阵列基板的制作方法以及通过该方法制得的阵列基板与流程

本发明涉及一种阵列基板的制作方法以及一种通过该方法制得的阵列基板。
背景技术：
：液晶显示面板通常包括阵列基板、对向基板以及夹设在所述阵列基板与对向基板之间的液晶层。其中，该阵列基板靠近液晶层的一侧通常会覆盖有一绝缘覆盖层，例如是平坦化层等。为提高所述绝缘覆盖层的透光率，通常会用紫外光漂白所述绝缘覆盖层。然而，紫外光的照射容易破坏阵列基板中的通道层。技术实现要素：鉴于此，有必要提供一种阵列基板的制作方法，该方法包括：提供薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括通道层；形成覆盖所述薄膜晶体管的绝缘覆盖层；以及通过紫外光照射所述绝缘覆盖层并用一遮挡物遮蔽所述通道层，所述绝缘覆盖层未被所述遮挡物遮蔽的部分在所述紫外光的照射下由半透明变为透明。还有必要提供一种通过上述方法制得的阵列基板。一种阵列基板，该阵列基板包括基板、形成在所述基板上的薄膜晶体管以及覆盖所述薄膜晶体管的绝缘覆盖层，所述薄膜晶体管包括通道层，所述绝缘覆盖层对应所述通道层的位置是半透明的，所述绝缘覆盖层对应所述通道层以外的位置是透明的。与现有技术相对比，本发明所提供的阵列基板的制作方法以及通过该方法制得的阵列基板由于在漂白绝缘覆盖层时通道层被遮挡物遮挡，该通道层不会被破坏，从而能够得到更加稳定的阵列基板。附图说明图1是本发明具体实施方式的显示面板。图2是本发明具体实施方式的阵列基板。图3是沿图2中III-III切割线所做的剖视图。图4是本发明阵列基板制作方法的第一实施方式的流程图。图5至图9是图4中各步骤的分步示意图。图10是本发明阵列基板制作方法的第二实施方式的流程图。图11-12是图10中各步骤的分步示意图。主要元件符号说明显示面板1阵列基板10对向基板11液晶层12基板101栅极102栅极绝缘层103通道层104源极105漏极106数据绝缘层107绝缘覆盖层108栅极线151数据线152像素电极153通孔161第一区域108a第二区域108b掩膜300如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。具体实施方式请参阅图1，本发明具体实施方式所提供的显示面板1包括阵列基板10、对向基板11以及液晶层12。所述液晶层12夹设于所述阵列基板10与对向基板11之间。在本实施方式中，所述阵列基板10为薄膜晶体管基板，所述对向基板11为彩色滤光片基板。请一并参阅图2与图3，本发明具体实施方式所提供的阵列基板10包括基板101、栅极102、栅极绝缘层103、通道层104、源极105、漏极106、数据绝缘层107、绝缘覆盖层108、栅极线151、数据线152以及像素电极153。其中，所述栅极102、栅极绝缘层103、通道层104、源极105与漏极106共同构成一薄膜晶体管。具体地，所述栅极102与栅极线151形成在所述基板101上。所述栅极绝缘层103覆盖所述栅极102与栅极线151。所述通道层104设置在所述栅极绝缘层103上且位置正对所述栅极102。所述源极105、漏极106以及数据线152形成在所述栅极绝缘层103上，且所述源极105与漏极106分别覆盖所述通道层104的两端。所述数据绝缘层107覆盖所述栅极绝缘层103、通道层104、源极105、漏极106以及数据线152。所述像素电极153形成在所述数据绝缘层107上，并通过一开设在所述数据绝缘层107上的通孔161与所述漏极106电性连接。所述绝缘覆盖层108形成在所述数据绝缘层107上并覆盖所述像素电极153。在本实施方式中，所述绝缘覆盖层108为一平坦化层，所述绝缘覆盖层108远离所述数据绝缘层107的表面呈一平坦的表面。所述绝缘覆盖层108包括对应所述通道层104的第一区域108a以及对应所述通道层104以外的位置的第二区域108b。所述第一区域108a是半透明的，有时会呈现一定的黄色。所述第二区域108b是透明的。所述第二区域108b是在紫外光的照射下由半透明变为透明的。在本实施方式中，所述基板101的材质选自透明基材，例如玻璃、石英或有机聚合物等。所述栅极102、栅极线151、源极105、漏极106以及数据线152的材质选自金属，例如铝、钛、钼、钽、铜等。所述通道104的材质选自半导体，例如金属氧化物、非晶硅或多晶硅等。所述栅极绝缘层103以及数据绝缘层107的材质选自透明绝缘材料，例如氧化硅、氮化硅、氧化铝以及氮氧化硅等。所述像素电极153的材质选自透明导电材料，如氧化铟锡(ITO)。所述绝缘覆盖层108选自能够在紫外光的照射下变透明的有机材料，例如采用日本JSR公司的PC(聚碳酸酯)系列、富士胶片株式会社的平坦层材料以及苯并环乙烯(BCB)等。下面将会通过两个具体实施方式对本发明阵列基板10的制作方法进行描述。本发明具体实施方式所提供的阵列基板10的制作方法主要是通过在紫外光照射绝缘覆盖层108时使用一遮挡物遮蔽所述通道层104，从而避免所述通道层104被紫外光破坏。请参阅图4，为本发明阵列基板10制作方法的第一实施方式的流程图。