二模式下是不弯曲的。参照图5A和图5C，触摸屏面板TSP和柔性显示面板DP的至少一部分在第一模式下是弯曲的。参照图5B，触摸屏面板TSP的触摸弯曲部分BF2和柔性显示面板DP的面板弯曲部分BF1在第二模式下是非弯曲的。第一模式包括第一弯曲模式和第二弯曲模式。参照图5A，柔性显示装置10在第一弯曲模式下相对于弯曲轴BX1在一个方向上弯曲。柔性显示装置10在第一弯曲模式下向内弯曲。当柔性显示装置10处于内部弯曲状态时，触摸屏面板TSP的在触摸屏面板TSP弯曲后彼此面对的部分之间的距离短于柔性显示面板DP的在柔性显示面板DP弯曲后彼此面对的部分之间的距离。在内部弯曲状态下，触摸屏面板TSP的触摸弯曲部分BF2的表面具有第三曲率半径R3。第三曲率半径R3在大约1mm至大约10mm的范围内。参照图5C，柔性显示装置10在第二弯曲模式下相对于弯曲轴BX1沿与图5A的所述一个方向相反的方向弯曲。柔性显示装置10在第二弯曲模式下向外弯曲。当柔性显示装置10处于外部弯曲状态时，柔性显示面板DP的在柔性显示面板DP弯曲后彼此面对的部分之间的距离小于触摸屏面板TSP的 在触摸屏面板TSP弯曲后彼此面对的部分之间的距离。在外部弯曲状态下，柔性显示面板DP的面板弯曲部分BF1的表面具有第四曲率半径R4。第四曲率半径R4在大约1mm至大约10mm的范围内。参照图1A至图1C以及图5A至图5C，柔性显示面板DP和触摸屏面板TSP中的至少一者包括具有大约10nm至大约100nm的晶粒尺寸的导电图案CP。导电图案CP被包括在面板弯曲部分BF1和触摸弯曲部分BF2中的至少一者中。导电图案CP包括均具有大约10nm至大约100nm的晶粒尺寸的导电图案层CPL(参照图2B)。图6A是示出在根据本公开的示例性实施例的柔性显示面板中包括的多个像素中的一个像素的电路图，图6B是示出在根据本公开的示例性实施例的柔性显示面板中包括的多个像素中的一个像素的平面图，图6C是沿图6B的线III-III'截取的剖视图。在下文中，有机发光显示面板将被描述为柔性显示面板DP，但是柔性显示面板DP不应局限于有机发光显示面板。即，柔性显示面板DP可以是液晶显示面板、等离子体显示面板、电泳显示面板、微机电系统显示面板或电润湿显示面板。参照图1A至图1C、图5A至图5C、图6A和图6B，柔性显示面板DP包括设置在柔性基底FB上的导电图案CP。导电图案CP的至少一部分包括在面板弯曲部分BF1中。导电图案CP可包括在面板弯曲部分BF1中并且可不包括在面板非弯曲部分NBF1中。导电图案CP可包括在面板弯曲部分BF1和面板非弯曲部分NBF1中的每个中。导电图案CP具有大约10nm至大约100nm的晶粒尺寸。导电图案CP包括均具有大约10nm至大约100nm的晶粒尺寸的导电图案层CPL(参照图2B)。导电图案CP包括栅极线GL、数据线DL、驱动电压线DVL、开关薄膜晶体管TFT1、驱动薄膜晶体管TFT2、电容器Cst、第一半导体图案SM1、第二半导体图案SM2、第一电极EL1和第二电极EL2。开关薄膜晶体管TFT1包括第一栅电极GE1、第一源电极SE1和第一漏电极DE1。驱动薄膜晶体管TFT2包括第二栅电极GE2、第二源电极SE2和第二漏电极DE2。电容器Cst包括第一共电极CE1和第二共电极CE2。参照图6A和图6B，每个像素PX连接到包括栅极线GL、数据线DL和驱动电压线DVL的线部分。每个像素PX包括连接到线部分的薄膜晶体管 TFT1和TFT2、连接到薄膜晶体管TFT1和TFT2的有机发光元件OEL以及电容器Cst。在本示例性实施例中，一个像素连接到一条栅极线、一条数据线和一条驱动电压线，但是不应局限于此或受此限制。即，多个像素可连接到一条栅极线、一条数据线和一条驱动电压线。此外，一个像素可连接到至少一条栅极线、至少一条数据线和至少一条驱动电压线。栅极线GL沿第三方向DR3延伸。数据线DL沿第四方向DR4延伸以与栅极线GL交叉。驱动电压线DVL沿第四方向DR4延伸。栅极线GL将扫描信号施加到薄膜晶体管TFT1和TFT2，数据线DL将数据信号施加到薄膜晶体管TFT1和TFT2，驱动电压线DVL将驱动电压施加到薄膜晶体管TFT1和TFT2。栅极线GL、数据线DL和驱动电压线DVL中的至少一者可具有大约10nm至大约100nm的晶粒尺寸。栅极线GL、数据线DL和驱动电压线DVL中的至少一者可包括均具有大约10nm至大约100nm的晶粒尺寸的多个层。包括在栅极线GL、数据线DL和驱动电压线DVL中的至少一者中的每个层可具有大约10nm至大约150nm的厚度。每个像素PX发射具有特定颜色的光，例如，红光、绿光或蓝光，但是光的颜色不应局限于此或受此限制。例如，每个像素可发射白光、青色光、品红色光或黄光。薄膜晶体管TFT1和TFT2包括用于控制有机发光元件OEL的驱动薄膜晶体管TFT2和用于开关驱动薄膜晶体管TFT2的开关薄膜晶体管TFT1。在本示例性实施例中，每个像素PX包括两个薄膜晶体管TFT1和TFT2，但是不应局限于此或受此限制。即，每个像素PX可包括一个薄膜晶体管和一个电容器或者可包括两个或更多个薄膜晶体管和两个或更多个电容器。开关薄膜晶体管TFT1、驱动薄膜晶体管TFT2和电容器Cst中的至少一个可具有大约10nm至大约100nm的晶粒尺寸。开关薄膜晶体管TFT1、驱动薄膜晶体管TFT2和电容器Cst中的至少一个可包括均具有大约10nm至大约100nm的晶粒尺寸的多个层。