技术总结
一种图案化衬底的方法包括在衬底上方形成硬掩模层；在硬掩模层上方形成第一材料层；以及在第一材料层中形成沟槽。方法进一步包括使用离子束通过沟槽蚀刻处理硬掩模层。对于蚀刻工艺而言，降低硬掩模层的被处理的部分的蚀刻速率同时对于蚀刻工艺而言硬掩模层的未被处理的部分的蚀刻速率保持大致不变。在处理硬掩模层之后，方法进一步包括使用蚀刻工艺去除第一材料层和去除硬掩模层的未处理的部分，从而在衬底上方形成硬掩模。方法进一步包括使用硬掩模作为蚀刻掩模蚀刻衬底。本发明实施例涉及用于集成电路图案化的方法。
技术研发人员：杨宗潾;陈华丰;陈桂顺;谢旻谚;李勃学;傅士奇;龙元祥;蔡晏佐
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
文档号码：201610663305
技术研发日：2016.08.12
技术公布日：2017.03.08