基材真空处理设备的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及根据独立权利要求的前序部分的基材真空处理设备。
【背景技术】
[0002]在传统的真空涂覆设备中，借助固定安装的屏蔽件，利用等离子体的真正的真空涂覆在此进行的处理室相对于其余的真空室被遮蔽以避免寄生涂覆。但固定安装的屏蔽件可能有碍于处理室的可接近性。
[0003]由文献US2011/0089023A1已经公开了一种等离子体处理设备，它包括腔室、基材台架、用于在腔室内产生等离子体的电极和包围电极和基材台架之间的等离子体空间的屏蔽机构。该屏蔽机构包括主体部分和独立部分，其中该主体部分和独立部分均具有内部段和外部段，在这里，该外部段分别作为气体管路机构来构成。该主体部分的内部段和该独立部分的内部段如此形成，即它们未相互接触。
[0004]另外，由文献US7，318，869B公开了一种具有用于处理室的可变气体流量的涂覆系统用于涂覆集成电路。活动屏蔽件包围台座，在这里，屏蔽件具有这样的结构，该结构在该屏蔽件沿直线路径处于不同位置时在该腔室内产生可变的开启度。活动屏蔽件包括构成第一流动路径的第一开孔部段和构成第二流动路径的第二开孔部段。所述流动路径具有可变的流量。上流动路径由屏蔽件的内表面和处理室罩盖外表面构成。下流动路径由遮蔽环和屏蔽件下部连同遮蔽环座构成。通过改变屏蔽件和遮蔽环的相对位置，可以调整该处理室的气体流量。在装载位置上，该屏蔽件相对于台座处于高位。在加工位置上，该屏蔽件处于中位。在清理位置上，该屏蔽件和遮蔽环座在低位上，其中该遮蔽环安放在支架上。
[0005]由DE112006003294T5公开了一种用于真空装置的截止阀用于分隔开处理室和真空装置的电子束枪。另外，设有包括彼此对置地设置在侧壁上的开口的阀体和用于打开/关闭开口的阀芯。柱形的活动屏蔽件可以在阀被打开时通过在处理室侧的开口进入阀体。该屏蔽件可以在其间来回移动。活动屏蔽件的内部和阀体的内部可以彼此气密分隔。
[0006]另外，由文献US6，730，174B2公开了一种用于半导体处理系统的可取出的屏蔽结构，包括上适配接头机构、至少一个设置在上适配接头机构的上端处的屏蔽单元、盖圈和隔绝机构，其中该上适配接头机构、至少一个屏蔽单元、盖圈和隔绝机构可以作为整体被同时取出。
【发明内容】
[0007]本发明的任务是提供一种基材真空处理设备，其中该真空室可相对于在处理室内进行的处理作业被屏蔽，以避免真空室的寄生涂覆，在这里，处理室内部同时具有良好的可接近性并且可以调节用于处理室内部区域的栗送功率。
[0008]根据本发明，该任务将通过独立权利要求的特征来完成。
[0009]本发明的基材真空处理设备具有包括处理室和等离子体装置的真空室和在处理室内设于等离子体装置下方的用于基材的容纳机构，其特点是，
[0010]-该处理室包括具有侧壁的上半部和具有侧壁的下半部，
[0011]-该上半部和下半部可以彼此相对运动，
[0012]-在该上半部的侧壁和该下半部的侧壁之间，设有在处理室的内部区域和设置在该上半部外的真空室内部区域之间的下流动路径，
[0013]-在该上半部的上边缘区和设置在真空室内部区域的上部分中的密封件之间设有在处理室的内部区域和设置在该上半部外的真空室内部区域之间的上流动路径，
[0014]-该上半部可相对于该真空室运动到低位，在该低位上该上流动路径是打开的，
[0015]-该上半部可相对于该真空室运动到高位，在该高位上该上流动路径是关闭的。
[0016]该处理室的上半部可以遮挡真空室内部以免在真空室内的寄生涂覆，而没有影响到进入处理室内部以便栗送和基材处理的可接近性。