包括在开关薄膜晶体管TFT1、驱动薄膜晶体管TFT2和电容器Cst中的至少一个中的每个层可具有大约10nm至大约150nm的厚度。开关薄膜晶体管TFT1包括第一栅电极GE1、第一源电极SE1和第一漏 电极DE1。第一栅电极GE1连接到栅极线GL，第一源电极SE1连接到数据线DL。第一漏电极DE1通过第五接触孔CH5连接到第一共电极CE1。开关薄膜晶体管TFT1响应于通过栅极线GL提供的扫描信号将通过数据线DL提供的数据信号施加到驱动薄膜晶体管TFT2。第一栅电极GE1、第一源电极SE1和第一漏电极DE1中的至少一个可具有大约10nm至大约100nm的晶粒尺寸。第一栅电极GE1、第一源电极SE1和第一漏电极DE1中的至少一个可包括均具有大约10nm至大约100nm的晶粒尺寸的多个层。包括在第一栅电极GE1、第一源电极SE1和第一漏电极DE1中的至少一个中的每个层可具有大约10nm至大约150nm的厚度。驱动薄膜晶体管TFT2包括第二栅电极GE2、第二源电极SE2和第二漏电极DE2。第二栅电极GE2连接到第一共电极CE1。第二源电极SE2连接到驱动电压线DVL。第二漏电极DE2通过第三接触孔CH3连接到第一电极EL1。第二栅电极GE2、第二源电极SE2和第二漏电极DE2中的至少一个可具有大约10nm至大约100nm的晶粒尺寸。第二栅电极GE2、第二源电极SE2和第二漏电极DE2中的至少一个可包括均具有大约10nm至大约100nm的晶粒尺寸的多个层。包括在第二栅电极GE2、第二源电极SE2和第二漏电极DE2中的至少一个中的每个层可具有大约10nm至大约150nm的厚度。第一电极EL1连接到驱动薄膜晶体管TFT2的第二漏电极DE2。第二电极被施以共电压，发光层EML响应于来自驱动薄膜晶体管TFT2的输出信号发射光以显示图像。将稍后详细描述第一电极EL1和第二电极EL2。电容器Cst连接在驱动薄膜晶体管TFT2的第二栅电极GE2和第二源电极SE2之间并充有施加到驱动薄膜晶体管TFT2的第二栅电极GE2的数据信号。电容器Cst包括通过第六接触孔CH6连接到第一漏电极DE1的第一共电极CE1和连接到驱动电压线DVL的第二共电极CE2。第一共电极CE1和第二共电极CE2中的至少一个可具有大约10nm至大约100nm的晶粒尺寸。第一共电极CE1和第二共电极CE2中的至少一个可包括均具有大约10nm至大约100nm的晶粒尺寸的多个层。包括在第一共电极CE1和第二共电极CE2中的至少一个中的每个层可具有大约10nm至大约150nm的厚度。参照图6A至图6C，第一柔性基底FB1可包括但不局限于塑料材料或者 有机聚合物，例如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚酰亚胺、聚醚砜等。考虑到机械强度、热稳定性、透明度、表面光滑度、便于操作性、防水性等来选择用于第一柔性基底FB1的材料。第一柔性基底FB1可以是透明的。基底缓冲层(未示出)可设置在第一柔性基底FB1上。基底缓冲层防止杂质被扩散到开关薄膜晶体管TFT1和驱动薄膜晶体管TFT2中。基底缓冲层可由氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)或氮氧化硅(SiOxNy)形成并根据第一柔性基底FB1的材料和工艺条件可被省略。第一半导体图案SM1和第二半导体图案SM2设置在第一柔性基底FB1上。第一半导体图案SM1和第二半导体图案SM2由半导体材料形成并分别作为开关薄膜晶体管TFT1和驱动薄膜晶体管TFT2的有源层操作。第一半导体图案SM1和第二半导体图案SM2中的每个包括源部分SA、漏部分DA以及设置在源部分SA和漏部分DA之间的沟道部分CA。第一半导体图案SM1和第二半导体图案SM2中的每个由无机半导体或有机半导体形成。源部分SA和漏部分DA掺杂有n型杂质或p型杂质。第一半导体图案SM1和第二半导体图案SM2中的至少一个可具有大约10nm至大约100nm的晶粒尺寸。第一半导体图案SM1和第二半导体图案SM2中的至少一个可包括均具有大约10nm至大约100nm的晶粒尺寸的多个层。包括在第一半导体图案SM1和第二半导体图案SM2中的至少一个中的每个层可具有大约10nm至大约150nm的厚度。栅极绝缘层GI设置在第一半导体图案SM1和第二半导体图案SM2上。栅极绝缘层GI覆盖第一半导体图案SM1和第二半导体图案SM2。栅极绝缘层GI包括有机绝缘材料或无机绝缘材料。第一栅电极GE1和第二栅电极GE2设置在栅极绝缘层GI上。第一栅电极GE1和第二栅电极GE2设置为分别覆盖与第一半导体图案SM1和第二半导体图案SM2的漏部分DA对应的部分。第一绝缘层IL1设置在第一栅电极GE1和第二栅电极GE2上。第一绝缘层IL1覆盖第一栅电极GE1和第二栅电极GE2。第一绝缘层IL1包括有机绝缘材料或无机绝缘材料。第一源电极SE1、第一漏电极DE1、第二源电极SE2和第二漏电极DE2设置在第一绝缘层IL1上。第二漏电极DE2通过穿过栅极绝缘层GI和第一 绝缘层IL1形成的第一接触孔CH1与第二半导体图案SM2的漏部分DA接触，第二源电极SE2通过穿过栅极绝缘层GI和第一绝缘层IL1形成的第二接触孔CH2与第二半导体图案SM2的源部分SA接触。