一种大容量薄膜电容器的制作方法

技术特征：

1.一种大容量薄膜电容器，由下到上依次为基板、电介质层和电极层，其特征在于，所述基板为多层基板，该多层结构由下到上依次为铜铬合金基板、含有杂质的镍基板和单晶硅基板；

其中，铜铬合金原料中质量百分数为55%的氧化铜与三氧化二铬的含量比为3-4:1；

其中，含有杂质的镍基板中镍含量的重量百分比不小于99.97%，剩余杂质的重量百分比如下：铁0.003-0.005%，银0.006-0.008%，钨0.0008-0.0012%，锰0.01-0.012%，铟0.0004-0.0008%，钼0.004-0.006%，锶0.0002-0.0006%；

所述电介质层由含胍化合物的下层电介质层和由钙钛矿型结晶结构的氧化物形成的上层电介质层构成。

2.如权利要求1所述一种大容量薄膜电容器，其特征在于，所述多层基板的厚度为220-240μm，其中铜铬合金基板的厚度为80-100μm，含有杂质的镍基板的厚度为60-80μm。

3.如权利要求1所述一种大容量薄膜电容器，其特征在于，质量百分数为55%的氧化铜除氧化铜以外均为未氧化的铜。

4.如权利要求1所述一种大容量薄膜电容器，其特征在于，所述含胍化合物是指甲硅烷基胍化合物、苯甲基胍类化合物、芳硫基-亚烷基胍类化合物或芳基缩二胍类化合物中的任意一种。

5.如权利要求4所述一种大容量薄膜电容器，其特征在于，所述下层电介质层的厚度为6-8μm，上层电介质层的厚度为15-20μm。