一种显示面板及其制作方法和显示装置与流程

本发明的实施例涉及电子设备领域，尤其涉及一种显示面板及其制作方法和显示装置。

背景技术：

在目前的In Cell(像素内部)光学指纹识别技术方案中，是通过在显示面板上嵌入光电转换器件，如：PIN(英文全称：positibe Intrinsic negative，中文：正-本征-负)型光电二极管，将手指放在显示面板上，指纹会反射来自显示面板的亮光，触摸位置处的PIN型光电二极管将接收到的指纹反射的光信号转换为电信号，并将该电信号传输至与显示面板连接的集成电路(英文简称：IC，英文全称：integrated circuit)从而实现指纹识别。在现有技术中，为节省mask(掩膜)工艺，PIN型光电二极管的下电极(阳极电极)采用与显示面板中TFT(英文全称：Thin Film Transistor，薄膜晶体管)的源漏极(英文简称：SD，英文全称：source Drain)同层的金属制作，例如：MO或者AL等金属材料。在实现本发明过程中，发明人发现现有技术中至少存在如下问题，采用这些金属材料后，显示面板外部的自然光照照射PIN结时会有部分光线经过金属材料制成的源漏极反射到显示面板的外面，这样显示面板有金属反光，影响正常显示效果。

技术实现要素：

本发明的实施例提供一种显示面板及其制作方法和显示装置，能够解决显示面板有金属反光的问题。

第一方面，提供一种显示面板，包括衬底基板，衬底基板上设置有阵列开关，以及光电转换器件，阵列开关包括源极、漏极、半导体有源层、栅极，其中光电转换器件的阳极连接阵列开关的漏极；

在衬底基板与光电转换器件的阳极之间还设置有吸光树脂层，光电转换器件的阳极采用透明电极。

可选的，所述吸光树脂层在所述衬底基板上的正投影完全覆盖所述光电转换器件的阳极在所述衬底基板上的正投影。

可选的，所述吸光树脂层设置于所述衬底基板上，所述吸光树脂层上覆盖有缓冲层；所述阵列开关以及光电转换器件设置于所述缓冲层上。

可选的，所述吸光树脂层设置于所述衬底基板上栅绝缘层上的金属层上，所述光电转换器件的阳极设置于所述栅绝缘层上的钝化层上的第一过孔中，其中所述光电转换器件的阳极通过所述漏极上方的钝化层上的第二过孔与所述漏极电连接。

可选的，所述吸光树脂层采用黑色树脂材料。

可选的，所述光电转换器件为正-本征-负型二极管。

第二方面，提供一种显示装置，包含如上的显示面板。

第三方面，提供一种显示面板的制作方式，包括如下步骤：

在衬底基板上制作吸光树脂层；

制作覆盖吸光树脂层的缓冲层；

在缓冲层上制作阵列开关，以及光电转换器件；

阵列开关包括源极、漏极、栅极，其中光电转换器件的阳极连接阵列开关的漏极；光电转换器件的阳极设置于吸光树脂层上方，光电转换器件的阳极采用透明电极。

第四方面，提供一种显示面板的制作方式，包括如下步骤：

在衬底基板上制作阵列开关的栅极、栅绝缘层、半导体有源层；

在所述栅绝缘层上制作金属材料层，在所述金属材料层上制作吸光树脂层；

通过一次构图工艺在所述金属材料层上形成所述阵列开关的源极、漏极以及金属层，所述金属层与所述漏极电连接，所述吸光树脂位于所述金属层上方；

在所述吸光树脂层上方制作光电转换器件；制作覆盖所述源极、漏极、栅极、栅绝缘层、半导体有源层以及吸光树脂层的钝化层；在所述钝化层上所述吸光树脂层上方形成第一过孔，在所述钝化层上所述漏极上方形成第二过孔；

在所述钝化层上形成所述光电转换器件的阳极，其中所述光电转换器件的阳极设置于所述第二过孔中并通过所述第一过孔与所述漏极电连接。

以上方案中，由于在衬底基板与光电转换器件的阳极之间还设置有吸光树脂层，吸光树脂层设置于所述衬底基板上栅绝缘层上的金属层上,因此当外部的自然光照射到光电转换器件时能够照射到吸光树脂层，会被吸收掉，而不会反射出显示面板，从而解决了显示面板有金属反光的问题，提升了显示效果。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明的实施例提供的一种显示面板结构示意图；

