半导体装置的制作方法

技术特征：

技术总结
本发明提供一种半导体装置，包括形成有主动区的半导体基板与形成在半导体基板上的源极电极。以硬钝化层覆盖在源极电极上并在硬钝化层形成开口部。作为阻障膜的凸块下金属层形成得比开口部更广，由以减少半导体装置运作时的扩散电阻并可降低半导体基板受温度变化影响时所产生的翘曲量。

技术研发人员：新井宽己;小谷野雅史;松浦伸悌
受保护的技术使用者：力祥半导体股份有限公司
技术研发日：2016.12.08
技术公布日：2017.08.18