技术总结
本发明公开了一种应用于太阳能电池提升开压的两步通源工艺，用于单晶电池片的扩散处理工序，包括下列步骤：步骤一.单晶电池片低温沉积：此步骤中采用相对低沉积步温度及相对低浓度的POCL3，沉积温度748‑752℃，沉积时间9min‑11min；步骤二.二步沉积：升温至800℃‑810℃，进行相对高浓度的POCL3二步沉积，沉积保持3min‑4min，再升温至850℃‑870℃，保持10min‑16min高温推进；步骤三.三步降温吸杂出炉：按810℃→800℃→750℃三个阶段逐步降温，每个阶段分别用400s降温通氧氧化，氧气流量为4000sccm；步骤四.对扩散完成的单晶电池片进行方阻测试。本发明采用低温扩散+分步升温推进的扩散方案，可减少单晶电池片表面死层，提高少子寿命，改善方阻均匀性，从而提升Uoc，提高光电转换效率。
技术研发人员：董方;张向斌;宋飞飞
受保护的技术使用者：横店集团东磁股份有限公司
文档号码：201610797372
技术研发日：2016.08.31
技术公布日：2017.12.08