第一源电极SE1通过穿过栅极绝缘层GI和第一绝缘层IL1形成的第四接触孔CH4与第一半导体图案SM1的源部分(未示出)接触，第一漏电极DE1通过穿过栅极绝缘层GI和第一绝缘层IL1形成的第五接触孔CH5与第一半导体图案SM1的漏部分(未示出)接触。钝化层PL设置在第一源电极SE1、第一漏电极DE1、第二源电极SE2和第二漏电极DE2上。钝化层PL用作保护层以保护开关薄膜晶体管TFT1和驱动薄膜晶体管TFT2或者用作平坦化层以使开关薄膜晶体管TFT1和驱动薄膜晶体管TFT2的上表面平坦化。第一电极EL1设置在钝化层PL上。第一电极EL1可以是正电极。第一电极EL1通过穿过钝化层PL形成的第三接触孔CH3连接到驱动薄膜晶体管TFT2的第二漏电极DE2。像素限定层PDL设置在钝化层PL上以将发光层EML划分为与每个像素PX对应。像素限定层PDL暴露第一电极EL1的上表面并从第一柔性基底FB1突出。像素限定层PDL可包括但不局限于金属氟化物离子化合物，例如，LiF、BaF2和CsF。当金属氟化物离子化合物具有预定的厚度时，金属氟化物离子化合物可具有绝缘性质。像素限定层PDL具有大约10nm至大约100nm的厚度。稍后将详细描述像素限定层PDL。有机发光元件OEL设置在被像素限定层PDL围绕的区域中。有机发光层OEL包括第一电极EL1、空穴传输区HTR、发光层EML、电子传输区ETR和第二电极EL2。第一电极EL1具有导电性。第一电极E1可以是像素电极或正电极。第一电极EL1具有大约10nm至大约100nm的晶粒尺寸。第一电极EL1可包括均具有大约10nm至大约100nm的晶粒尺寸的多个层。包括在第一电极EL1中的每个层可具有大约10nm至大约150nm的厚度。第一电极EL1可以是透射电极、透反射电极或反射电极。当第一电极EL1是透射电极时，第一电极EL1包括透明金属氧化物，例如，氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锡锌(ITZO)等。当第一电极EL1是透反射电极或反射电极时，第一电极EL1包括Al、Cu、Ti、 Mo、Ag、Mg、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir和Cr中的至少一种。有机层设置在第一电极EL1上。有机层包括发光层EML。有机层还包括空穴传输区HTR和电子传输区ETR。空穴传输区HTR设置在第一电极EL1上。空穴传输区HTR包括空穴注入层、空穴传输层、缓冲层和电子阻挡层中的至少一个。空穴传输区HTR具有单种材料的单层结构、不同材料的单层结构或不同材料的多层的多层结构。例如，空穴传输区HTR可具有由互不相同的材料形成的单层逐个堆叠的结构或者空穴注入层/空穴传输层、空穴注入层/空穴传输层/缓冲层、空穴注入层/缓冲层、空穴传输层/缓冲层或空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层的结构。空穴传输区HTR可利用例如真空沉积法、旋涂法、浇铸法、朗格缪尔-布吉特(Langmuir-Blodgett)法、喷墨印刷法、激光印刷法、激光诱导热图像(LITI)法等的各种方法形成。当空穴传输区HTR包括空穴注入层时，空穴传输区HTR可包括但不限于诸如铜酞菁的酞菁化合物、DNTPD(N,N'-二苯基-N,N'-双-[4-(苯基-间甲苯基-氨基)-苯基]-联苯-4,4'-二胺)、m-MTDATA(4,4',4"-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺)、TDATA(4,4'4"-三(N,N-二苯基氨基)三苯胺)、2TNATA(4,4',4"-三{N,-(2-萘基)-N-苯基氨基}-三苯胺)、PEDOT/PSS(聚(3,4-乙撑二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸酯))、PANI/DBSA(聚苯胺/十二烷基苯磺酸)、PANI/CSA(聚苯胺/樟脑磺酸)、PANI/PSS((聚苯胺)/聚(4-苯乙烯磺酸酯))等。当空穴传输区HTR包括空穴传输层时，空穴传输区HTR可包括但不局限于例如N-苯基咔唑和聚乙烯咔唑等的咔唑类衍生物、氟类衍生物、例如TPD(N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-[1,1-联苯]-4,4'-二胺)和TCTA(4,4',4"-三(N-咔唑基)三苯胺)等的三苯胺类衍生物、NPB(N,N'-二(1-萘基)-N,N'-二苯基联苯胺)、TAPC(4,4'-亚环己基双[N,N-双(4-甲基苯基)苯胺])等。空穴传输区域HTR还可包括电荷产生材料。电荷产生材料可均匀地或不均匀地分布在空穴传输区HTR中。电荷产生材料可以是但不局限于p掺杂剂。p掺杂剂可以是醌衍生物、金属氧化物材料和包含氰基的化合物中的一种，但是不应局限于此或受此限制。例如，p掺杂剂可包括诸如TCNQ(四氰基醌二甲烷)、F4-TCNQ(2,3,5,6-四氟-四氰基醌二甲烷)等的醌衍生物或者诸 如氧化钨材料、氧化钼材料等的金属氧化物材料，但是不应局限于此或受此限制。发光层EML设置在空穴传输区HTR上。发光层EML包括具有红颜色、绿颜色和蓝颜色的发光材料并包括荧光材料或磷光材料。此外，发光层EML包括主体和掺杂剂。