技术总结
本发明所揭示的实施方式与已熔接在一起的大型真空腔室主体有关。腔室主体在所述腔室主体中至少一个表面上具有高发射率涂层。由于腔室主体的大型尺寸，腔室主体是通过将数个部件熔接在一起而形成，而非以单一金属部件来锻造主体。这些部件在与主体的弯处相隔的一位置处熔接在一起，所述位置在排空期间为最大应力处，以确保可能是主体中最弱点的熔接不会失效。腔室主体的至少一个表面可涂覆有高发射率涂层，以助于来自进入的受热基板的热传递。所述高发射率涂层可通过减少降低基板温度所需时间而增加基板产量。
技术研发人员：栗田真一;梅兰·贝德亚特;稻川真
受保护的技术使用者：应用材料公司
文档号码：201610526075
技术研发日：2009.11.09
技术公布日：2016.12.07