技术总结
本申请公开了一种阵列基板及其制作方法、显示面板，所述阵列基板的制作方法包括：在基板上形成栅金属层，并利用第一掩膜板曝光显影形成栅极层；在栅极层上形成覆盖其的栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成半导体层，并利用栅极层或第一掩膜板曝光显影形成半导体子层；在半导体子层上形成刻蚀阻挡层；在刻蚀阻挡层和半导体子层上形成源漏金属层，图案化源漏金属层和半导体子层，形成源漏极层和有源层。上述阵列基板的制作方法可以利用栅极层或第一掩膜板，以及源漏极层制作有源层，无需引入新的掩膜板，从而减少了阵列基板制作过程中使用掩膜板的数目，降低了生产成本。
技术研发人员：许传志;童晓阳;李雄平;谢正芳
受保护的技术使用者：上海天马微电子有限公司;天马微电子股份有限公司
文档号码：201610801182
技术研发日：2016.09.05
技术公布日：2016.12.07