作为主体，可使用例如Alq3(三(8-羟基喹啉)铝)、CBP(4,4'-双(N-咔唑基)-1,1'-联苯)、PVK(聚(N-乙烯基咔唑))、ADN(9,10-二(萘-2-基)蒽)、TCTA(4,4',4”-三(咔唑基-9-基)-三苯胺)、TPBi(1,3,5-三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯)、TBADN(3-叔丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽)、DSA(二苯乙烯基亚芳基)、CDBP(4,4'-双(9-咔唑基)-2,2'-二甲基-联苯)、MADN(2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽)，然而不应局限于此或受此限制。当发光层EML发射具有红颜色的光时，发光层EML可例如包括包含PBD:Eu(DBM)3(Phen)(三(联苯甲酰甲烷)菲咯啉铕)或苝的荧光材料。当发光层EML发射具有红颜色的光时，包括在发光层EML中的掺杂剂可从诸如PIQIr(acac)(二(1-苯基异喹啉)乙酰丙酮铱)、PQIr(acac)(二(1-苯基喹啉)乙酰丙酮铱)、PQIr(三(1-苯基喹啉)铱)、PtOEP(八乙基卟啉铂)等的金属络合物或者有机金属络合物中选择。当发光层EML发射具有绿颜色的光时，发光层EML可例如包括包含Alq3(三(8-羟基喹啉)铝)的荧光材料。当发光层EML发射具有绿颜色的光时，包括在发光层EML中的掺杂剂可从诸如Ir(ppy)3(面式-三(2-苯基吡啶)铱)的金属络合物或者有机金属络合物中选择。当发光层EML发射具有蓝颜色的光时，发光层EML可例如包括包含从由螺-DPVBi、螺-6P、DSB(二苯乙烯基-苯)、DSA(二苯乙烯基-亚芳基)、PFO(聚芴)类聚合物和PPV(聚(对苯撑乙烯))类聚合物组成的组中选择的任意一种的荧光材料。当发光层EML发射具有蓝颜色的光时，包括在发光层EML中的掺杂剂可从诸如(4,6-F2ppy)2Irpic的金属络合物或者有机金属络合物中选择。稍后将详细描述发光层EML。电子传输区ETR设置在发光层EML上。电子传输区ETR包括空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层中的至少一个，但是不应局限于此或受此限制。当电子传输区ETR包括电子传输层时，电子传输区ETR包括Alq3(三(8-羟基喹啉)铝)、TPBi(1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并[d]咪唑-2-基)苯)、BCP(2,9- 二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉)、Bphen(4,7-二苯基-1,10-菲咯啉)、TAZ(3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑)、NTAZ(4-(萘-1-基)-3,5-二苯-4H-1,2,4-三唑)、tBu-PBD(2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑)、BAlq(双(2-甲基-8-羟基喹啉-N1,O8)-(1,1'-联苯-4-羟连)铝)、Bebq2(双(苯并喹啉-10-羟连)铍)、ADN(9,10-二(萘-2-基)蒽)或者它们的化合物。电子传输层具有大约100埃至大约1000埃的厚度，并可具有大约150埃至大约500埃的厚度。当电子传输层的厚度在大约100埃至大约1000埃的上述范围内时，可确保令人满意的电子传输性质而不增大驱动电压。当电子传输区ETR包括电子注入层时，电子传输区ETR包括例如LiF、LiQ(喹啉锂)、Li2O、BaO、NaCl、CsF、例如Yb等的镧系金属或者例如RbCl、RbI等的金属卤化物，但是不应局限于此或受此限制。电子传输层可包括电子传输材料和具有绝缘性质的有机金属盐的混合物。有机金属盐具有大约4eV或更大的能带隙。详细地，有机金属盐可包括金属醋酸盐、金属苯甲酸盐、金属乙酰乙酸盐、金属乙酰丙酮盐或金属硬脂酸盐。电子注入层具有大约1埃至大约100埃的厚度，并可具有大约3埃至大约90埃的厚度。当电子注入层的厚度在大约1埃至大约100埃的上述范围内时，可确保令人满意的电子注入性质而不增大驱动电压。如上所述，电子传输区ETR包括空穴阻挡层。空穴阻挡层包括BCP(2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉)和Bphen(4,7-二苯基-1,10-菲咯啉)中的至少一种，但是不应局限于此或受此限制。第二电极EL2设置在电子传输区ETR上。第二电极EL2可以是共电极或负电极。第二电极EL2具有大约10nm至大约100nm的晶粒尺寸。第二电极EL2可包括均具有大约10nm至大约100nm的晶粒尺寸的多个层。包括在第二电极EL2中的每个层可具有大约10nm至大约150nm的厚度。第二电极EL2可以是透射电极、透反射电极或反射电极。当第二电极EL2是透射电极时，第二电极EL2包括Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg、BaF、Ba、Ag、它们的化合物或者它们的混合物(例如Ag和Mg的混合物)。第二电极EL2可包括辅助电极。