真空处理设备的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种真空处理设备。
【背景技术】
[0002]通常，可使用真空处理设备，来处理基体，例如板形基体、玻璃板、晶片或其他载体，例如真空处理设备可设置成为真空涂层设备，用于在真空处理设备中涂层基体。在此，真空处理设备可具有多个室、部(隔间)或处理腔，以及具有运送系统，用于将待涂层的基体运送通过真空处理设备。真空处理设备的不同的室可借助于所谓的室壁或隔壁相互分开，例如对于水平连续涂层设备(串联-设备)来说借助于竖直室壁或竖直隔壁。在此，每个室壁(或分隔壁)可以下述方式具有基体-转运-开口(基体-转运-缝隙)，S卩，基体可被运送通过室壁，例如从真空处理设备的第一室进入真空处理设备的第二室。
【发明内容】
[0003]根据不同的实施方式，可借助于室壳体提供室(隔室)，或可以在共同的室壳体中提供多个室(隔间)，其中室壳体例如可以具有多个室壁，其限制所述一个室或限制所述多个室并相互分开。
[0004]真空处理设备的室壳体例如可以是真空室的组成部分(主体)，例如是闸门室、缓冲室、转运室或处理室(例如涂层室)的组成部分(主体)。在此，真空室的各功能或驱动类型可根据与室壳体一起使用的室盖而限定。例如，具有一室盖的室壳体可被用作为闸门室，且具有另一室盖的室壳体可被用作为缓冲室或转运室(或处理室)，和具有再一室盖的室壳体可被用作为涂层室。为了能够将室壳体抽真空，室壳体可以与前级真空泵组件和/或高中真空泵组件藕接。由此，可在借助于室盖密封的室壳体中产生或提供至少一个前级真空(Vorvakuum)(或也可以是高真空)。
[0005]明显地，室壳体和关联的室盖可以具有前级真空供应部，用于能够实现将至少处理设备的真空室或整个处理设备抽真空。例如室盖可以具有高真空泵组件，必须向其供应前级真空，以便能够实现高真空泵的运行。可以借助于前级真空供应结构实现为室盖供应前级真空，所述前级真空供应结构可以与前级真空泵组件藕接。此外，前级真空泵组件可以额外地直接与室壳体藕接，用于在处理设备的真空室中提供前级真空。
[0006]此外，真空处理设备可以具有运送系统用于运送基体通过真空处理设备，例如运送系统可以具有多个运送滚筒和相应地与运送滚筒藕接的驱动部。
[0007]为将基体带入真空处理设备中，或将基体带出真空处理设备，例如可使用一个或多个闸门室，一个或多个缓冲室，和/或一个或多个转运室。为将至少一个基体带入真空处理设备中，例如所述至少一个基体可置于通风的闸门室中，然后，带有至少一个基体的闸门室可被抽真空，且基体可分批地从抽成真空的闸门室中被运送进入真空处理设备的邻接的真空室中(例如缓冲室中)。例如，借助于缓冲室可维持基体，且可提供小于闸门室中的压力。分批被置入的基体可借助于转运室聚集成所谓的基体带，使得在基体之间仅保留小的间隙，而基体在真空处理设备的相应处理室中被处理(例如被涂层)。替选地，基体也可直接从闸门室被置入转运室中，而不使用缓冲室，这例如可导致延长的周期(将基体置入真空处理设备中所必须的时间)。
[0008]在处理室中例如可以将带入的基体处理，其中处理室例如可以具有处理室盖，可以将室壳体中的相应隔间覆盖并真空密封地封闭。在处理室盖上例如可以固定一个磁控管或多个磁控管，例如处理室盖可以具有至少一个管式磁控管或双管式磁控管或至少一个平面磁控管或双平面磁控管。
[0009]根据不同的实施方式，室壳体例如可以借助于相应的室盖被用作为闸门室，其中闸门室例如可以在前级真空范围(例如最高到I(T2Hibar)操作。此外，室壳体例如可以借助于相应的室盖被用作为处理室或涂层室，其中，处理室或涂层室例如可在高真空范围中(例如在处理真空的范围中，例如在大致10_3mbar至大致10_7mbar的范围中)被驱动。在此，所述高真空范围例如可以借助于至少一个涡轮分子泵产生，分子泵可以集成在室盖中并可以借助于前级真空供应结构提供前级真空。
