1.一种氧化锌量子点增强的石墨烯/氮化镓紫外探测器，其特征在于自下而上依次有衬底(1)、导电镀膜层(2)、氮化镓层(3)、硼掺杂石墨烯层(4)及氧化锌量子点层(6)，所述的紫外探测器还设有第一电极(5)和第二电极(7)，第一电极(5)设置在导电镀膜层(2)上，第二电极(7)设置在硼掺杂石墨烯层(4)上。
2.根据权利要求1所述的氧化锌量子点增强的石墨烯/氮化镓紫外探测器，其特征在于所述的导电镀膜层(2)为金属、ITO、FTO、n型掺杂氧化锌或p型掺杂氧化锌。
3.根据权利要求1所述的氧化锌量子点增强的石墨烯/氮化镓紫外探测器，其特征在于所述的硼掺杂石墨烯层(4)中的石墨烯为1-10层。
4.根据权利要求1所述的氧化锌量子点增强的石墨烯/氮化镓紫外探测器，其特征在于所述的氧化锌量子点层(6)为氧化锌量子点层，所述的氧化锌量子点直径为1nm-1μm。
5.根据权利要求1所述的氧化锌量子点增强的石墨烯/氮化镓紫外探测器，其特征在于所述的衬底(1)为刚性衬底或柔性衬底。
6.根据权利要求1所述的氧化锌量子点增强的石墨烯/氮化镓紫外探测器，其特征在于所述的第一电极(5)为金、钯、银、钛、铬和镍中的一种或几种的复合电极，所述的第二电极(7)为金、钯、银、钛、铬和镍中的一种或几种的复合电极。
7.制备如权利要求1～6任一项所述的氧化锌量子点增强的石墨烯/氮化镓紫外探测器的方法，其特征在于包括如下步骤：
1)在洁净的衬底(1)上生长导电镀膜层(2)；
2)在导电镀膜层(2)上沉积氮化镓层(3)，并在导电镀膜层(2)表面预留生长第一电极(5)的面积；
3)将石墨烯转移至氮化镓层(3)上；
4)在硼掺杂石墨烯层(4)上制作氧化锌量子点层(6)，并在硼掺杂石墨烯层(4)表面预留生长第二电极(7)的面积；
5)在导电镀膜层(2)上沉积第一电极(5)，并在硼掺杂石墨烯层(4)上沉积第二电极(7)。