辅助电极包括通过将材料沉积成面对发光层EML而获得的层以及设置在此层上的诸如氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌、氧化铟锡锌等的透明金属氧化物。当第二电极EL2是透反射电极或反射电极时，第二电极EL2包括Ag、 Mg、Cu、Al、Pt、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Mo、Ti、它们的化合物或者它们的混合物(例如Ag和Mg的混合物)。此外，第二电极EL2具有由上述材料形成的反射层或者透反射层以及由氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌或氧化铟锡锌形成的透明导电层的多层结构。当有机发光元件OEL是前表面发光型时，第一电极EL1是反射电极，第二电极EL2是透射电极或透反射电极。当有机发光元件OEL是后表面发光型时，第一电极EL1是透射电极或透反射电极，第二电极EL2是反射电极。当将电压分别施加到第一电极EL1和第二电极EL2时，从第一电极EL1注入的空穴通过空穴传输区HTR移动到发光层EML，从第二电极EL2注入的电子通过电子传输区ETR移动到发光层EML。空穴和电子在发光层EML中复合以产生激子，有机发光元件OEL通过从激发态返回到基态的激子而发光。密封层SL设置在第二电极EL2上。密封层SL覆盖第二电极EL2。密封层SL包括有机层和无机层中的至少一个。密封层SL是薄膜密封层。密封层SL保护有机发光元件OEL。图7A是示出根据本公开的示例性实施例的柔性显示装置的剖视图，图7B是示出包括在根据本公开的示例性实施例的柔性显示装置中的触摸屏面板的平面图。图8A是示出根据本公开的示例性实施例的柔性显示装置的剖视图，图8B是示出包括在根据本公开的示例性实施例的柔性显示装置中的触摸屏面板的平面图。参照图7A、图7B、图8A和图8B，触摸屏面板TSP设置在柔性显示面板DP上。触摸屏面板TSP可设置在密封层SL(参照图6C)上。触摸屏面板TSP识别用户的直接触摸、用户的间接触摸、物体的直接触摸或物体的间接触摸。在此使用的术语“间接触摸”意味着即使因为用户或物体与触摸屏面板TSP分隔开一定距离，触摸屏面板TSP没有实际被用户或物体触摸，触摸屏面板TSP也识别触摸，其中，触摸屏面板TSP识别用户或物体的触摸。当发生直接或间接触摸时，在感测电极TE中包括的第一感测电极Tx和第二感测电极Rx之间发生静电电容的变化。施加到第一感测电极Tx的感测信号由于静电电容的变化而被延迟，然后被施加第二感测电极Rx。触摸屏面板TSP从感测信号的延迟值产生触摸坐标。在本示例性实施例中，触摸屏面板TSP在静电电容模式下操作，但是不应局限于此或受此限制。即，触摸屏面板TSP可在电阻膜模式、自电容模式或互电容模式下进行操作。参照图1A至图1C、图5A至图5C以及图7A、图7B、图8A和图8B，导电图案CP的至少一部分包括在触摸弯曲部分BF2中。导电图案CP可包括在触摸弯曲部分BF2中且可不包括在触摸非弯曲部分NBF2中。导电图案CP可被包括在触摸弯曲部分BF2和触摸非弯曲部分NBF2中的每个中。导电图案CP具有大约10nm至大约100nm的晶粒尺寸。导电图案CP包括均具有大约10nm至大约100nm的晶粒尺寸的导电图案层CPL(参照图2B)。导电图案CP包括感测电极TE、第一连接线TL1、第二连接线TL2、第一扇出线PO1、第二扇出线PO2、第一桥BD1和第二桥BD2，这将在稍后详细描述。参照图7A、图7B、图8A和图8B，感测电极TE设置在密封层SL上。尽管没有在附图中示出，但是可在感测电极TE和密封层SL之间设置附加的柔性基底。感测电极TE具有大约10nm至大约100nm的晶粒尺寸。感测电极TE包括第一感测电极Tx和第二感测电极Rx。第一感测电极Tx彼此电连接，第二感测电极Rx彼此电连接。第一感测电极Tx和第二感测电极Rx中的每个具有基本上菱形、正方形、矩形或圆形的形状或者例如树突结构的不规则形状。第一感测电极Tx和第二感测电极Rx中的每个具有网状结构。参照图7A和图7B，第一感测电极Tx设置在与设置有第二感测电极Rx的层的不同层上。例如，第一感测电极Tx设置在密封层SL上，绝缘层IL2设置在第一感测电极Tx上。第二感测电极Rx设置在第一感测电极Tx上方。第一感测电极Tx沿第五方向DR5延伸并被布置为在第六方向DR6上彼此分隔开。第二感测电极Rx沿第六方向DR6延伸并被布置为在第五方向DR5上彼此分隔开。参照图8A和图8B，第一感测电极Tx和第二感测电极Rx可设置在同一层上。第一感测电极Tx和第二感测电极Rx设置在密封层SL上。第一感测电极Tx布置在第五方向DR5和第六方向DR6上并彼此分隔开。在第五方向DR5上彼此分隔开的第一感测电极Tx通过第一桥BD1彼此连接。第二感测电极Rx在第五方向DR5和第六方向DR6上布置并彼此分隔 开。在第六方向DR6上彼此分隔开的第二感测电极Rx通过第二桥BD2彼此连接。第二桥BD2设置在第一桥BD1上。尽管没有在附图中示出，可在第一桥BD1与第二桥BD2之间设置绝缘层。第一桥BD1和第二桥BD2中的每个具有大约10nm至大约100nm的晶粒尺寸。第一桥BD1和第二桥BD2中的每个包括均具有大约10nm至大约100nm的晶粒尺寸的多个层。包括在第一桥BD1和第二桥BD2中的每个中的每个层具有大约10nm至大约150nm的厚度。