一种背接触异质结单晶硅太阳能电池及其制作方法与流程

文档序号:12474294阅读:来源:国知局
技术总结
本发明适用于太阳能光伏技术领域,提供了一种背接触异质结太阳能电池及其制作方法,所述方法包括:在非晶硅层表面,通过第一镀膜技术形成一层透明导电氧化物层;在透明导电氧化物层表面,通过第二镀膜技术形成一层金属层;通过激光划线技术,按照预设的金属电极图案,在金属层上进行激光划线,在所述金属层形成包括主电极和栅线电极的金属电极图案。通过在非晶硅层与金属层中间镀一层透明导电氧化物层,再结合不同的激光特性,进行激光划线,可以避免激光划线过程中对非晶硅和硅基底的损伤,同时可有效避免金属对硅的扩散,并且相对于现有技术,本发明工艺流程较为简单,且可以采用铝等廉价金属材料,降低了电池制作成本,可以达到量产的目的。

技术研发人员:张振刚;萧生刚;宋江;刘万满
受保护的技术使用者:深圳市科纳能薄膜科技有限公司
文档号码:201610832552
技术研发日:2016.09.20
技术公布日:2016.12.21

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