具有栅极堆叠件的半导体器件结构的结构和形成方法与流程

技术总结
本发明提供了具有栅极堆叠件的半导体器件结构的结构和形成方法。该半导体器件结构包括半导体衬底和位于半导体衬底上方的栅极堆叠件。该栅极堆叠件包括栅极介电层和功函层。栅极介电层位于半导体衬底和功函层之间。该半导体器件结构也包括卤素源层。栅极介电层位于半导体衬底和卤素源层之间。

技术研发人员：林智伟;王智麟;郭康民
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
文档号码：201610723852
技术研发日：2016.08.25
技术公布日：2017.06.09