1.一种半导体器件结构，包括：
半导体衬底；
栅极堆叠件，位于所述半导体衬底上方，其中，所述栅极堆叠件包括栅极介电层和功函层，并且所述栅极介电层位于所述半导体衬底和所述功函层之间；以及
卤素源层，其中，所述栅极介电层位于所述半导体衬底和所述卤素源层之间。
2.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中，所述卤素源层位于所述栅极介电层和所述功函层之间。
3.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中，所述卤素源层是掺杂有卤素元素的金属氮化物层。
4.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中，所述卤素源层包括氧。
5.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中，所述卤素源层与所述栅极介电层直接接触。
6.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中，所述卤素源层未与所述栅极介电层直接接触。
7.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中，所述卤素源层具有卤素元素的原子浓度，并且所述卤素源层中的所述卤素元素的所述原子浓度是均匀的。
8.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中，所述卤素源层具有卤素元素的原子浓度，并且所述卤素源层中的所述卤素元素的所述原子浓度沿着从所述卤素源层的顶部朝向所述栅极介电层的方向逐渐变小。
9.一种半导体器件结构，包括：
半导体衬底；
栅极堆叠件，位于所述半导体衬底上方，其中，所述栅极堆叠件包括栅极介电层、覆盖层以及功函层，并且所述覆盖层位于所述栅极介电层和所述功函层之间；以及
卤素掺杂区域，位于所述覆盖层内。
10.一种用于形成半导体器件结构的方法，包括：
在半导体衬底上方形成栅极介电层；
在所述栅极介电层上方形成覆盖层；
在所述栅极介电层上方形成卤素源层；以及
在所述覆盖层上方形成功函层。