连接线TL1和TL2电连接到感测电极TE。连接线TL1和连接线TL2具有大约10nm至大约100nm的晶粒尺寸。连接线TL1和TL2包括第一连接线TL1和第二连接线TL2。第一连接线TL1连接到第一感测电极Tx和第一扇出线PO1。第二连接线TL2连接到第二感测电极Rx和第二扇出线PO2。扇出线PO1和PO2连接到连接线TL1和TL2以及焊盘部分PD1和PD2。扇出线PO1和PO2包括第一扇出线PO1和第二扇出线PO2。第一扇出线PO1连接到第一连接线TL1和第一焊盘部分PD1。第二扇出线PO2连接到第二连接线TL2和第二焊盘部分PD2。第一焊盘部分PD1和第二焊盘部分PD2电连接到感测电极TE。第一和第二焊盘部分PD1和PD2具有大约10nm至大约100nm的晶粒尺寸。第一和第二焊盘部分PD1和PD2包括均具有大约10nm至大约100nm的晶粒尺寸的多个层。包括在第一和第二焊盘部分PD1和PD2中的每个层具有大约10nm至大约150nm的厚度。焊盘部分PD1和PD2包括第一焊盘部分PD1和第二焊盘部分PD2。第一焊盘部分PD1连接到第一扇出线PO1。第一焊盘部分PD1电连接到第一感测电极Tx。第二焊盘部分PD2连接到第二扇出线PO2。第二焊盘部分PD2电连接到第二感测电极Rx。图9A是示出包括在根据本公开的示例性实施例的触摸屏面板中的感测电极TE的剖视图。参照图9A，感测电极TE包括多个感测电极层TEL。感测电极TE包括两个、三个、四个、五个或六个感测电极层TEL，但是不应局限于此或受此限制。感测电极TE可包括七个或更多个感测电极层TEL。可在感测电极层TEL之间设置空气层(未示出)。每个感测电极层TEL具有大约10nm至大约100nm的晶粒尺寸。当感测电极层TEL的晶粒尺寸小于大约10nm时，感测电极层TEL的电阻增大，因此，驱动柔性显示装置10(参照图5A)所需的功耗增大。当感测电极层TEL的晶粒尺寸大于大约100nm时，因为晶粒尺寸过大而难以确保感测电极层TEL的弯曲的柔性。结果，在感测电极层TEL中发生破裂或断开并且感测电极层TEL的可靠性降低。每个感测电极层TEL具有大约10nm至大约150nm的厚度。当每个感测电极层TEL的厚度小于大约10nm时，即使感测电极TE的总厚度没有增大，感测电极层TEL的界面的数目也增加，因此，感测电极TE的电阻增大。因此，驱动柔性显示装置10(参照图5A)所需的功耗增大。此外，在制造或设置每个感测电极层TEL时，感测电极层TEL的可靠性会降低。当每个感测电极层TEL的厚度超过大约150nm时，在感测电极层TEL弯曲时，难以确保感测电极层TEL的柔性。结果，在感测电极层TEL中发生破裂或断开，并且感测电极层TEL的可靠性降低。每个感测电极层TEL可包括金属、金属合金和透明导电氧化物中的至少一种，但是不应局限于此或受此限制。金属可包括但不局限于Al、Cu、Ti、Mo、Ag、Mg、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir和Cr中的至少一种。透明导电氧化物可包括但不局限于氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)和氧化铟锡锌(ITZO)中的至少一种。图9B是示出包括在根据本公开的示例性实施例的触摸屏面板中的线的剖视图。参照图9B，线TL1、TL2、PO1和PO2包括多个线层TLL。线TL1、TL2、PO1和PO2包括两个、三个、四个、五个或六个线层TLL，但是它们不局限于此或受此限制。线TL1、TL2、PO1和PO2可包括七个或更多个线层TLL。可在线层TLL之间设置空气层(未示出)。每个线层TLL具有大约10nm至大约100nm的晶粒尺寸。当线层TLL的晶粒尺寸小于大约10nm时，线层TLL的电阻增大，因此，驱动柔性显示装置10(参照图5A)所需的功耗增大。当线层TLL的晶粒尺寸大于大约100nm时，因为晶粒尺寸过大而难以确保线层TLL的弯曲的柔性。结果，在线层TLL中发生破裂或断开并且线层TLL的可靠性降低。每个线层TLL具有大约10nm至大约150nm的厚度。当每个线层TLL的厚度小于大约10nm时，即使线TL1、TL2、PO1和PO2的总厚度没有增大，线层TLL的界面的数目也增加，因此，线TL1、TL2、PO1和PO2的电阻增大。因此，驱动柔性显示装置10(参照图5A)所需的功耗增大。此外，在制造或设置每个线层TLL时，线层TLL的可靠性会降低。当每个线层TLL的厚度大于大约150nm时，在线层TLL弯曲时，难以确保线层TLL的柔性。因此，在线层TLL中发生破裂或断开并且线层TLL的可靠性降低。每个线层TLL可包括金属、金属合金和透明导电氧化物中的至少一种，但是不应局限于此或受此限制。金属可包括但不局限于Al、Cu、Ti、Mo、Ag、Mg、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir和Cr中的至少一种。透明导电氧化物可包括但不局限于氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)和氧化铟锡锌(ITZO)中的至少一种。包括在传统的柔性显示装置中的导电图案具有比根据本示例性实施例的导电图案的晶粒尺寸大的晶粒尺寸，因此，难以确保柔性显示装置的弯曲的柔性。