图2为本发明的实施例提供的另一种显示面板结构示意图；

图3为本发明的实施例提供的一种显示面板结构的制作方法；

图4为本发明的实施例提供的又一种显示面板结构的制作方法。

附图标记：

衬底基板-1；

阵列开关-2；

源极-21；

漏极-22；

半导体有源层-23；

栅极-24；

光电转换器件-3；

阳极-31；

光敏材料层-32；

阴极-33；

吸光树脂层-4；

缓冲层-5；

栅绝缘层-6；

金属层-7；

钝化层-8；

金属遮光层-9；

第一保护层-10；

公共电极-11；

公共电极线-12；

第二保护层-13；

第一过孔-h1；

第二过孔-h2；

第三过孔-h3；

第四过孔-h4。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

现有技术中，在嵌入用于指纹识别的光电转换器件的显示面板上，由于光电转换器件的阳极(下电极)通常采用金属制作，显示面板外部的自然光照照射到阳极金属时会形成金属反光，影响正常显示效果，为避免该问题，本申请的实施例提供的方案将光电转换器件的阳极采用透明电极，并在衬底基板与光电转换器件的阳极之间还设置有吸光树脂层，通过吸光树脂将透过光电转换器件的阳极的光线吸收，良好的解决上述问题，具体说明如下：

如图1所示，本发明的实施例提供一种显示面板，包括衬底基板1，所述衬底基板1上设置有阵列开关2，以及光电转换器件3，所述阵列开关2包括源极21、漏极22、半导体有源层23、栅极24，其中所述光电转换器件3的阳极31连接所述阵列开关2的漏极22；

所述衬底基板1与所述光电转换器件3的阳极31之间还设置有吸光树脂层4，所述光电转换器件3的阳极31采用透明电极。

以上方案中，由于在衬底基板与光电转换器件的阳极之间还设置有吸光树脂层，光电转换器件的阳极采用透明电极，因此当外部的自然光照射到光电转换器件时能够透过光电转换器件的阳极，当透过阳极的光束照射到吸光树脂层时，会被吸收掉，而不会反射出显示面板，从而解决了显示面板有金属反光的问题，提升了显示效果。

示例性的，如图1所示，吸光树脂层4设置于衬底基板上1，吸光树脂层4上覆盖有缓冲层5；阵列开关2以及光电转换器件3设置于缓冲层上5。可选的，吸光树脂层4采用黑色树脂材料。光电转换器件3为正-本征-负型二极管。

在上述图1所示的方案中，黑色树脂(Resin)材料会先于阵列开关2制作，阵列开关2的半导体有源层23通常采用IGZO(英文全称：indium gallium zinc oxide，中文：铟镓锌氧化物)制作，IGZO制作工艺会超过400℃，这种情况下，黑色树脂材料会有释气(Out Gas)问题，黑色树脂材料在高温情况下释放出来的H离子会影响IGZO特性，所以本方案的优化方案改为把吸光树脂层4的制作放置在形成阵列开关2的源极21和漏极22(SD)的金属材料层制作完成之后。SD金属材料层沉积完成后，在相应位置制作黑色树脂材料形成吸光树脂层4，吸光树脂层4制作完成后再进一步制作SD图案，这样的好处是制作黑色树脂材料过程中SD层金属可以有效的保护IGZO材料。

具体如图2所示，所述吸光树脂层4设置于所述衬底基板1上栅绝缘层6上的金属层7上，所述光电转换器件3的阳极31设置于所述栅绝缘层6上的钝化层8上的第一过孔h1中，其中所述光电转换器件3的阳极31通过所述漏极22上方的钝化层8上的第二过孔h2与所述漏极22电连接。

进一步的，为保证吸光树脂层4的吸光效果，吸光树脂层4在衬底基板1上的正投影完全覆盖所述光电转换器件3的阳极31在所述衬底基板1上的正投影。

此外，如图1、2中还进一步示出了，栅极24和半导体有源层23之间还设置有栅绝缘层6，位于钝化层8上方覆盖阵列开关2的沟道的金属遮光层9(英文：Light Shielding，简称：LS)，光电转换器件3还包括阳极31上方的光敏材料层32、阴极33；其中金属遮光层9和光电转换器件3的阴极33上方覆盖第一保护层10，第一保护层10上对应光电转换器件3的阴极33的位置设置有第三过孔h3，第一保护层10上还设置有公共电极11，该公共电极11通过第三过孔h3电连接光电转换器件3的阴极33为光电转换器件3的阴极33提供公共电压，此外该公共电极11还通过钝化层8、栅绝缘层6和第一保护层10上的第四过孔h4与公共电极线12(Vcom)电连接连接，其中该第四过孔h4中沉积有形成源极21和漏极22的金属材料以及形成金属遮光层9的金属材料；公共电极11上还覆盖有第二保护层13；上述方案中，栅绝缘层6、钝化层8、第一保护层10和第二保护层13可以采用硅的氧化物或氮化物制作，光电转换器件3的阴极33以及公共电极11可以采用ITO材料。

