1.一种粘接片，其中，通过包括自粘接片切出粘接薄膜的步骤和对具有引线框、配置在所述引线框上的所述粘接薄膜和配置在所述粘接薄膜上的硅芯片的结构体进行加热的步骤的方法而形成具有所述引线框、配置在所述引线框上的粘接层和配置在所述粘接层上的硅芯片的装置时，
所述粘接层与所述引线框的界面热阻为0.15K/W以下，
所述界面热阻与所述粘接层的内部热阻的合计即总热阻为0.55K/W以下。
2.根据权利要求1所述的粘接片，其包含树脂成分，
所述树脂成分包含玻璃化转变温度为0℃以下、重均分子量为85万～140万的丙烯酸类橡胶，
所述丙烯酸类橡胶不含有羧基和缩水甘油基，
所述树脂成分100重量％中的所述丙烯酸类橡胶的含量为5重量％～30重量％。
3.根据权利要求1所述的粘接片，其包含填料，
所述填料包含氧化铝填料，
所述氧化铝填料为利用不含有环氧基、二胺基和硫醇基的硅烷偶联剂进行了前处理而得到的表面处理填料。
4.根据权利要求1所述的粘接片，其包含平均粒径为0.5μm～1μm的球状填料，
所述球状填料的含量为75重量％以上。
5.根据权利要求4所述的粘接片，其中，所述球状填料的球形度为0.85以上。
6.根据权利要求1所述的粘接片，其包含在室温下为液态的第1环氧树脂，
所述第1环氧树脂的环氧当量为175g/eq.以上。
7.根据权利要求6所述的粘接片，其包含在室温下为固体的第2环氧树脂，
所述第2环氧树脂的环氧当量为200g/eq.以下。
8.根据权利要求1所述的粘接片，其厚度为15μm以下。
9.根据权利要求1所述的粘接片，其包含硅烷偶联剂，所述硅烷偶联剂具有选自由硫醇、二噻吩和四噻吩组成的组中的至少1种骨架。
10.一种切割带一体型粘接片，其包含：
包括基材和配置在所述基材上的粘合剂层的切割带，和
配置在所述粘合剂层上的、权利要求1～9中任一项所述的粘接片。
11.一种薄膜，其包含：
隔膜，和
配置在所述隔膜上的、权利要求10所述的切割带一体型粘接片。
12.一种半导体装置的制造方法，其包括如下工序：
将半导体晶圆压接于权利要求1～9中任一项所述的粘接片的工序；
在将所述半导体晶圆压接于所述粘接片的工序之后，通过进行芯片分割而形成包含半导体芯片和配置在所述半导体芯片上的粘接薄膜的芯片接合用芯片的工序；和
将所述芯片接合用芯片压接于引线框的工序。
13.一种半导体装置，其是通过权利要求12所述的制造方法而得到的。