技术特征：
技术总结
静态随机存取记忆体(static random access memory；SRAM)单元包括第一至第四晶体管，此第一至第四晶体管为第一类型晶体管，以及第五及第六晶体管，此第五及第六晶体管为第二类型晶体管。第一及第二晶体管的源极区是由第一源极扩散区形成，第五及第六晶体管的源极区是分别由第二源极扩散区及第三源极扩散区形成，并且第三及第四晶体管的源极区是由第四源极扩散区形成。SRAM单元进一步包括第一数据储存电极，此第一数据储存电极自第三及第六晶体管的第一栅极线线性延伸且电连接第一栅极线及第一源极扩散区及第二源极扩散区；以及第二数据储存电极，此第二数据储存电极自第二及第五晶体管的第二栅极线线性延伸且电连接第二栅极线及第三源极扩散区及第四源极扩散区。
技术研发人员：徐国修;连崇德
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2016.12.12
技术公布日：2017.09.12