因此，当传统的柔性显示装置被重复地弯曲或伸直时，在导电图案中发生破裂或断开，并且柔性显示装置的可靠性降低。此外，当传统的柔性显示装置在彼此相反的方向上被重复地弯曲或伸直时，因为难以确保弯曲的柔性，所以在传统的柔性显示装置中更经常地发生破裂或断开。包括在根据本示例性实施例的柔性显示装置中的导电图案具有上述晶粒尺寸或者包括均具有上述晶粒尺寸的导电图案层，因此，柔性显示装置可确保其弯曲的柔性而不增加导电图案的电阻。因此，尽管柔性显示装置被重复地弯曲或伸直，但是可减少在导电图案中发生的破裂或断开。因此，可改善根据本示例性实施例的柔性显示装置的可靠性。此外，尽管根据本示例性实施例的柔性显示装置在彼此相反的方向上被重复地弯曲或伸直，但是因为确保了柔性显示装置的弯曲的柔性，所以可减少在导电图案中发生的破裂或断开。在下文中，将详细描述根据本示例性实施例的柔性显示装置的制造方法。图10是示出制造根据本公开的示例性实施例的柔性显示装置10的方法的步骤的流程图。参照图1A至图1C、图2A、图2B和图10，柔性显示装置10的制造方法的步骤包括准备柔性基底FB(S100)的步骤和在柔性基底FB上设置具有大约10nm至大约100nm的晶粒尺寸的导电图案CP的步骤。柔性基底FB可包括但不局限于塑料材料或者有机聚合物，例如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚酰亚胺、聚醚砜等。考虑到机械强度、热稳定性、透明度、表面光滑度、便于操作性、防水性等来选择用于柔性基底FB的材料。柔性基底FB可以是透明的。在柔性基底FB上设置导电图案CP。通过溅射金属、金属合金和透明导电氧化物中的至少一种来执行设置导电图案CP的步骤(S200)。例如，通过在大约一分钟至大约三分钟的时间段期间在室温下溅射金属、金属合金和透明导电氧化物中的至少一种来形成导电图案CP。金属可包括但不局限于Al、Cu、Ti、Mo、Ag、Mg、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir和Cr中的至少一种。透明导电氧化物可包括但不局限于氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)和氧化铟锡锌(ITZO)中的至少一种。在设置导电图案CP的步骤(S200)中，当导电图案CP的晶粒尺寸小于大约10nm时，导电图案CP的电阻增大，因此驱动柔性显示装置10所需的功耗增大。当导电图案CP的晶粒尺寸大于大约100nm时，因为晶粒尺寸过大而难以确保导电图案CP的弯曲的柔性。结果，在导电图案CP中发生破裂或断开并且柔性显示装置10的可靠性降低。设置导电图案CP的步骤(S200)可包括形成均具有大约10nm至大约100nm的晶粒尺寸的导电图案层CPL。设置导电图案CP的步骤(S200)可包括：通过溅射金属、金属合金和透明导电氧化物中的至少一种形成第一导电层；通过在第一导电层上溅射金属、金属合金和透明导电氧化物中的至少一种形成第二导电层；利用掩模蚀刻第一导电层和第二导电层的部分以形成导电图案。当导电图案层CPL的晶粒尺寸小于大约10nm时，导电图案层CPL的电阻增大，因此，驱动柔性显示装置10所需的功耗增大。当导电图案层CPL的晶粒尺寸大于大约100nm时，因为晶粒尺寸过大而难以确保导电图案层CPL的弯曲的柔性。结果，在导电图案层CPL中发生破裂或断开并且柔性显示装置10的可靠性降低。每个导电图案层CPL具有大约10nm至大约150nm的厚度。当每个导电图案层CPL的厚度小于大约10nm时，即使导电图案CP的总厚度没有增大，导电图案层CPL的界面的数目也增加，因此，导电图案CP的电阻增大。因此，驱动柔性显示装置10所需的功耗增大。此外，在制造或设置每个导电图案层CPL时，导电图案层CPL的可靠性会降低。当每个导电图案层CPL的厚度大于大约150nm时，在导电图案层CPL弯曲时，难以确保导电图案层CPL的柔性。结果，在导电图案层CPL中发生破裂或断开，并且导电图案层CPL的可靠性降低。每个导电图案层CPL可包括金属、金属合金和透明导电氧化物中的至少一种，但是不应局限于此或受此限制。金属可包括但不局限于Al、Cu、Ti、Mo、Ag、Mg、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir和Cr中的至少一种。透明导电氧化物可包括但不局限于氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)和氧化铟锡锌(ITZO)中的至少一种。包括在传统的柔性显示装置中的导电图案具有比根据本示例性实施例的导电图案的晶粒尺寸大的晶粒尺寸，因此，难以确保传统的柔性显示装置的弯曲的柔性。因此，当传统的柔性显示装置被重复地弯曲或伸直时，在导电图案中发生破裂或断开并且柔性显示装置的可靠性降低。此外，当传统的柔性显示装置在彼此相反的方向上被重复地弯曲或伸直时，因为难以确保弯曲的柔性，所以在传统的柔性显示装置中更经常地发生破裂或断开。包括在根据本示例性实施例的柔性显示装置中的导电图案具有上述晶粒尺寸或者包括均具有上述晶粒尺寸的导电图案层，因此，柔性显示装置可确保其弯曲的柔性而不增加导电图案的电阻。因此，尽管柔性显示装置被重复地弯曲或伸直，但是可降低在导电图案中发生破裂或断开的可能性。因此，可改善根据本示例性实施例的柔性显示装置的可靠性。