技术总结
本发明涉及形成多孔低‑k介电结构。在衬底上方形成多个导电元件。该导电元件通过多个开口彼此分隔开。在导电元件上方形成阻挡层。该阻挡层形成为覆盖开口的侧壁。对阻挡层实施处理工艺。在实施处理工艺之后，阻挡层变成亲水的。在已经实施处理工艺之后，在阻挡层上方形成介电材料。介电材料填充开口并且包含多个致孔剂。本发明的实施例还涉及形成多孔低‑k结构的系统和方法。
技术研发人员：林伯俊;陈海清;包天一
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
文档号码：201610531827
技术研发日：2016.07.04
技术公布日：2017.02.15