参照图3所示，本发明的实施例提供了如上图1所示的显示面板的制作方法包含如下步骤：

101、在衬底基板上制作吸光树脂层。

其中在步骤101中，衬底基板采用的材料可以是以下任一种：玻璃、聚对苯二甲酸乙二醇酯、三醋酸纤维素和聚酰亚胺透明柔性衬底。示例性的，其材料可以是0.1mm至1mm的玻璃，也可以是常用的PET(聚对苯二甲酸乙二酯)、厚度1微米至500微米的TAC(三聚氰酸三烯丙酯)和PI(聚酰亚胺)透明柔性衬底；可以采用旋涂或喷墨打印或气溶胶打印或激光诱导转印或纳米压印等涂布工艺在衬底基板上形成黑色树脂(Resin)材料制作吸光树脂层。

102、制作覆盖吸光树脂层的缓冲层。

示例性的，可以利用化学汽相沉积法在衬底基板上沉积厚度为至的缓冲层，缓冲层可以使用氮化硅，也可以使用氧化硅和氮氧化硅。

103、在缓冲层上制作阵列开关，以及光电转换器件。

阵列开关包括源极、漏极、栅极，其中光电转换器件的阳极连接阵列开关的漏极；光电转换器件的阳极设置于吸光树脂层上方，光电转换器件的阳极采用透明电极。

在上述制作方法中，由于在衬底基板与光电转换器件的阳极之间还设置有吸光树脂层，光电转换器件的阳极采用透明电极，因此当外部的自然光照射到光电转换器件时能够透过光电转换器件的阳极，当透过阳极的光束照射到吸光树脂层时，会被吸收掉，而不会反射出显示面板，从而解决了显示面板有金属反光的问题，提升了显示效果。

参照图4所示的制作方法包含如下步骤：

201、在衬底基板上制作阵列开关的栅极、栅绝缘层、半导体有源层。

示例性的，可以使用磁控溅射方法，在衬底基板上制备一层厚度在至的金属薄膜层。金属材料通常可以采用钼、铝、铝镍合金、钼钨合金、铬、或铜等金属，也可以使用上述几种材料薄膜的组合结构。然后，用掩模版通过曝光、显影、刻蚀、剥离等构图工艺处理，形成栅极。可以利用化学汽相沉积法在衬底基板上沉积厚度为至的绝缘层，在然后在绝缘层上涂上一层光刻胶，通过掩膜、曝光、显影、刻蚀、剥离之后得到一层栅绝缘层。在本实施例中，栅绝缘层的材料可以是氮化硅，也可以使用氧化硅和氮氧化硅等。然后在栅极上方的栅绝缘层上采用IGZO材料制作半导体有源层。

202、在栅绝缘层上制作金属材料层。

同样的，该步骤可以采用如步骤201中栅极的制作方法制作，不再赘述。

203、在金属材料层上制作吸光树脂层。

同样的，该步骤可以采用如步骤101的方法制作这里不再赘述。

204、通过一次构图工艺在金属材料层上形成阵列开关的源极、漏极以及金属层。

其中，步骤204中制作的结构中，金属层与漏极电连接，吸光树脂层位于金属层上方。

205、在吸光树脂层上方制作光电转换器件。

206、制作覆盖源极、漏极、栅极、栅绝缘层、半导体有源层以及吸光树脂层的钝化层；在钝化层上所述吸光树脂层上方形成第一过孔，在钝化层上漏极上方形成第二过孔。

207、在钝化层上形成光电转换器件的阳极，其中光电转换器件的阳极设置于第二过孔中并通过第一过孔与漏极电连接。

在上述制作方法中，由于在衬底基板与光电转换器件的阳极之间还设置有吸光树脂层，因此当外部的自然光照射到光电转换器件时能照射到吸光树脂层，会被吸收掉，而不会反射出显示面板，从而解决了显示面板有金属反光的问题，提升了显示效果。并且，在图3的制作方法中，黑色树脂材料会先于阵列开关制作，阵列开关的半导体有源层通常采用IGZO(英文全称：indium gallium zinc oxide，中文：铟镓锌氧化物)制作，IGZO制作工艺会超过400℃,这种情况下，黑色树脂材料会有释气(Out Gas)问题，黑色树脂材料在高温情况下释放出来的H离子会影响IGZO特性，在图4对应的制作方法中为把吸光树脂层的制作放置在形成阵列开关的源漏电极SD的金属材料层制作完成之后。SD金属材料层沉积完成后，在相应位置制作黑色树脂材料形成吸光树脂层，吸光树脂层制作完成后再进一步制作SD图案，从而在制作黑色树脂材料过程中，SD层金属有效的保护了IGZO材料。

本发明的实施例提供一种显示装置，包括上述的显示面板。另外，显示装置可以为：电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。