1.一种固态成像器件，包括：
半导体层，其包括：
堆叠在所述半导体层中的第一光电转换单元和第二光电转换单元；和
纵向晶体管，其具有从所述半导体层的第一表面嵌入到所述半导体层中的栅极电极，
有机光电转换单元，其设置在所述半导体层的第二表面上方，其中所述第二表面是所述半导体层的光入射表面，
其中，所述第一光电转换单元形成为跨越所述纵向晶体管的所述栅极电极的一部分，并且电连接到所述纵向晶体管。
2.根据权利要求1所述的固态成像器件，进一步包括：
电荷读出电路，其中所述电荷读出电路设置在所述半导体层的第一表面侧，
其中所述第一光电转换单元生成电荷，并且所述电荷通过所述栅极电极被传输到所述电荷读出电路。
3.根据权利要求2所述的固态成像器件，其中，所述电荷在电荷读出时段期间通过所述栅极电极被传输到所述电荷读出电路。
4.根据权利要求1所述的固态成像器件，其中，所述第一光电转换单元邻近于所述半导体层的所述第二表面。
5.根据权利要求4所述的固态成像器件，其中，所述第二光电转换单元位于所述第一光电转换单元和所述半导体层的所述第一表面之间。
6.根据权利要求5所述的固态成像器件，其中，所述纵向晶体管的所述栅极电极从所述半导体层的所述第一表面延伸至所述第一光电转换单元。
7.根据权利要求6所述的固态成像器件，进一步包括：
电荷累积区，其中所述纵向晶体管的所述栅极电极位于所述第二光电转换单元和所述电荷累积区之间。
8.根据权利要求7所述的固态成像器件，其中，所述有机光电转换单元包括第一电极、有机光电转换层以及第二电极。
9.根据权利要求8所述的固态成像器件，其中，所述电荷累积区电连接到所述有机光电转换单元的所述第二电极。
10.根据权利要求9所述的固态成像器件，其中，所述电荷累积区在接触区连接到布线层，并且其中，所述布线层连接到所述有机光电转换单元的所述第二电极。
11.根据权利要求10所述的固态成像器件，其中，连接到所述有机光电转换单元的所述第二电极的所述布线层具有十字形的横截面。
12.根据权利要求11所述的固态成像器件，进一步包括：
光屏蔽膜，其中所述光屏蔽膜至少部分地设置在所述有机光电转换单元和所述半导体层的所述第二表面之间，其中所述光屏蔽膜和所述布线层被配置为阻挡光。
13.根据权利要求12所述的固态成像器件，其中，在所述光屏蔽膜和所述布线层之间形成孔。
14.根据权利要求1所述的固态成像器件，其中，所述有机光电转换单元的面积大于所述第一光电转换单元的面积。
15.根据权利要求1所述的固态成像器件，其中，所述有机光电转换单元对绿色光感光。
16.根据权利要求15所述的固态成像器件，其中，所述有机光电转换单元透射蓝色光和红色光。
17.根据权利要求16所述的固态成像器件，其中，所述第一光电转换单元对蓝色光感光。
18.根据权利要求17所述的固态成像器件，其中，所述第二光电转换单元对红色光感光。
19.根据权利要求1所述的固态成像器件，其中，所述第一光电转换单元位于所述纵向晶体管的所述栅极电极和所述半导体层的所述第二表面之间。
20.根据权利要求1所述的固态成像器件，进一步包括：
浮动扩散部，其中所述浮动扩散部形成在所述半导体层中，并邻近于所述第二光电转换单元的与所述纵向晶体管相对的一侧。
21.根据权利要求1所述的固态成像器件，其中，所述半导体层的所述第一表面是电路形成表面。
22.根据权利要求1所述的固态成像器件，其中，所述第一光电转换单元的面积大于所述第二光电转换单元的面积。
23.根据权利要求22所述的固态成像器件，其中，所述有机光电转换单元的面积大于所述第一光电转换单元的面积。
24.根据权利要求1所述的固态成像器件，其中，所述半导体层是硅。
25.根据权利要求1所述的固态成像器件，其中，所述成像器件是背面照射型结构。
26.一种电子设备，包括：
固态成像器件；
光学系统，其在所述固态成像器件上形成图像光；以及
信号处理电路，其处理所述固态成像器件的输出信号，所述固态成像器件包括：
半导体层，其包括：
堆叠在所述半导体层中的第一光电转换单元和第二光电转换单元；和
纵向晶体管，其具有从所述半导体层的第一表面嵌入到所述半导体层中的栅极电极，
有机光电转换单元，其设置在所述半导体层的第二表面上方，其中所述第二表面是所述半导体层的光入射表面，
其中，所述第一光电转换单元形成为跨越所述纵向晶体管的所述栅极电极的一部分，并且电连接到所述纵向晶体管。