技术总结
本发明提供一种薄膜晶体管，它包括分别作为源极和漏极的源漏电极层，作为栅极的导电薄膜层，作为有源层的金属氧化物半导体薄膜层，以及设置在所述导电薄膜层和所述金属氧化物半导体薄膜层之间的同时充当绝缘层和衬底层的绝缘衬底层，在所述薄膜晶体管结构中，所述绝缘衬底层同时起到了衬底和绝缘薄膜的作用，大大简化了薄膜晶体管的制备工艺，降低了制备成本。本发明还提供制备所述薄膜晶体管的方法，该方法工艺简单、成本低廉，在大面积电子电路中有广阔的应用前景。
技术研发人员：张新安;蒋俊华;敖天勇;张朋林;张伟风
受保护的技术使用者：河南大学
文档号码：201610993713
技术研发日：2016.11.11
技术公布日：2017.01.04