1.一种高压功率型肖特基二极管的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1，在硅外延层上制作终端保护结构，得到第一硅外延层；
步骤2，在第一硅外延层上进行光刻肖特基接触孔，然后使用HF进行漂洗并且进行干燥处理，得到第二硅外延层；
步骤3，将掺有1％Cu或Si的金属Al在压强为3-5mTorr、纯度大于99.999％的氩气气氛、腔室温度为10～40℃的环境下，溅射功率为50-70W的条件下在第二硅外延层上进行溅射，得到的第三硅外延层上覆盖有厚度至少为2μm的金属Al层；或为在压强为1-2mTorr、腔室温度为10～40℃的环境下，使用电子束蒸发的方法将靶材为纯度大于99.999％的金属Al在第二硅外延层上进行蒸发，得到的第三层硅外延层上覆盖有厚道至少为2μm的金属Al层，其中电子束功率为50-70W；
步骤4，在第三硅外延层的金属Al层上进行光刻，形成肖特基接触金属图形，得到肖特基势垒结构；
步骤5，使用肖特基势垒结构制作并得到肖特基二极管。
2.根据权利要求1所述的高压功率型肖特基二极管的制作方法，其特征在于，所述步骤2中HF溶液为体积比为10-50:1的水和HF的稀释溶液，且使用HF漂洗之后使用去离子水清洗至少1min。
3.根据权利要求1所述的高压功率型肖特基二极管的制作方法，其特征在于，所述步骤2中烘干为在热N2环境下通过旋转进行甩干。
4.根据权利要求1所述的高压功率型肖特基二极管的制作方法，其特征在于，所述步骤2与步骤3之间的时间间隔为小于4小时。
5.根据权利要求1所述的高压功率型肖特基二极管的制作方法，其特征在于，所述步骤4中光刻之后在400-600℃下进行高温氮气退火，然后在300-400℃进行低温氮气退火，退火时间均为1-60min。
6.根据权利要求1所述的高压功率型肖特基二极管的制作方法，其特征在于，所述步骤4中使用湿法腐蚀或干法刻蚀完成光刻工序。
7.根据权利要求1所述的高压功率型肖特基二极管的制作方法，其特征在于，所述步骤5中将肖特基势垒结构的硅外延层的背面的厚度减薄至300μm以内，然后按照肖特基二极管的封装工艺要求对背面进行金属化加工，得到高压功率肖特基二极管。
8.根据权利要求1所述的高压功率型肖特基二极管的制作方法，其特征在于，所述步骤1中的保护结构为保护环、沟槽或场板结构。