1.一种焦平面探测器铟柱等离子回流成球方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：读出电路制备底层金属；
S2：通过电阻加热蒸发铟膜，剥离制备铟柱；
S3：将制备好铟柱的读出电路放入等离子刻蚀设备中回流成球。
2.如权利要求1所述的焦平面探测器铟柱等离子回流成球方法，其特征在于，所述步骤S1中，用有机溶剂清洗读出电路芯片，清洗干净后进行光刻，然后沉积底层金属结构。
3.如权利要求2所述的焦平面探测器铟柱等离子回流成球方法，其特征在于，所述底层金属结构为Ti/Pt/Au/Cr。
4.如权利要求3所述的焦平面探测器铟柱等离子回流成球方法，其特征在于，所述步骤S2中，在有底层金属的读出电路芯片上光刻，利用电阻热蒸发的方法沉积铟膜，利用超声辅助剥离形成所需厚度的铟柱。
5.如权利要求4所述的焦平面探测器铟柱等离子回流成球方法，其特征在于，所沉积铟膜厚度为3～5um。
6.如权利要求4所述的焦平面探测器铟柱等离子回流成球方法，其特征在于，剥离形成铟柱后，涂胶保护并划片。
7.如权利要求4所述的焦平面探测器铟柱等离子回流成球方法，其特征在于，所述步骤S3中，将制备好铟柱的的读出电路芯片清洗干净后放入等离子刻蚀设备中，等离子刻蚀设备为感应耦合等离子刻蚀设备或反应离子刻蚀设备。
8.如权利要求7所述的焦平面探测器铟柱等离子回流成球方法，其特征在于，所述读出电路芯片放入等离子刻蚀设备中至后，在高真空的状态下，通入Ar和H2，调整射频功率、压强、温度、气体流量刻蚀参数以获得均匀可靠的铟球。
9.如权利要求8所述的焦平面探测器铟柱等离子回流成球方法，其特征在于，通入Ar：6sccm；H2：25sccm；等离子刻蚀设备的刻蚀参数为：射频功率为300W，压强3Pa，温度180℃，时间240S。
10.如权利要求1-9中任一项所述的焦平面探测器铟柱等离子回流成球方法，其特征在于，还包括步骤：
S4：取出已经做好回流成球的读出电路芯片进行倒装焊接
取出铟柱已回流成球的读出电路芯片，测试阵列铟球的高度和直径，高度和直径的均匀性，满足倒装焊接要求的进行倒装焊接。