技术总结
本发明公开一种多层全息天线SiGe基等离子pin二极管的制备方法，所述可重构多层全息天线的SiGe基等离子pin二极管制备方法包括：在所述SiGeOI半导体基片内设置隔离区；刻蚀所述SiGeOI衬底形成P型沟槽和N型沟槽，所述P型沟槽和所述N型沟槽的深度小于所述SiGeOI衬底的顶层SiGe的厚度；在所述P型沟槽和所述N型沟槽内采用离子注入形成第一P型有源区和第一N型有源区；填充所述P型沟槽和所述N型沟槽，并采用离子注入在所述SiGeOI衬底的顶层SiGe内形成第二P型有源区和第二N型有源区；在所述SiGeOI衬底上生成二氧化硅；激活有源区中的杂质；在所述P型接触区和所述N型接触区光刻引线孔以形成引线；钝化处理并光刻PAD以完成SiGe基等离子pin二极管的制备。
技术研发人员：尹晓雪
受保护的技术使用者：西安科锐盛创新科技有限公司
文档号码：201611184746
技术研发日：2016.12.20
技术公布日：2017.05.10