技术总结
本发明公开了一种垂直集成双栅MOSFET结构及其制备方法。所述垂直集成双栅MOSFET结构相比传统平面MOSFET结构，采用具有高电子迁移率/高空穴迁移率的III‑V族半导体材料作为沟道材料；采用双栅结构有效提高了MOSFET器件的栅控能力，减小了短沟道效应等的影响；垂直方向集成NMOS和PMOS，增加了单位晶圆面积上器件的集成度；采用垂直通孔实现垂直方向的器件互联，有效减小互联引线的长度，提升器件工作速度。本发明所提供的垂直集成双栅MOSFET结构在后摩尔时代CMOS集成技术和高性能III‑V族半导体器件方面具有重要的应用价值。
技术研发人员：王盛凯;李跃;刘洪刚;孙兵;常虎东;龚著靖
受保护的技术使用者：中国科学院微电子研究所
文档号码：201610868474
技术研发日：2016.09.29
技术公布日：2017.01.04