技术总结
本发明属于新材料及半导体领域，特别涉及一种氧化铟透明半导体薄膜的低温溶液制备方法。包括如下步骤：称取可溶性的铟盐，量取溶剂，配置浓度为0.01‑0.5摩尔/升的氧化铟前驱体溶液，经过0.1‑3小时的磁力搅拌和超声分散形成澄清透明的氧化铟前驱体溶液；制备氧化铟薄膜：将氧化铟前驱体溶液涂覆到清洗好的衬底上形成氧化铟前驱体薄膜，进行50‑150℃的预热处理，然后经过一定功率、时间和温度的光波退火，根据氧化铟薄膜的厚度要求可多次涂覆前驱体氧化铟溶液并退火处理，即得到氧化铟透明半导体薄膜。本发明所得氧化铟薄膜在晶体管、存储器、太阳能电池等信息能源领域有重要应用前景。通过本发明的工艺可以避免通常的高温溶液工艺、工艺周期长或昂贵设备等，成本低，适合工业化大规模生产。
技术研发人员：夏国栋;姚书山;王素梅
受保护的技术使用者：齐鲁工业大学
文档号码：201610821771
技术研发日：2016.09.14
技术公布日：2017.05.31