技术总结
本发明提供了一种改善有源区边界处的栅极拐角的方法，包括：判断栅极区和有源区的交接处是否存在拐角，判断非栅极区的多晶硅与有源区的平行距离是否在所设定的安全范围内；判断非栅极区的多晶硅尺寸是否在所设定的设计规则数值范围之内或小于所设定的设计规则数值范围；选择非栅极区的多晶硅图形为需修正的第二图形；判断需修正的第二图形的远离栅极区的边界到与该边界最近的图形边界的距离是否在所设定的修正空间之内；将需修正的第二图形的远离栅极区的边界向远离栅极区的方向移动；引入控制栅极区边缘圆弧外倾的修正过程，对需修正的第一图形、或者需修正的第一图形和第二图形进行修正；对修正后的图形进行模拟验证。
技术研发人员：顾婷婷;何大权;魏芳;朱骏;吕煜坤;张旭升
受保护的技术使用者：上海华力微电子有限公司
文档号码：201610704771
技术研发日：2016.08.22
技术公布日：2017.01.11