[0017]由于在该上半部的侧壁和该下半部的侧壁之间设有在处理室内部区域和设置在该上半部外的真空室内部区域之间的下流动路径，故以结构非常简单的方式实现了该下流动路径。由于在该上半部的上边缘区和设于真空室内部区域的上部分中的密封件之间设有在处理室的内部区域和设置在该上半部外的真空室内部区域之间的上流动区，故也以结构非常简单的方式实现了该上流动路径。此时还有利的是，如果该上半部相对于真空室移动到低位，则该上流动路径被打开。还有利的是，如果该上半部相对于真空室移动到高位，该上流动路径被关闭。此外有利的是，如果该上半部相对于真空室处于高位，则处理室相对于设置在上半部和下半部外的真空室内部区域被视线隔绝地封闭。借此可靠阻止该真空室内部区域的寄生涂覆，在这里，同时可以通过下流动路径给处理室供应工作气体。
[0018]所述基材尤其可以是眼镜片等，其以批量形式被开闸放入真空室中、被真空处理且又被开闸放出。
[0019]该下半部可以在有利的实施方式中作为插入部件构成，其被插入或可被插入真空室底部区域内的凹空部中。
[0020]在本发明的另一个实施方式中规定，该下半部通过真空室底部中的凹空部来构成。借此虽然可以节省材料，但必须容忍该真空室区域的涂覆。
[0021]在本发明的另一个实施方式中规定，该上半部的侧壁以上筒环形式构成，借此能以结构很简单的方式实现所述上流动路径和下流动路径。
[0022]尤其是该上筒环可以具有略微小于下半部的内径的外径，同时规定了上半部侧壁与下半部侧壁的重叠，从而在上半部侧壁的部分和下半部侧壁的部分之间出现缝隙。该下流动路径此时延伸经过在上半部侧壁和下半部侧壁之间构成的缝隙。下流动路径的流量可以通过缝隙空间来确定。也可以有利地在该上半部处于高位时还是规定有重叠。该上流动路径于是是关闭的，而下流动路径是打开的。
[0023]另外，该下半部的侧壁能以下筒环形式构成。
[0024]在另一个实施方式中，上筒环所具有的内径略微大于下筒环的外径。
[0025]在另一个实施方式中，该容纳机构构造为在处理室中可相对于真空室移动。借此，可以在不改变流动路径流量的情况下改变基材距等离子体装置的距离，借此能独立于流量地影响基材真空处理参数例如像在基材表面上的等离子体离子能。
[0026]在本发明的又一个实施方式中规定，该容纳机构在高位上可以通过基材闸门机构被装载基材。在此情况下将该半部置入低位。
[0027]在本发明的另外一个实施方式中规定，该容纳机构具有底板，底板在处理室内构成中间底部区域，从而腔室尺寸是可变的。容纳机构可随之运动的升降装置的或许存在的零部件因此得到保护以免寄生涂覆。
[0028]在本发明的另外一个实施方式中规定，该上半部的侧壁和/或该下半部的侧壁至少部分由传导性材料制造并且能起到阳极或局部阳极的作用。
[0029]在本发明的另外一个实施方式中规定，该上半部相对于该真空室是电绝缘的，借此获得了用于调节处理室内的电位状况的进一步的自由度。
[0030]在本发明的另外一个实施方式中规定，该下半部相对于该真空室是电绝缘的，借此获得了用于调节处理室内的电位状况的进一步的自由度。
[0031]在本发明的另外一个实施方式中规定，该上半部与该真空室电连接，借此获得了用于调节处理室内的电位状况的进一步的自由度。
[0032]在本发明的另外一个实施方式中规定，该下半部与该真空室电连接，借此获得了用于调节处理室内的电位状况的进一步的自由度。
[0033]在本发明的另外一个实施方式中规定，至少该容纳机构的底板由导电材料构成并且相对于所述真空室、上半部或下半部是电绝缘的，借此获得了用于调节处理室内的电位状况的进一步的自由度。在另一个实施方式中，该底板由导电材料制造并且与所述真空室、上半部或下半部电连接。
[0034]在本发明的另外一个实施方式中规定，该下半部具有底部，该底部与该下半部的侧壁连接。该下半部可以有利地作为整体安装在真空室底部内的凹空部中并且也可以又被取出。
[0035]在本发明的另外一个实施方式中规定，该闸门机构包括进出闸室，其包含用于准备好基材的准备区域，在此，用于输送基材的输送路径从准备区域通向容纳机构并从容纳机构通向准备区域。所述输送为此在闸门打开时顺畅进行。
[0036]在本发明的另外一个实施方式中规定，为了沿输送路径在准备区域和容纳机构之间输送而设有摆动板，摆动板可以在准备区域和容纳机构之间绕转轴摆动，借此可以结构简单地获得良好的空间充分利用。
[0037]在本发明的另外一个实施方式中规定，该摆动板具有