1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：
在基板上形成栅金属层，并利用第一掩膜板曝光显影形成栅极层；
在所述栅极层上形成覆盖所述栅极层的栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层上形成半导体层，并利用所述栅极层或所述第一掩膜板曝光显影形成半导体子层；
在所述半导体子层上形成刻蚀阻挡层；
在所述刻蚀阻挡层和所述半导体子层上形成源漏金属层，图案化所述源漏金属层和所述半导体子层，形成源漏极层和有源层；
其中，所述源漏极层包括沿第一方向排列的源极和漏极；
在所述第一方向上，所述源极远离所述漏极的边缘向所述基板的正投影和所述漏极远离所述源极的边缘向所述基板的正投影之间的距离与所述有源层向所述基板正投影图形的长度相等。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述刻蚀阻挡层和半导体子层上形成源漏金属层，图案化所述源漏金属层和所述半导体子层，形成源漏极层和有源层的步骤包括：
利用第二掩膜板曝光显影，通过刻蚀工艺刻蚀所述源漏极金属层，形成所述源漏极层；
刻蚀所述半导体子层中的不与所述刻蚀阻挡层接触且不与所述源漏极层相接触的区域，形成所述有源层。
3.根据权利要2所述的方法，其特征在于，所述有源层沿所述第一方向的长度大于所述刻蚀阻挡层沿所述第一方向的长度，所述源极和所述漏极与所述有源层电连接。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述利用所述栅极层或所述第一掩膜板曝光显影形成半导体子层，包括：
从所述基板背离所述栅极层的一侧照射，利用所述栅极层为掩膜曝光显影，形成与所述栅极层对应的所述半导体子层。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述利用所述栅极层或所述第一掩膜板曝光显影形成半导体子层，包括：
利用所述第一掩膜板曝光显影，形成与所述栅极层对应的所述半导体子层。
6.根据权利要求4或5所述的方法，其特征在于，所述半导体子层向所述基板的正投影位于所述栅极层向所述基板的正投影内。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述半导体子层向所述基板正投影的图形的边缘与所述栅极层向所述基板正投影的图形的边缘之间的距离为a，且满足a≥1μm。
8.根据权利要求4或5所述的方法，其特征在于，所述栅极层向所述基板的正投影位于所述半导体子层向所述基板的正投影内。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体包括：非晶相铟镓锌氧化物、氧化铟锌或氧化锌锡。
10.一种阵列基板，其特征在于，包括：
基板；
设置在所述基板上的栅极层，以及覆盖在所述栅极层上的栅极绝缘层；
设置在所述栅极绝缘层上的有源层；
设置在所述有源层上的刻蚀阻挡层；以及
设置在所述刻蚀阻挡层和所述有源层上的源漏极层，所述源漏极层包括沿第一方向排列的源极和漏极；
在所述第一方向上，所述源极远离所述漏极的边缘向所述基板的正投影和所述漏极远离所述源极的边缘向所述基板的正投影之间的距离与所述有源层向所述基板正投影图形的长度相等。
11.根据权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层向所述基板的正投影位于所述栅极层向所述基板的正投影内；
所述有源层向所述基板正投影图形的边缘与所述栅极层向所述基板正投影图形的边缘之间的距离为b，且满足b≥1μm。
12.根据权利要求11所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层沿所述第一方向的长度大于所述刻蚀阻挡层沿所述第一方向的长度，所述源极和所述漏极与所述有源层电连接。
13.根据权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，用于形成所述有源层的材料包括：非晶相铟镓锌氧化物、氧化铟锌或氧化锌锡。
14.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求10-13之一所述的阵列基板。