此外，尽管根据本示例性实施例的柔性显示装置在彼此相反的方向上被重复地弯曲或伸直，但是因为确保了柔性显示装置的弯曲的柔性，所以可降低在导电图案中发生破裂或断开的可能性。在下文中，将参照各个实施例示例详细描述根据本公开的柔性显示装置。图11A和图11B是示出第一至第五实施例示例以及第一至第三对比示例 的SEM图像，图12是示出第三和第四实施例示例以及第一和第二对比示例的剖面的照片，图13是示出在第一和第三对比示例中由于内部弯曲和外部弯曲引起的断开的照片。实施例示例1通过在聚碳酸酯(PC)基底上溅射铝形成导电图案。在导电图案上形成绝缘层。实施例示例2除了导电图案由具有大约100nm的厚度的铝形成之外，通过与实施例示例1中示出的工艺相同的工艺形成导电图案。实施例示例3执行在大约两分钟的期间在大约60℃的温度下在聚碳酸酯(PC)基底上溅射铝的工艺六次以形成六个导电图案层，因此，形成包括均具有大约50nm的厚度的六个导电图案层的导电图案。实施例示例4除了在大约20℃而不是大约60℃的温度下执行溅射工艺之外，通过与实施例示例3中示出的工艺相同的工艺形成导电图案。实施例示例5执行在聚碳酸酯(PC)基底上溅射铜的工艺六次以形成具有大约50nm的厚度的导电图案层，并形成包括六个导电图案层的导电图案。实施例示例6通过在聚碳酸酯(PC)基底上溅射铝形成具有大约150nm的厚度的第一Al导电图案层，通过在第一Al导电图案层上溅射钛形成具有大约5nm的厚度的Ti导电图案层，通过在Ti导电图案层上溅射铝形成具有大约150nm的厚度的第二Al导电图案层。实施例示例7通过在聚碳酸酯(PC)基底上溅射铝形成具有大约100nm的厚度的第一Al导电图案层，通过在第一Al导电图案层上溅射铜形成具有大约100nm的厚度的Cu导电图案层，通过在Cu导电图案层上溅射铝形成具有大约100nm的厚度的第二Al导电图案层。实施例示例8通过在聚碳酸酯(PC)基底上溅射钛形成具有大约20nm的厚度的Ti 导电图案层，通过在Ti导电图案层上溅射铜形成具有大约150nm的厚度的Cu导电图案层，通过在Cu导电图案层上溅射铝形成具有大约150nm的厚度的Al导电图案层。对比示例1除了在大约两分钟的期间在60℃的温度下执行在聚碳酸酯(PC)基底上溅射铝的工艺且导电图案具有大约300nm的厚度之外，通过与实施例示例1中示出的工艺的相同工艺形成导电图案。对比示例2除了在大约20℃而不是大约60℃的温度下执行溅射工艺之外，通过与对比示例1中示出的工艺的相同的工艺形成导电图案。对比示例3除了通过在聚碳酸酯(PC)基底上溅射铝形成的导电图案具有200nm的厚度之外，通过与实施例示例1中示出的工艺的相同的工艺形成导电图案。1.测量1)晶粒尺寸的测量通过获取实施例示例1至5和对比示例1至3的剖面的扫描电子显微镜(SEM)图像测量晶粒尺寸。通过使用Helios450(FEI公司)获取SEM图像。在图11A中示出实施例示例3和4以及对比示例1和2的SEM图像，在图11B中示出实施例示例1、2、3和5以及对比示例1和3的SEM图像，并且通过下面的表1示出晶粒尺寸。此外，实施例示例3和4以及对比示例1和2的剖面的SEM图像示出在图12中。表1晶粒尺寸(nm)实施例示例129实施例示例258实施例示例332实施例示例538.6实施例示例697.7实施例示例769.9实施例示例888.1对比示例1196对比示例21192)晶粒的数目的测量通过获取实施例示例1和2以及对比示例1和2的导电图案的SEM图像来测量在大约1.0平方微米(μm2)的单位面积内布置的晶粒的数目。通过下面的表2示出晶粒的数目。表2晶粒的数目实施例示例11189实施例示例2297对比示例126对比示例2713)检查是否由于内部弯曲和外部弯曲而发生断开检查实施例示例1至8以及对比示例1和3的由于内部弯曲和外部弯曲引起的断开。在图13中示出对比示例1和3中的由于内部弯曲和外部弯曲引起的断开。4)由于内部弯曲和外部弯曲造成的电阻变化的测量测量在实施例示例1、2和5以及对比示例1和3中的由于内部弯曲引起的电阻变化以及在实施例示例1、2和5以及对比示例1和3中的由于外部弯曲引起的电阻变化。通过下面的表3示出由于内部弯曲引起的电阻变化，通过下面的表4示出由于外部弯曲引起的电阻变化。表3表42.测量结果1)晶粒尺寸的测量参照图11A、图11B和图12以及表1，实施例示例1至8中的每个的晶粒尺寸小于对比示例1和对比示例2中的每个的晶粒尺寸。2)晶粒的数目的测量如通过表2所示的，实施例示例1和2的晶粒的数目大于对比示例1和2的晶粒的数目。3)检查是否由于内部弯曲和外部弯曲而发生断开在实施例示例1至8中不发生由于内部弯曲或外部弯曲而引起的断开，但是如图13所示，在对比示例1和3中发生由于内部弯曲和外部弯曲而引起的断开。4)由内部弯曲和外部弯曲造成的电阻变化的测量参照表3和表4，在实施例示例1、2和5中由于内部弯曲和外部弯曲引起的电阻的变化相对小，但是在对比示例1和3中由于内部弯曲和外部弯曲引起的电阻的变化相对大。根据上文，可降低由于弯曲而引起的破裂的发生的可能性。此外，可制造由于弯曲而引起的破裂的发生被降低的柔性显示装置。尽管在此已描述了特定示例性实施例和实施方式，但是其他实施例和修改通过此描述将是明显的。因此，发明构思不局限于这样的实施例，而是提出的权利要求和各种明显修改及等同布置的更宽的范围。当前第1页1 2 3