技术总结
本发明公开一种低电容功率TVS器件，属于半导体防护器件领域，所述低电容功率TVS器件是由功率TVS二极管和低电容二极管串联的单片集成器件，包括N型半导体基体、N+型扩散层、P+型扩散层、离子注入区、钝化层、金属层。本发明将功率TVS二极管和低电容的二极管串联集成在单一芯片上，使封装简单化，提高封装的良率，采用高阻N型半导体衬底制造，降低器件的结电容，避免通信信号失真，同时通过控制离子注入量，控制器件的反向击穿电压为75‑100V。
技术研发人员：刘宗贺;邹有彪;王泗禹;徐玉豹
受保护的技术使用者：安徽富芯微电子有限公司
文档号码：201610874344
技术研发日：2016.09.30
技术公布日：2016.12.21