[0010]明显地，可以看到不同实施方式的一个方面在于，能够实现室盖的前级真空供应，其中当室盖关闭时，即当室盖放置在相应的室壳体上或至少放置在室壳体的一个室上时，这自动地提供。明显地，用于真空室的前级真空供应部可以分成两个单独的前级真空供应结构，当室盖开启时它们自动地相互分开，当室盖封闭时它们自动相应连接。因此，具有一部分前级真空供应部的室盖可以远离室壳体。
[0011]根据不同的实施方式，真空处理设备可以包括:在室壳体上侧具有开口的室壳体，用于容纳室盖，室盖用于覆盖室壳体开口 ；第一前级真空供应结构，其固定在室壳体上或至少相对于室壳体位置牢固地布置，第二前级真空供应结构，其固定在室盖上，其中第一前级真空供应结构和第二前级真空供应结构这样地被设置，即它们在室盖关闭时自动地真空密闭地相互藕接。
[0012]根据不同的实施方式，真空处理设备可以具有至少一个高真空泵，其固定在室盖上并与第二个前级真空供应结构偶联。明显地，借助于第二个前级真空供应结构可以提供前级真空用于驱动至少一个高真空泵。所述至少一个高真空泵例如可以是涡轮分子泵或具有涡轮分子泵。
[0013]根据不同的实施方式，第一个前级真空供应结构可以具有第一密封法兰，且第二前级真空供应结构可以具有第二密封法兰。在此，所述两个密封法兰可以这样地设置，即，其在室盖关闭时自动地真空密封地相互藕联。明显地，所述两个密封法兰(例如所述两个密封法兰的两个露出的正面)在室盖关闭时这样地相互靠近，即，在两个密封法兰之间延伸一个密封缝隙，其可以借助于密封结构进行密封，例如借助于唇密封部。
[0014]根据不同的实施方式，第一密封法兰和/或第二密封法兰可以具有至少一个密封件，用于密封在室盖关闭时两个密封法兰之间的缝隙。
[0015]根据不同的实施方式，至少一个密封件可以是或具有至少一个唇密封部。
[0016]根据不同的实施方式，第一前级真空供应结构和第二前级真空供应结构基本上可以设置成管状的。在此，前级真空可以提供在管状前级真空供应结构的内部。
[0017]根据不同的实施方式，所述至少一个唇密封部可以具有硅胶或由硅胶组成。
[0018]根据不同的实施方式，室盖可旋转地被支承并可以这样地设置，即其可以借助于旋转运动被打开和/或被关闭。在室盖开启和/或关闭(借助于旋转运动)时，第一前级真空供应结构的第一密封法兰和第二前级真空供应结构的第二密封法兰可相互相对地在环形轨道上运动。在室盖开启和/或关闭(借助于旋转运动)时，第二前级真空供应结构至少分段地相对于第一前级真空供应结构在环形轨道上运动。
[0019]根据不同的实施方式，室盖可以可旋转地支承在室盖在室壳体上的端部中。
[0020]根据不同的实施方式，可这样地设置室盖，S卩，其在闭合状态下松散地放置在室壳体上。在室盖放置和/或从室壳体取下时，第一前级真空供应结构的第一密封法兰和第二前级真空供应结构的第二密封法兰可相互相对地直线地运动。在室盖放置和/或从室壳体取下时，第二前级真空供应结构可以至少分段地相对于第一前级真空供应结构直线地运动。
[0021]根据不同的实施方式，真空处理设备可以具有至少一个前级真空泵组件，其中所述至少一个前级真空泵组件与第一前级真空供应结构连接，用于借助于第一前级真空供应结构为室壳体提供前级真空。因此，在室盖关闭时，第二前级真空供应结构也可以与所述至少一个前级真空泵组件连接。
[0022]根据不同的实施方式，用于驱动真空处理设备的方法包括以下:关闭室壳体的室盖，其中室壳体的至少一个开口借助于室盖真空密封地封闭；其中在室盖关闭时，室壳体的第一前级真空供应结构和室壳体的第二前级真空供应结构自动地相互偶联，和使用第一前级真空供应结构和/或第二前级真空供应结构对关闭的室壳体抽真空。
[0023]本发明的实施例在下面的附图中显示并在下面进行更详细的解释。
【附图说明】
[0024]附图中
[0025]图1A以示意性的横截面图示出根据不同的实施方式的在开放状态下的真空处理设备；
[0026]图1B和IC以示意性的横截面图分别示出根据不同实施方式的具有开放的或闭合的室盖的真空处理设备；
[0027]图2是根据不同的实施方式的前级真空供应部的示例性示意详图；
[0028]图3以示意性的横截面图示出根据不同的实施方式的具有可折叠的室盖的真空处理设备；