所应说明的是，本发明阵列基板10制作方法并不受限于下述步骤的顺序，且在其他实施方式中，本发明阵列基板10制作方法可以只包括以下所述步骤的其中一部分，或者其中的部分步骤可以被删除。下面结合图4各流程步骤的说明对本发明阵列基板10制作方法的第一实施方式进行详细介绍。步骤S201，请参阅图5，提供基板101，并在所述基板101上形成栅极102。具体地，首先提供基板101，在所述基板101上形成一金属层，并通过黄光制程图案化所述金属层以形成所述栅极102。可以理解，所述栅极线151与所述栅极102在同一黄光制程中形成。在本实施方式中，所述基板101的材质选自透明基材，例如玻璃、石英或有机聚合物等。所述金属例如是铝、钛、钼、钽、铜等。步骤S202，请参阅图6，在所述基板101上形成覆盖所述栅极102的栅极绝缘层103，在所述栅极绝缘层103上形成一半导体层，并在一掩膜300的遮蔽下通过黄光制程图案化所述半导体层以形成通道层104。在本实施方式中，所述栅极绝缘层103的材质选自透明绝缘材料，例如氧化硅、氮化硅、氧化铝以及氮氧化硅等。所述半导体层例如是金属氧化物、非晶硅或多晶硅等。步骤S203，请参阅图7，在所述栅极绝缘层103上形成源极105与漏极106，所述源极105与漏极106分别覆盖所述通道层104的两端。具体地，首先在所述栅极绝缘层103上形成一金属层，并通过黄光制程图案化所述金属层以形成所述源极105与漏极106。可以理解，所述数据线152与所述源极105与漏极106在同一步骤中形成。在本实施方式中，所述金属例如是铝、钛、钼、钽、铜等。步骤S204，请参阅图8，形成覆盖所述栅极绝缘层103、通道层104、源极105以及漏极106的数据绝缘层107，并在所述数据绝缘层107上形成绝缘覆盖层108。在本实施方式中，所述数据绝缘层107的材质选自透明绝缘材料，例如氧化硅、氮化硅、氧化铝以及氮氧化硅等。所述绝缘覆盖层108选自能够在紫外光的照射下变透明的有机材料，例如采用日本JSR公司的PC(聚碳酸酯)系列、富士胶片株式会社的平坦层材料以及苯并环乙烯(BCB)等。步骤S205，请参阅图9，通过紫外光照射所述绝缘覆盖层108并用所述掩膜300遮蔽所述通道层104，所述绝缘覆盖层108未被所述掩膜300遮蔽的部分108b在所述紫外光的照射下由半透明变为透明。由此，在本实施方式中，通过在形成通道层104时的掩膜300作为紫外光照射绝缘覆盖层108时使用的遮挡物，能够避免通道层108被紫外光破坏，从而得到更加稳定的阵列基板10。请参阅图10，为本发明阵列基板10制作方法的第二实施方式的流程图。所应说明的是，本发明阵列基板10制作方法并不受限于下述步骤的顺序，且在其他实施方式中，本发明阵列基板10制作方法可以只包括以下所述步骤的其中一部分，或者其中的部分步骤可以被删除。下面结合图10各流程步骤的说明对本发明阵列基板10制作方法的第二实施方式进行详细介绍。步骤S301，请参阅图11，提供阵列基板半成品包括栅极102、通道层104以及绝缘覆盖层108，所述通道层104位于所述栅极102与所述绝缘覆盖层108之间。具体地，所述阵列基板半成品还包括基板101、栅极绝缘层103,、源极105、漏极106以及数据绝缘层107。其中，所述栅极102形成在所述基板101上。所述栅极绝缘层103形成在所述基板101上并覆盖所述栅极102。所述通道层104形成在所述栅极绝缘层103上且位置正对所述栅极102。所述源极105与漏极106形成在所述栅极绝缘层103上且分别覆盖所述通道层104两端。所述数据绝缘层107覆盖所述栅极绝缘层103、通道层104、源极105以及漏极106。所述绝缘覆盖层108覆盖所述数据绝缘层107。在本实施方式中，所述基板101的材质选自透明基材，例如玻璃、石英或有机聚合物等。所述栅极102、源极105以及漏极106的材质选自金属，例如铝、钛、钼、钽、铜等。所述通道104的材质选自半导体，例如金属氧化物、非晶硅或多晶硅等。所述栅极绝缘层103以及数据绝缘层107的材质选自透明绝缘材料，例如氧化硅、氮化硅、氧化铝以及氮氧化硅等。所述绝缘覆盖层108选自能够在紫外光的照射下变透明的有机材料，例如采用日本JSR公司的PC(聚碳酸酯)系列、富士胶片株式会社的平坦层材料以及苯并环乙烯(BCB)等。步骤S302，请参阅图12，通过紫外光从所述栅极103远离所述绝缘覆盖层108的一侧照射所述绝缘覆盖层108，，所述绝缘覆盖层108未被所述栅极103遮蔽的部分在所述紫外光的照射下由半透明变为透明。由此，在本实施方式中，通过栅极103作为紫外光照射绝缘覆盖层108时使用的遮挡物，能够避免通道层108被紫外光破坏，从而得到更加稳定的阵列基板10。相较于制作方法的第一实施方式，本实施方式由于无需再次使用所述掩膜300，制程更加简单。以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制，图示中出现的上、下、左及右方向仅为了方便理解，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或等同替换，而不脱离本发明技术方案的精神和范围。当前第1页1 2 3